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公开(公告)号：CN113671476B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110850487.2
申请日：2021-07-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型被动毫米波成像方法。传统的被动毫米波辐射模拟的射线发射方法一般用的都是等值角度发射法，这种方法在成像效果方面更符合人体的视觉效果，这样处理的弊端是图像尺寸和相对位置存在较大的畸变，无法分辨出物体实际尺寸和位置信息，从而极大影响了被动毫米波辐射模拟成像的准确度。本发明如下：一、对被探测区域进行正方形网格划分。二、以网格内部或交点为目标发射射线并进行亮温反演。三、建立被探测区域内的亮温分布图。亮温分布图的每个像素点对应一条射线的亮温。本发明能够更为精准地探测出物体的位置和尺寸信息，从而大幅增加了被动毫米波成像模拟的准确性。此外，本发明能够减少溢出射线的产生。
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公开(公告)号：CN117791062A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410028386.0
申请日：2024-01-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/16
Abstract: 本发明公开了一种扭转矩形波导的TM01‑TE11模式转换器，输入段TM01‑TE10结构是由四个弧形面组成的圆形，四个弧形面与圆弧到矩形波导过渡段连接；圆弧到矩形过渡段的两个相邻输出端口连接矩形波导，另外两个相邻输出端口连接180度扭转矩形波导段，将矩形波导和180度扭转矩形波导段的四个输出端口分别连接弯折波导段的四个输入端口；弯折波导段的四个输出端口两两相对，将弯折波导段的四个输出端口延长至相交，在相交处连接合成输出段输出。本发明模式纯度高、杂模抑制度高、具有更好的隔离度，并且转换效率高，相对带宽大。
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公开(公告)号：CN114254538A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111563069.1
申请日：2021-12-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种针对多层遮盖介质的亮温成像方法。传统的透射模型未考虑真实透射中的全反射，在计算透射率选取的积分面积时，将整个下半球面加入计算，使得计算的透射率存在误差，从而影响了整个层次透射模拟成像的准确度。因此，本发明针对遮盖场景提出一种新型透射模型来得到更加精度的亮温矩阵。具体包括：一、在传统模型上提出符合实际透射特点的改进模型。二、研究了双基散射透射系数与透射角存在的关系。三、建立被探测区域内的亮温分布图。四、对传统模型与新模型的各项指标进行对比。本发明能够更为精确地得到针对遮盖场景的亮温图像，从而进一步增加了被动毫米波多层成像模拟的准确性，也能够减模拟成像的计算时间。
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公开(公告)号：CN113808266A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110936583.9
申请日：2021-08-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型的针对指数型粗糙面的亮温成像方法。传统的粗糙面辐射模型较为简单，在考虑粗糙面时仅仅将粗糙面当作高斯型粗糙面处理，忽略了指数型粗糙面存在的场景，即使用高斯型粗糙面模型来替代指数型粗糙面模型，这样处理的弊端在于无法准确模拟出具有指数型粗糙面场景的亮温，从而极大限制了被动毫米波辐射模拟的应用范围。本发明如下：一、提出指数型粗糙面的辐射特性模型。二、研究了高斯型粗糙面与指数型粗糙面的差异。三、计算了不同粗糙度的指数型粗糙面的亮温。四、比较了在不同粗糙度下高斯型粗糙面与指数型粗糙面的亮温差。本发明完善了粗糙面成像场景，提高了在粗糙面场景下成像的准确性。
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公开(公告)号：CN113422182A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110751734.3
申请日：2021-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗调谐的可调低通滤波器。包括：输入传输线，第一级阶跃阻抗谐振器，第二级阶跃阻抗谐振器，第三级阶跃阻抗谐振器，第四级阶跃阻抗谐振器，第一级输入输出阻抗可调传输线，第二级传输线，第三级输入输出阻抗可调传输线，输出传输线；第一级阶跃阻抗谐振器，第二级阶跃阻抗谐振器，第三级阶跃阻抗谐振器以及第四级阶跃阻抗谐振器都是由阶跃阻抗谐振器组成，在开路端以及阶跃阻抗线的高低阻抗连接处均加载可调电容；第一和第三级输入输出阻抗可调谐传输线并联电容可以调节整个传输线的输入输出阻抗，进而调节可调低通滤波器的工作带宽，可以获得更加大的频率调谐范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108183136B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201711478511.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/88
Abstract: 本发明涉及一种新型电压域振荡二极管。本发明包括初始上表面为镓面GaN基底、n+‑qInGaN集电区层、i‑InGaN第一隔离层、i‑InGaN第一势垒层、i‑InGaN量子阱层、i‑GaN第二势垒层、i‑InGaN第二隔离层、n+‑InGaN发射区层、AlN钝化层、集电区金属电极引脚和发射区金属电极引脚。本发明采用GaN基双势垒单量子阱超晶格结构的势垒层极化电场削弱外加电场作用，有效抑制低偏置电压区域带内共振隧穿；利用紧邻集电极势垒的集电区耗尽层作为集电极势垒的辅助势垒，伏安特性在较高偏压区表现为多协调制电流振荡各能级对应电子波函数的共振隧穿与叠加，形成很多个微分负阻区与正电阻区相间排列。
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公开(公告)号：CN107728113B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201710947756.0
申请日：2017-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了被动毫米波成像模拟中多层亮温追踪的快速计算方法，其属计算机辅助分析与设计以及软件设计领域，主要用于被动毫米波成像模拟仿真，其目的是针对粗糙面散射系数的特殊分布，通过计算粗糙面的双站散射系数，找到其分布特点与规律，依据规律找到与之相适应的子层射线发射方法，该方法将双站散射系数较小的区域射线稀疏化，而双站散射系数较大的区域内的射线密集化，从而避免射线的冗余计算，提高计算效率，实现多层亮温追踪法的快速计算。
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公开(公告)号：CN109884619B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201811524844.0
申请日：2018-12-13
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种能够区分不同粗糙面的被动毫米波辐射模拟方法。现有被动毫米波辐射模拟方法只适用于深粗糙面，而无法适用于中等粗糙面或是微粗糙面。本发明的步骤如下：一、建立被测场景的三维模型。二、对步骤一中建立的三维模型进行剖分。三、定义a个射线组，一个射线组包括b条射线。四、计算沿a×b条射线到达辐射计的亮温，计算中考虑第二层反射。五、将所得的a×b个到达辐射计天线的亮温，转化为a×b分辨率的亮温成像模拟图。本发明在进一步精确地表征了粗糙面的被动辐射模型，使得本发明获取的亮温成像模拟图和实际探测情况愈加接近。本发明能够用于与辐射计拍摄出的亮温图像进行对比，从而判断辐射计的品质好坏。
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公开(公告)号：CN108649947A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810240034.6
申请日：2018-03-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种纯量子逻辑电路。本发明包括纯量子逻辑非门计算电路、高压域输出纯量子逻辑计算非门电路、全压域输出纯量子逻辑计算非门电路，三组电路均在欧几里德空间中构建，均包括负载管、驱动管和电源。采用高质量本征GaN基底上外延生长InGaN/GaN/InGaN/AlGaN/InGaN双势垒单量子阱异质结结构的Franz-Keldysh振荡二极管为负载管；本发明可以与传统逻辑算法相结合，实现物联网+云计算平台大数据的超高速搜索，即将这种纯量子逻辑算法作为顶层搜索算法，极速确定云端大数据库中预搜索数据集合，从而剔除冗余搜索；将传统逻辑算法作为底层算法用于在预搜索数据集合中搜索确定元素。
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公开(公告)号：CN201667647U
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200920190224.8
申请日：2009-08-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本实用新型涉及电阻性超导异步双线逻辑通用型门电路。目前已有的超导异步双线电路的逻辑门结构具有使用约瑟夫森结的数量过多和布线困难的缺陷。本实用新型包括四个约瑟夫森量子干涉器和两个扼流电阻，每个约瑟夫森量子干涉器由四个约瑟夫森结和三个连接电感组成。其中相邻的两个约瑟夫森量子干涉器共用两个约瑟夫森结。本实用新型提出的逻辑门结构，利用电阻消耗掉逻辑门触发后残留在门电路中的环路电流，而使得所需的约瑟夫森结的数量大大减小。本实用新型很好的兼顾了布线的方便性，顺序结构的电路布局比已有技术更容易应用在大规模超导集成电路中。
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