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公开(公告)号：CN100499191C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710163077.0
申请日：2007-09-29
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/025 , H01L33/10 , H01L33/30 , H01L33/40
Abstract: 本发明提供一种AlGaInP系结构的、能够减小发光亮度的降低、低功耗化且能获得高可靠性的发光二极管。该发光二极管(10)设有在GaAs基板(1)上形成的发光部(4)、由AlGaInP组成的中间层(5)及电流扩散层(6)。发光部4的结构是在GaAs基板(1)上依次形成由AlGaInP组成的下部包覆层(41)、由AlGaInP组成的发光层(42)以及上部包覆层(43)。使发光部(4)的各层中所含氢的浓度为2×1017cm-3以下、碳的浓度为2×1016cm-3以下及氧的浓度为2×1016cm-3以下，进而使电流扩散层6的部分或全部区域中的氢的浓度为5×1017cm-3以下、碳的浓度为5×1017cm-3以下及氧的浓度为2×1016cm-3以下。
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公开(公告)号：CN100466310C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200610001106.9
申请日：2006-01-11
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供把在分布布拉格反射器的近红外光的发光减少到可忽视的水平，进而降低在分布布拉格反射器的光的吸收率的高亮度发光二极管。为了达到该目的，通过对AlGaInP系发光二极管的分布布拉格反射器使用AlGaAs层和AlInP层的组合，并将其膜厚规定为下述(1)、(2)、(3)式的关系：(AlGaAs层的膜厚[nm])＝{λ0/(4×n1)}×α…(1)，(AlInP层的膜厚[nm])＝{λ0/(4×n2)}×(2-α)…(2)，λ0：需要反射的光的波长[nm]，n1：对需要反射的光的波长的AlGaAs层的折射率，n2：对需要反射的光的波长的AlInP层的折射率，0.5＜α＜0.9…(3)。
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公开(公告)号：CN100448036C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200410030617.4
申请日：2004-03-30
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种不会发生透明导电膜剥离、能以低工作电压发光而且可实现高亮度的发光二极管。发光二极管包括：半导体基板；在层叠于上述半导体基板上的第1导电型复合层与第2导电型复合层之间设活性层的发光部；设在该发光部的上部，由金属氧化物构成的透明导电膜；形成于上述透明导电膜的表面一侧的第1电极；和形成于上述半导基板的背面全面或背面的一部分的第2电极；其中，在上述发光部与上述透明导电膜之间还具有由至少含铝的化合物半导体构成的透明导电膜剥离防止层。
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公开(公告)号：CN101165933A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710182342.X
申请日：2007-10-18
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/30 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供了一种不会增加活性层的层厚，不会增厚半导体层，不会增大第一电极的面积，电流分散特性就能得到提高的半导体发光元件。其是在具有第一、第二导电型包覆层(2、3)和活性层(4)的半导体发光元件(1)中，在第一导电型包覆层(2)与活性层(4)之间、在活性层(4)与第二导电型包覆层(3)之间，分别设置对上述光线是透明的，且带隙比活性层(4)大，并与活性层晶格匹配的多层膜层(9、10)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101159306A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710163077.0
申请日：2007-09-29
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/025 , H01L33/10 , H01L33/30 , H01L33/40
Abstract: 本发明提供一种AlGaInP系结构的、能够减小发光亮度的降低、低功耗化且能获得高可靠性的发光二极管。该发光二极管(10)设有在GaAs基板(1)上形成的发光部(4)、由AlGaInP组成的中间层(5)及电流扩散层(6)。发光部4的结构是在GaAs基板(1)上依次形成由AlGaInP组成的下部包覆层(41)、由AlGaInP组成的发光层(42)以及上部包覆层(43)。使发光部(4)的各层中所含氢的浓度为2×1017cm－3以下、碳的浓度为2×1016cm－3以下及氧的浓度为2×1016cm－3以下，进而使电流扩散层6的部分或全部区域中的氢的浓度为5×1017cm－3以下、碳的浓度为5×1017cm－3以下及氧的浓度为2×1016cm－3以下。
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公开(公告)号：CN1941442A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610159353.1
申请日：2006-09-27
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种除了高亮度和低驱动电压外，还能抑制长时间后发光输出下降以及驱动电压上升的半导体发光元件。所述半导体发光元件，在衬底上形成至少由n型包覆层、活性层、p型包覆层形成的发光部；发光部的上部中的p型掺杂剂浓度为大于等于1×1019/cm3；形成薄膜的As系p型接触层，其中添加的掺杂剂不同于在所述p型包覆层中添加的掺杂剂；在p型接触层的上部形成由金属氧化物材料构成的电流扩展层；在p型包覆层和p型接触层之间，具有由III/V族半导体构成的缓冲层；缓冲层为p型导电性，同时含有故意的或者不可避免的H(氢)或C(碳)；所述缓冲层的膜厚大于等于p型接触层中添加的掺杂剂的扩散深度L。
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公开(公告)号：CN1825642A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610001106.9
申请日：2006-01-11
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供把在分布布拉格反射器的近红外光的发光减少到可忽视的水平，进而降低在分布布拉格反射器的光的吸收率的高亮度发光二极管。为了达到该目的，通过对AlGaInP系发光二极管的分布布拉格反射器使用AlGaAs层和AlInP层的组合，并将其膜厚规定为下述(1)、(2)、(3)式的关系。(AlGaAs层的膜厚[nm])＝{λ0/(4×n1)}×α…(1)，(AlInP层的膜厚[nm])＝{λ0/(4×n2)}×(2－α)…(2)，λ0：需要反射的光的波长[nm]，n1：对需要反射的光的波长的AlGaAs层的折射率，n2：对需要反射的光的波长的AlInP层的折射率，0.5＜α＜0.9…(3)。
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公开(公告)号：CN1251334C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN00108101.2
申请日：2000-04-27
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/025 , H01L33/14
Abstract: 通过在P型AlGaInP夹层和P型GaP窗口层之间，插入一层带隙能量低于P型AlGaInP夹层带隙能量的插入层，可以防止在这两层之间的异质介面上形成高势垒。该插入层起到降低正向电压的作用，所以LED的正向电压得到了降低。
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公开(公告)号：CN1534804A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410030617.4
申请日：2004-03-30
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种不会发生透明导电膜剥离、能以低工作电压发光而且可实现高亮度的发光二极管。发光二极管包括：半导体基板；在层叠于上述半导体基板上的第1导电型复合层与第2导电型复合层之间设活性层的发光部；设在该发光部的上部，由金属氧化物构成的透明导电膜；形成于上述透明导电膜的表面一侧的第1电极；和形成于上述半导基板的背面全面或背面的一部分的第2电极；其中，在上述发光部与上述透明导电膜之间还具有由至少含铝的化合物半导体构成的透明导电膜剥离防止层。
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