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公开(公告)号：CN103987146B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410220695.4
申请日：2009-03-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/3262
Abstract: 简化安装在EL显示装置的薄膜晶体管的制造步骤。通过如下步骤形成薄膜晶体管，并且使用该薄膜晶体管制造EL显示装置：层叠第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜；在其上形成第一抗蚀剂掩模；进行第一蚀刻形成薄膜叠层体；对该薄膜叠层体进行带着侧面蚀刻的第二蚀刻形成栅电极层；使用第二抗蚀剂掩模形成源电极及漏电极层等。
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公开(公告)号：CN104485362A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410649540.2
申请日：2008-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/04 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 一种显示装置以及显示装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。
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公开(公告)号：CN104332472A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410429433.9
申请日：2009-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/127 , H01L29/1054 , H01L29/20 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 需要包括氧化物半导体以及具备适当的结构并其占有面积小的保护电路等的显示装置。使用非线性元件形成保护电路，该非线性元件包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的重叠于栅电极的第一氧化物半导体层；以及其端部在第一氧化物半导体层上并重叠于栅电极，并且通过层叠导电层和第二氧化物半导体层而形成的第一布线层及第二布线层。将非线性元件的栅电极连接到扫描线或信号线，并且将非线性元件的第一布线层或第二布线层直接连接到栅电极层，以施加栅电极的电位。
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公开(公告)号：CN104134673A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410186936.8
申请日：2009-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的发明名称是显示装置及其制造方法。本发明提供一种适用于设置在显示面板中的共同连接部的结构。设置在像素部的外侧区域的共同连接部具有使用与栅极绝缘层相同的层形成的绝缘层、使用与第二氧化物半导体层相同的层形成的氧化物半导体层、以及使用与导电层相同的层形成的导电层(也称为共同电位线)的层叠结构，其中，通过设置在第一氧化物半导体层上的层间绝缘层中的开口，导电层(也称为共同电位线)连接到共同电极，并且与像素电极相对的电极通过导电粒子电连接到共同电极。
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公开(公告)号：CN101719493B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200910204759.0
申请日：2009-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , G02F1/167 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G09F9/33
CPC classification number: G02F1/136204 , H01L27/0248 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L33/0041 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的名称为显示装置，为了利用包括氧化物半导体的显示装置的性质，具有适当结构和小占用面积的保护电路等是必要的。保护电路使用非线性元件来形成，非线性元件包括：覆盖栅电极的栅绝缘膜；在栅绝缘膜之上的第一氧化物半导体层；沟道保护层，覆盖与第一氧化物半导体层的沟道形成区重叠的区域；以及第一布线层和第二布线层，它们的每个通过堆叠导电层和第二氧化物半导体层并且在第一氧化物半导体层之上形成。栅电极连接到扫描线或信号线，第一布线层或第二布线层直接连接到栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101562155B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200910132821.X
申请日：2009-04-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L21/027 , H01L27/15 , H05B33/10 , H05B33/12
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/3262 , H01L2227/323
Abstract: 本发明名称为发光装置及其制造方法。所公开的发明的薄膜晶体管的制造方法包括如下步骤：按顺序层叠第一导电膜、第一绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜及第二导电膜(薄膜叠层体)；通过第一蚀刻使所述第一导电膜露出并至少形成所述薄膜叠层体的图案；通过第二蚀刻形成第一导电膜的图案。其中，以第一导电膜受到侧面蚀刻的条件进行所述第二蚀刻。另外，可以在形成上述图案之后，利用起因于图案的凹凸选择性地形成EL层。
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公开(公告)号：CN101884112B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200880118999.2
申请日：2008-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78609
Abstract: 本发明提供了一种使用少数量掩模的薄膜晶体管和显示器件的制造方法。将第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、和第二导电膜堆叠。然后，使用多色调掩模在其上面形成具有凹陷部分的抗蚀剂掩模。执行第一蚀刻以形成薄膜堆叠体，并执行其中对薄膜堆叠体进行侧蚀刻的第二蚀刻以形成栅极电极层。使抗蚀剂凹入，然后形成源极电极、漏极电极等；由此，制造薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN102160103A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980137189.6
申请日：2009-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136204 , G02F1/136286 , H01L27/0266 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 保护电路包括非线性元件，该非线性元件包括：栅电极；覆盖栅电极的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上与栅电极重叠的第一氧化物半导体层；以及其端部在第一氧化物半导体层上与栅电极重叠，并其中层叠有导电层和第二氧化物半导体层的第一布线层及第二布线层。在栅极绝缘层上接合物理性质彼此不同的氧化物半导体层，由此与肖特基结相比可进行稳定工作。因此，结漏降低，且可提高非线性元件的特性。
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公开(公告)号：CN102160102A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980137188.1
申请日：2009-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/26
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/0266 , H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 保护电路包括非线性元件，该非线性元件包括：栅电极；覆盖栅电极的栅绝缘层；在栅绝缘层上与栅电极重叠的第一氧化物半导体层；与第一氧化物半导体层的沟道形成区域重叠的沟道保护层；以及一对第一布线层和第二布线层，其端部在沟道保护层上与栅电极重叠，并层叠有导电层和第二氧化物半导体层。在栅绝缘层上具有不同性质的氧化物半导体层彼此接合，藉此与肖特基结相比可进行稳定工作。因而，结漏可降低，并且可改善非线性元件的特性。
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公开(公告)号：CN102150191A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135451.3
申请日：2009-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/0266 , G02F1/133305 , G02F1/1339 , G02F1/13394 , G02F1/134309 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/247 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 一种保护电路，其包括非线性元件，所述非线性元件进一步包括：栅电极；覆盖栅电极的栅极绝缘层；一对第一及第二布线层，在栅极绝缘层上其端部与栅电极重叠，并且其中层叠导电层和第二氧化物半导体层；第一氧化物半导体层，其至少与栅电极重叠并与栅极绝缘层、第一及第二布线层的导电层的侧面部和第二氧化物半导体层的侧面部及顶面部接触。在栅极绝缘层上，物理性不同的氧化物半导体层彼此接合，从而与肖特基结相比可以执行稳定的操作。因此，可以减少结的泄漏，并可以提高非线性元件的特性。
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