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公开(公告)号：CN101405879A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780010333.0
申请日：2007-03-23
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种可得到光取出效率优异、且可在低的驱动电压下工作的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用它的灯。所述氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，包括：第一结晶生长工序，在基板(11)上顺序地层叠由氮化镓系化合物半导体形成的n型半导体层(13)、发光层(14)和第一p型半导体层(15)；第二结晶生长工序，进一步层叠由氮化镓系化合物半导体形成的第二p型半导体层(16)，在所述第一结晶生长工序与第二结晶生长工序之间具备在所述第一p型半导体层(15)表面形成凹凸的凹凸形成工序、和在该凹凸形成工序之后进行热处理的热处理工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101326649A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200680046658.X
申请日：2006-12-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 提供出光效率高的氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法。这样的氮化镓类化合物半导体发光元件，在基板(11)上，按包含氮化镓类化合物半导体的n型半导体层(13)、发光层(14)、p型半导体层(15)的顺序将它们层叠，在该p型半导体层(15)上层叠透光性正极(16)，并在该透光性正极(16)上设置正极接合垫(17)，在n型半导体层(13)上设置有负极接合垫(18)的氮化镓类化合物半导体发光元件中，在透光性正极(16)的表面(16a)的至少一部分形成无序的凹凸面。
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公开(公告)号：CN101263611A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200680033223.1
申请日：2006-09-14
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光器件的制造方法，该氮化物半导体发光器件在去除衬底之后翘曲较小，并且可从其侧面发射光；具体地，本发明提供一种氮化物半导体发光器件的制造方法，包括以下步骤：通过在衬底上依次层叠至少n型半导体层、发光层和p型半导体层，形成叠层；形成沟槽，所述沟槽对应于将要制造的氮化物半导体发光器件分割所述叠层；用牺牲层填充所述沟槽；以及通过镀敷在所述p型半导体层和所述牺牲层上形成镀敷层。
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公开(公告)号：CN101263609A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200680033065.X
申请日：2006-09-07
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光器件，其包括具有高粘着性的正电极和负电极，可以输出高功率，且不产生热；具体地，本发明提供一种氮化物半导体发光器件，其包括层叠在镀敷层上的至少欧姆接触层、p型氮化物半导体层、氮化物半导体发光层和n型氮化物半导体层，其中在所述欧姆接触层与所述镀敷层之间形成镀敷粘着层，并且所述镀敷粘着层由包括50质量％或更大的与包含在所述镀敷层中的合金的主要成分相同的成分的合金构成。
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公开(公告)号：CN100414611C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200580001568.4
申请日：2005-08-09
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种磁记录介质包括依次堆叠在非磁性衬底上的方向调整层、非磁性衬层、非磁性中间层、磁性层和保护层，该非磁性衬底在其第一表面上提供有纹理并且用于磁盘。该非磁性衬层含有由Cr-Mn类合金形成的至少一层并且具有沿其圆周方向的易磁化轴的磁各项异性。磁记录和再现设备包括该磁记录介质和使得信息能够记录在该从记录介质上并且从中再现的磁头。
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公开(公告)号：CN101138024A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200680007231.9
申请日：2006-03-03
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 大泽弘
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，该磁记录介质形成在铝基底(Al－Mg合金)上，该铝基底具有纹理条纹以及NiP镀层，具有沿周向的磁各向异性，以及具有高顽磁性、高角形比以及令人满意的电磁转换特性，本发明还提供了其制造方法以及一种磁记录和再现装置。该磁记录介质至少包括取向控制层、非磁性内涂层、磁性层以及保护层，它们按照上述顺序层叠在铝基底上。该取向控制层包含选自于Co、Ni和Fe中的一种或多种成分以及选自于W、Mo、Ta和Nb中的一种或多种成分。
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