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公开(公告)号：CN1735975A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200380108272.3
申请日：2003-12-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
Abstract: 本发明提供了一种磷化硼基半导体发光器件，包括：晶体衬底；第一半导体层，在所述晶体衬底上形成，所述第一半导体层包括发光层，用作基层并具有第一区域和不同于所述第一区域的第二区域；磷化硼基半导体非晶层，在所述第一半导体层的所述第一区域上形成，所述磷化硼基半导体非晶层包括高电阻磷化硼基半导体非晶层或导电类型与所述第一半导体层的导电类型相反的第一磷化硼基半导体非晶层；焊盘电极，在所述高电阻或相反导电类型磷化硼基半导体非晶层上形成，用于建立引线焊接；以及导电磷化硼基晶体层，在所述第一半导体层的所述第二区域上形成，所述导电磷化硼基晶体层可选地延伸到所述磷化硼基半导体非晶层的部分，其中在所述焊盘电极的底部上方的所述焊盘电极的部分处，所述焊盘电极与所述磷化硼基半导体晶体层相接触。
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公开(公告)号：CN1714455A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200380104015.2
申请日：2003-11-27
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L29/205 , H01L29/20 , H01L33/00
Abstract: 一种器件特性优良的磷化硼基半导体器件，其具有III族氮化物半导体层和磷化硼层的结结构。磷化硼基化合物半导体器件具有异质结结构，所述结构包括III族氮化物半导体层和磷化硼层，其中III族氮化物半导体层的表面具有(0.0.0.1.)晶面，以及磷化硼层是{111}－磷化硼层，其具有在III族氮化物半导体层的(0.0.0.1.)晶面上层叠的与(0.0.0.1.)晶面平行的{111}晶面。
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公开(公告)号：CN1214467C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN02801861.3
申请日：2002-05-23
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L29/201 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/30 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02455 , H01L21/02461 , H01L21/02538 , H01L21/02543 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L31/03046 , H01L31/1852 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明通过汽相法制备半导体器件，并且提供一种半导体层，该半导体层由磷化硼(BP)或一种BP基混合晶体组成，上述磷化硼(BP)在室温下具有不少于2.8eV和不多于3.4eV的带隙，而BP基混合晶体含有磷化硼(BP)并用下面分子式表示：BαAlβGaγIn1-α-β-γPδAsεN1-δ-ε(其中0＜α≤1，0≤β＜1，0≤γ＜1，0＜α+β+γ≤1，0＜δ≤1，0≤ε＜1，0＜δ+ε≤1)。
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公开(公告)号：CN1130778C
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN98124075.5
申请日：1998-12-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L33/06
Abstract: 氮化物半导体光发射器件，使用含铟的III族氮化物半导体层作为光发射层，该层为由具有不同含铟量的主相和子相组成的多相结构，其特征是，所述的子相主要由晶体构成，其和主相的边界由变形层包围，该变形层具有相对子相总尺寸D小于0.5×D的宽度，厚度是在5埃以上到10nm以下，具有所述变形层的子相数量占子相总数的50%以上，所述子相的密度是2×1018cm-3或以下，并且所述光发射层的厚度是在1nm到300nm。
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