有机晶体管制造用溶剂或溶剂组合物

    公开(公告)号:CN104364926B

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201380029735.0

    申请日:2013-06-03

    Abstract: 本发明提供有机晶体管制造用溶剂或溶剂组合物,其对有机半导体材料的溶解性优异,能够形成结晶性高的有机晶体管。本发明的有机晶体管制造用溶剂或溶剂组合物为有机半导体材料溶解用的溶剂或溶剂组合物,其含有下述式(A)所示的溶剂A。式(A)中,R1~R4相同或不同,为C1‑2的烷基,R1与R4可以相互键合,与式中的‑N(R2)‑C(=O)‑N(R3)‑一起形成环。

    印刷用溶剂以及糊料组合物

    公开(公告)号:CN102925004A

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201210282883.0

    申请日:2012-08-09

    Abstract: 本发明提供电子元件图案制造用溶剂,其是电子元件图案的印刷用糊料组合物中所含有的溶剂,在通过印刷法进行的电子元件图案制造工序中,将所述糊料组合物涂布在被涂布面部件上,从而形成布线或者涂膜,所述溶剂对所述糊料组合物中含有的粘合剂树脂的溶解性优异,在印刷温度下不容易蒸发,在高温条件下迅速蒸发,并且,可以在未增量粘合剂树脂的添加量的情况下赋予所述涂布糊料以适于印刷法的初始剪切粘度。本发明的电子元件图案印刷用溶剂为通过印刷法形成电子元件图案时所使用的溶剂,所述溶剂含有二丙二醇甲基异丁醚和/或二丙二醇甲基异戊醚。

    用于制造叠层陶瓷部件的溶剂组合物

    公开(公告)号:CN102709050A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210083211.7

    申请日:2012-03-27

    Abstract: 本发明提供一种用于制造叠层陶瓷部件的溶剂组合物,该溶剂组合物可以使乙基纤维素等粘合剂树脂的粘合剂性能得以充分发挥,不易在叠层陶瓷部件的制造过程中产生片侵蚀现象,并且易于进行蒸发干燥,与被涂布片的密合性优异。本发明提供一种用于制造叠层陶瓷部件的溶剂组合物,其含有沸点为206℃以下的溶剂A和沸点高于溶剂A的溶剂B,所述溶剂A是低极性聚乙烯醇缩丁醛树脂在25℃时的溶解度为5g/100g以上,且乙氧基含量为45.0~53.0mol%的乙基纤维素在25℃时的溶解度为5g/100g以上的溶剂,所述溶剂B是高极性聚乙烯醇缩丁醛树脂在25℃时的溶解度小于5g/100g的溶剂。

    无机/有机混合互补型半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN116918074A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202280016632.X

    申请日:2022-02-24

    Abstract: 本发明提供一种能廉价地制造,长期稳定性优异,p型晶体管与n型晶体管的动作的平衡良好,以高速进行动作的无机/有机混合互补型半导体器件。本公开涉及一种无机/有机混合互补型半导体器件,其包括:基板;p型有机半导体单晶层;所述基板与所述单晶层之间的n型非晶态金属氧化物无机半导体层;以及所述单晶层与所述无机半导体层之间的保护层,所述单晶层配置为:从与所述单晶层的主面垂直的方向观察时,所述单晶层的至少一部分与所述无机半导体层重叠,或所述单晶层不与所述无机半导体层重叠,所述单晶层与所述无机半导体层之间的距离为1mm以下,所述无机半导体层具有所述单晶层侧的氧缺陷量比所述基板侧的氧缺陷量多的、厚度方向的氧缺陷量的分布。

    有机半导体器件制造用组合物

    公开(公告)号:CN108475728B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN201680075383.6

    申请日:2016-12-13

    Abstract: 本发明提供有机半导体材料的溶解性优异、可以在低温环境中利用印刷法而形成具有高载流子迁移率的组合物。本发明的有机半导体器件制造用组合物含有下述有机半导体材料和溶剂(A),有机半导体材料:N字型稠环π共轭系分子;溶剂(A):下述式(a)所示的化合物,式中,L表示单键、‑O‑、‑NH‑C(=O)‑NH‑、‑C(=O)‑或‑C(=S)‑,k表示0~2的整数,R1表示C1‑20烷基、C2‑20烯基、C3‑20环烷基、‑ORa基、‑SRa基、‑O(C=O)Ra基、‑RbO(C=O)Ra基、或取代或无取代氨基,t表示1以上的整数。

    掺杂物以及导电性组合物及其制造方法

    公开(公告)号:CN114341104A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202080059299.1

    申请日:2020-08-17

    Abstract: 本公开的新型掺杂物包含下述式(1)所示的阴离子和抗衡阳离子。在该式(1)中,R1和R2可以为选自硝基、氰基、酰基、羧基、烷氧基羰基、卤代烷基、磺基、烷基磺酰基、卤代磺酰基、卤代烷基磺酰基中的至少一种基团,或者也可以为R1与R2彼此键合而形成的基团[‑SO2‑L‑SO2‑](式中,L表示卤代亚烷基)。该抗衡阳离子也可以为下述式(2)所示的自由基阳离子。(式中,R1和R2为任选地彼此键合而形成杂环的吸电子性基团,R3~R5表示氢原子氢原子、任选地具有取代基的烃基或任选地具有取代基的杂环基)。该掺杂物能形成显现高传导率的导电性组合物。

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