公开(公告)号：CN106025098B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201610319620.0

申请日：2012-09-14

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 中家直树 ,  广井佳臣 ,  星野稔

IPC: H01L51/54 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  C09D5/24 ,  C09D7/63 ,  C08K5/18 ,  C08K5/42

Abstract: 包含式(1)所示的芳基二胺化合物、电子接受性掺杂剂物质和溶剂的电荷传输性清漆形成具有高透明性、应用于有机EL元件时可发挥良好的元件特性的电荷传输性薄膜。式中，R1～R4各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基等，R5～R8各自独立地表示氢原子、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、噻吩基等，n表示2～5的整数。

公开(公告)号：CN101884015B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200880118921.0

申请日：2008-12-09

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 广井佳臣 ,  石田智久 ,  远藤贵文

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/22 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G59/226 ,  C08G59/38

Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，由其形成的抗蚀剂下层膜的干蚀刻速度的选择比大，在ArF准分子激光之类的短波长下的k值和折射率n显示出希望的值，还显示出溶剂耐性。提供了一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其特征在于，含有线状聚合物和溶剂，所述线状聚合物的主链上具有含有芳香环的结构和含有氮原子的结构中的至少一种结构，所述芳香环或所述氮原子上直接连接有至少一个烷氧基烷基或羟基烷基。

公开(公告)号：CN101910948A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980101866.9

申请日：2009-01-23

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 广井佳臣 ,  石田智久 ,  塚本义仁

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/14 ,  C08G59/42 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08G59/423 ,  C08G59/186 ,  G03F7/091 ,  G03F7/2041

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，所述抗蚀剂下层膜，干蚀刻速度相对抗蚀剂膜的选择比大、在ArF准分子激光等短波长下的k值低且n值显示出高值，并可形成所需形状抗蚀剂图案。当制造该组合物时和使用该组合物时，要求原料单体引起的臭气不会成为问题。作为解决本发明课题的方法是，通过包含主链具有二硫键(S-S键)的聚合物和溶剂的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物来解决上述课题。上述聚合物是包含2个环氧基的至少1种化合物(二环氧化合物)与包含二硫键的至少1种二羧酸的反应产物。

公开(公告)号：CN101821677A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200880111027.0

申请日：2008-10-16

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 坂本力丸 ,  广井佳臣 ,  石田智久 ,  远藤贵文

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/14 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08G63/664 ,  C08G59/1438 ,  C08L63/00 ,  G03F7/091

Abstract: 本发明的目的在于提供用于形成干蚀刻速度的选择比大、且在诸如ArF准分子激光的短波长下的k值和折射率n显示期望值的抗蚀剂下层膜的组合物。该形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物包含线状聚合物和溶剂，所述线状聚合物的主链具有介由酯键和醚键引入了2，4-二羟基苯甲酸的单元结构。

公开(公告)号：CN100585496C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200580034605.1

申请日：2005-09-27

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 榎本智之 ,  广井佳臣 ,  中山圭介

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 本发明的课题在于提供一种显示很高的防反射效果、不与光致抗蚀剂发生混合、具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度的可以在半导体器件制造的光刻工序中使用的防反射膜，和用于形成该防反射膜的组合物。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种形成光刻用防反射膜的组合物，其含有：将具有硫脲结构的含硫化合物和具有2个以上的被羟甲基或烷氧基甲基取代的氮原子的含氮化合物在酸催化剂的存在下反应获得的反应生成物，和溶剂。

公开(公告)号：CN1934500A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580008475.4

申请日：2005-03-15

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 广井佳臣 ,  岸冈高广 ,  中山圭介 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08L101/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G75/00 ,  C09D181/00 ,  C09D181/02 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明提供一种防反射膜和用于形成防反射膜的组合物，所述的防反射膜，防反射光的效果高，不发生与光致抗蚀剂的混合，能够在使用F2受激准分子激光(波长157nm)或ArF受激准分子激光(波长193nm)等短波长的光的光刻工艺中使用。本发明的用于形成防反射膜的组合物，其特征在于，包含固体成分和溶剂，硫原子在该固体成分中所占的比例为5～40质量％。上述固体成分包含具有至少5质量％的硫原子的聚合物等。