公开(公告)号：CN101506946B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200780030345.X

申请日：2007-08-15

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  塙健三 ,  佐佐木保正

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供生产率优异并具有优异的发光特性的Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件以及灯。所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是包括在基板(11)上采用溅射法形成由含有作为Ⅲ族元素的Ga的Ⅲ族氮化物化合物半导体构成的半导体层的工序的制造方法，在将所述基板(11)和溅射靶对向地配置的同时，使基板(11)与溅射靶的间隔为20～100mm的范围。另外，在采用溅射法形成半导体层时，施加于基板(11)的偏压值为0.1W/cm2以上。而且，在形成所述半导体层时，向在溅射中使用的室内供给氮和氩从而进行溅射。

公开(公告)号：CN101522942B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200780036234.X

申请日：2007-09-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  塙健三 ,  佐佐木保正

IPC: C23C16/34 ,  C23C14/06 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种可稳定地在基板上成膜出由结晶性良好的III族氮化物化合物半导体形成的多层膜结构的方法。多层膜结构从基板侧起至少包含缓冲层和基底层，采用溅射法成膜出缓冲层和基底层。使缓冲层的成膜温度低于基底层的成膜温度，或使缓冲层的膜厚为5nm～500nm。进而，多层膜结构从基板侧起至少包含基底层和发光层，包括采用溅射法成膜出基底层，并且，采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)法成膜出发光层的工序。

公开(公告)号：CN101421854B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200780012668.6

申请日：2007-04-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 塙健三 ,  横山泰典

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的是提供一种光的取出性良好且明亮并能够消除接合时的电极剥离的半导体发光元件。作为解决课题的手段，本发明的特征是制造一种半导体发光元件(1)，所述半导体发光元件(1)是在基板(11)上层叠有n型半导体层(13)、发光层(14)和p型半导体层(15)，在p型半导体层(15)上层叠有透光性正极(16)，同时在该透光性正极(16)上设有正极焊盘(17)，在所述n型半导体层(13)上设有负极焊盘(18)的半导体发光元件。