公开(公告)号：CN100517782C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200610093141.8

申请日：2006-06-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部靖 ,  斋藤真司 ,  布上真也 ,  山本雅裕 ,  信田直美 ,  金子桂 ,  波多腰玄一

IPC: H01L33/00 ,  F21V7/00

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/505 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/3025 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/0228 ,  H01S5/183 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/327 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体发光装置，包括：半导体发光元件，发射紫外范围和可见范围内的光束；以及荧光元件，吸收来自所述半导体发光元件的所述光束，并在光出射方向上输出可见光束，所述光出射方向不同于发光方向。在所述半导体发光装置内吸收由所述发光元件发射的所述光束。

公开(公告)号：CN101276870A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810082459.5

申请日：2008-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 波多腰玄一 ,  斋藤真司 ,  服部靖 ,  布上真也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件，能够降低串联电阻，可以使光取出效率提高。本发明的半导体发光器件，包括：活性层(14)，放射波长λ的光；第1导电型的第1半导体层(10、12)，具有设置在活性层(14)上、与活性层(14)相接的第1主面，与第1主面对置的第2主面，及与第2主面相接、与平行于第2主面的面之间具有45度以上且小于90度的斜角的侧面；第2导电型的第2半导体层(18)，夹着活性层(14)与第1半导体层(10、12)对置；及第1电极(20)，夹着第2半导体层(18)与活性层(14)对置；活性层(14)与第1电极(20)间的距离d依存于波长λ及第2半导体层(18)的折射率n。