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公开(公告)号：CN117766310A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410025683.X
申请日：2024-01-08
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种TiN‑Fe2O3复合电极材料的制备方法及其应用，属于超级电容器技术领域。本发明提供一种TiN‑Fe2O3纳米复合材料的制备方法，包括通过水热法制备氮化钛纳米片和三氧化二铁纳米颗粒材料，并通过超声分散制备TiN‑Fe2O3纳米复合材料；本发明通过引入TiN，由于互连的离子/电子传输通道的密集网络能够实现更大的电子迁移率，有效改善Fe2O3导电性，制备的复合电极材料具有较高比电容。实施例结果显示，本发明所制备TiN‑Fe2O3复合电极材料在1A·g‑1下的比电容可达998F·g‑1。
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公开(公告)号：CN117089738A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311066493.4
申请日：2023-08-23
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种SnO2@In2O3CuO增强银基复合材料的制备方法。本发明采用原位反应合成制备技术获得SnO2@In2O3CuO增强银基复合材料；首先采用高能球磨获得SnO2@InCu核壳结构，然后通过原位反应合成烧结获得SnO2@In2O3CuO增强银基复合材料，再通过挤压、轧制或拉拔等加工工艺获得复合材料带材或丝材；该方法的最大的优点在于能够通过原位反应合成获得SnO2@In2O3CuO核壳结构增强银基复合材料，所形成的复合材料界面清洁，界面结合牢固，极大发挥了核壳结构的协同效应，最终获得力学性能优异、导电率基本不降低的SnO2@In2O3CuO增强银基复合材料。
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公开(公告)号：CN117026004A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311117894.8
申请日：2023-08-31
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种ZnO@In2O3增强银基复合材料及其制备方法，属于电子信息新材料技术领域。所述ZnO@In2O3增强银基复合材料中ZnO@In2O3为核壳结构，In2O3为壳层，ZnO为核层。本发明通过原位反应合成核壳结构金属氧化物ZnO@In2O3增强银基材料，一方面利用核壳结构的特殊性，增强增强相在银基体中的分布均匀性，综合提高ZnO@In2O3增强银基复合材料的力学性能和导电性。另一方面，利用In2O3为壳层ZnO为核层，将ZnO与In2O3复配协同提高复合材料的化学稳定性，在不降低导电率的基础上，显著提高材料的力学性能。
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公开(公告)号：CN115011834B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111574993.X
申请日：2021-12-21
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种耐汗液腐蚀性能的紫色18K金铝合金的制备方法，属于黄金合金技术领域。以金和铝为合金的基体材料，添加稀土元素，通过真空感应熔炼和真空氩弧熔炼技术熔炼成金铝合金；经过一定温度和时间的热处理，获得色彩鲜艳、耐汗液腐蚀性能改善的紫色18K金铝合金材料。本发明通过在金铝合金表面形成致密氧化膜，使金铝合金在保有紫色特性的条件下其耐腐蚀性能得到提升。
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公开(公告)号：CN115011833B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111574988.9
申请日：2021-12-21
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种改善紫色18K金铝合金韧性的配方及其制备方法，主要用作首饰材料。按质量百分比计，包括以下原料：金75％、铝23～24.5％、稀土0.5～2％。通过将铝和稀土混合，通过真空感应熔炼获得铝基稀土中间合金，然后加入金进行真空电弧熔炼制得，获得色彩鲜艳、塑性改善的紫色18K金铝合金材料。本发明既能保证紫色18K金铝合金紫金的颜色品质，又能提高其韧性，改善可加工性能，符合应用于首饰的要求，可以在更多的饰品中应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113046677B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202110272203.6
申请日：2021-03-12
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C23C4/134 , C23C4/08 , C23C4/02 , B22D18/06 , B22D19/16 , C22C21/02 , C22F1/02 , C22F1/043 , C21D9/46
Abstract: 本发明公开了一种片状陶瓷/铝合金复合材料及其制备方法，属于陶瓷‑金属连接技术领域，所述复合材料包括片状陶瓷及铝合金层，片状陶瓷包覆于铝合金层内部；片状陶瓷及铝合金层之间还包括Ti‑Al合金过渡层；所述制备方法包括：在片状陶瓷表面等离子喷涂Ti‑Al合金，形成过渡层，之后浇铸铝合金，热处理后得到所述复合材料；本发明通过将Ti‑Al合金作为陶瓷片和金属铝连接的过渡层，使得复合材料抗弯强度和抗变形能力显著提高；同时本发明将片状陶瓷封装于合金内部，封装金属的存在使得陶瓷被紧紧固定在原位，断裂的陶瓷在使用过程中不会有迸溅现象，有效的封装了陶瓷。
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公开(公告)号：CN115852304A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211308538.X
申请日：2022-10-25
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C23C12/00
Abstract: 本发明涉及一种提高TC4钛合金表面高温抗氧化性及耐磨性的方法，属于钛合金表面处理技术领域。本发明通过在TC4钛合金表面制备B‑Al‑Si复合渗层以提高TC4钛合金表面高温抗氧化性及耐磨性，从外至内，B‑Al‑Si复合渗层依次包括TiB2层、Al3Ti层、Ti5Si3层和扩散层；B‑Al‑Si复合渗层厚度为20～35μm，表面硬度为2000～2800HV。Al3Ti层和Ti5Si3层协同良好的高温抗氧化性能，具有高硬度的硬质相TiB2、Al3Ti层和Ti5Si3层协同作用，可大幅改善TC4钛合金表面铝化物涂层的抗高温氧化性以及耐磨性。
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公开(公告)号：CN115041654A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210590872.2
申请日：2022-05-27
Applicant: 昆明理工大学
Inventor： 阴树标 , 黄吉祥 , 李霈 , 汝娟坚 , 马正洪 , 周梦莎 , 苏其响 , 曹建春 , 路洁 , 帅康新 , 杨银辉 , 周晓龙 , 张兴志 , 曹宇曦 , 熊涛 , 马燕 , 闫素
IPC: B22D11/22 , B22D11/16 , B22D11/12 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/58 , C22C38/46 , C22C33/04 , B22D11/18 , B22D11/115
Abstract: 本发明属于冶金技术领域，具体涉及一种铸坯中心偏析的控制方法，尤其适用于海洋耐蚀钢筋铸坯中心偏析的控制。该控制方法包括连铸中的二冷过程和轻压下过程，其中二冷过程采用弱冷，比水量为0.4L/kg‑1.2L/kg；轻压下过程的压下区间固相率为0.3‑0.8，压下量为8mm‑14mm。该控制方法可以显著减少铸坯中硫元素和锰元素偏析，而且通过检验，中心偏析级别达到1.0级，中心偏析指数小于1.10。
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公开(公告)号：CN115029568A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210436259.5
申请日：2022-04-25
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明提供了一种高银含量铜基合金及其制备方法，属于铜合金技术领域。本发明提供的高银含量铜基合金的制备方法，包括以下步骤：将电解铜熔化后加入银源进行合金化，然后依次进行浇注和挤压或者进行连铸，得到合金圆杆；所述合金化的时间为0.5～3min；所述浇注和连铸的过冷度独立地为Δ20～80℃；对合金圆杆进行大塑性变形轧制，得到合金丝材；大塑性变形轧制的总变形量≥60％；对合金丝材进行拉丝，得到高银含量铜基合金；铜基合金中银的含量为15～50wt.％。实施例的结果显示，本发明提供的铜基合金中银含量为15～50wt.％，银呈纤维状分布，铜基合金的抗拉强度≥1000MPa，导电率≥85％IACS。
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公开(公告)号：CN110724907B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201910838720.8
申请日：2019-09-05
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明属于纳米材料制备与光催化技术领域，尤其涉及一种ZnS/AlP/GaP异质结构薄膜材料及其制备方法和应用。本发明提供的ZnS/AlP/GaP异质结构薄膜材料包括自下而上依次层叠设置的基底、ZnS层、AlP层和Gap层。本发明提供的ZnS/AlP/GaP异质结构薄膜由ZnS层、AlP层和Gap层依次排列构成三明治结构，具有窄的直接带隙(0.468eV)和高光吸收能力。由于ZnS/GaP、GaP/AlP、ZnS/AlP的晶格错配度很小，分别为0.756％、0.00917％、0.765％，使得该多层异质结构薄膜的畸变较小，结合后的内应力小，且其高光吸收系数一直保持到可见光区。
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