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公开(公告)号：CN102758190A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210132151.3
申请日：2012-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/086 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/568 , H01L21/67132 , H01L21/67173 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种真空成膜方法和由该方法得到的层积体，在卷对卷技术中进一步谋求作业的高效化或者改善。是对长形基材进行连续真空成膜的方法，具备：沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向将卷绕成卷筒状的长形基材从第一辊室抽出的阶段、将沿第一方向抽出的基材进行脱气的阶段、在第二成膜室将第二膜材料在被脱气的基材的面上进行成膜的阶段、将成膜有第二膜材料的基材在第二辊室进行卷绕的阶段、沿从第二辊室朝向第一辊室的第二方向将在第二辊室卷绕的基材从第二辊室抽出的阶段、在第一成膜室将第一膜材料在沿第二方向抽出的基材的面上进行成膜的阶段、将在第二膜材料上层积有第一膜材料的基材在第一辊室卷绕的阶段。
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公开(公告)号：CN1758078B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510108460.7
申请日：2005-10-08
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/3083 , G02F1/133528 , G02F1/133634
Abstract: 本发明的相位差薄膜整体式偏振片，是对在薄膜宽幅方向上具有滞相轴且Nz系数为0.9～1.1的单向性相位差薄膜和在长幅方向上被拉伸且在该方向上具有吸收轴的偏振片进行层叠而成，并使所述相位差薄膜的宽幅方向的滞相轴与所述偏振片的长幅方向的吸收轴为90°±5°。由此，本发明提供一种提高显示装置等的正面对比度和斜向对比度的相位差薄膜整体式偏振片。
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公开(公告)号：CN101290367A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810086530.7
申请日：2008-03-14
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/30 , G02B1/10 , G02F1/1335
Abstract: 本发明提供一种偏振片，所述偏振片可以满足高湿及高温下的恶劣的环境下的耐久性。一种偏振片，其在偏振镜的至少一个面上隔着胶粘剂层设有透明保护薄膜，其特征在于，胶粘剂层由含有至少1种固化性成分的活性能量线固化型胶粘剂而形成，胶粘剂层的Tg为60℃以上，并且，胶粘剂层的厚度为0.01～7μm。
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公开(公告)号：CN100419474C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200480013713.6
申请日：2004-10-01
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/13363
CPC classification number: G02B5/3033 , G02B5/3083 , Y10T428/1041
Abstract: 本发明提供了具有优异的面内相位差、在厚度方向的相位差和取向轴均一性的双折射薄膜。所述双折射薄膜如下制备：在拉伸聚合物薄膜的过程中，在宽度方向拉伸该聚合物薄膜的同时在长度方向收缩该聚合物薄膜，并假定所述聚合物薄膜在被拉伸前在宽度方向和长度方向的长度为1，由于所述拉伸导致的聚合物薄膜在宽度方向的长度改变率(STD)和由于所述收缩导致的聚合物薄膜在长度方向的长度改变率(SMD)符合下式(1)：(1/STD)1/2≤SMD＜1(1)。
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公开(公告)号：CN100390579C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200480022318.4
申请日：2004-08-05
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/30 , B29C55/02 , G02F1/1335 , G02F1/13363
Abstract: 本发明提供了一种起偏振膜，其包括如下：长聚合物膜；以及二色性物质，其中所述起偏振膜在该起偏振膜的TD方向上具有吸收轴。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1758078A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510108460.7
申请日：2005-10-08
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/3083 , G02F1/133528 , G02F1/133634
Abstract: 本发明的相位差薄膜整体式偏振片，是对在薄膜宽幅方向上具有滞相轴且Nz系数为0.9～1.1的单向性相位差薄膜和在长幅方向上被拉伸且在该方向上具有吸收轴的偏振片进行层叠而成，并使所述相位差薄膜的宽幅方向的滞相轴与所述偏振片的长幅方向的吸收轴为90°±5°。由此，本发明提供一种提高显示装置等的正面对比度和斜向对比度的相位差薄膜整体式偏振片。
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公开(公告)号：CN102758189B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201210130235.3
申请日：2012-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/568 , C23C14/086 , C23C14/562 , C23C28/32 , C23C28/321 , C23C28/345 , H01L21/67132 , H01L21/67173 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种真空成膜方法及通过该方法得到的层叠体。通过该成膜方法，在卷对卷技术中能够进一步谋求提高作业效率或者进一步谋求改善其技术，该方法包括：在从第一辊室朝向第二辊室的第一方向上从第一辊室抽出第一基体的阶段；对第一基体进行脱气的阶段；在第二成膜室将第二膜材料成膜在第一基体上的阶段；通过在第二辊室卷绕第一基体而生成第一基体的阶段；进而在从第二辊室朝向第一辊室的第二方向上进行用于生产第二基体的同样的动作。在此，在生成成膜有第二膜材料的第一基体时，从第一成膜室去除第一成膜室的第一阴极电极，而且在生成成膜有第一膜材料的第二基体时，从第二成膜室去除第二成膜室的第二阴极电极。
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公开(公告)号：CN102899629B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201210267243.2
申请日：2012-07-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C16/44 , C23C14/021 , C23C14/562 , C23C16/06 , C23C16/56 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。将卷绕成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面而沿第一辊室朝向第二辊室的方向从第一辊室输出，对输出的基体进行脱气，在第一成膜室，在脱气的基体的第一面成膜第一膜材料，在第二成膜室，在第一膜材料上成膜第二膜材料，在第二辊室将层积有膜材料的基体卷绕成卷筒状，将与第一面相反一侧的第二面作为被成膜面而沿方向从第一辊室输出卷绕的基体，重复进行上述所有的处理。
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公开(公告)号：CN102899630B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210268890.5
申请日：2012-07-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。卷成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面，沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从第一辊室输出卷筒状的长基体，使沿第一方向输出的基体脱气，在第二成膜室在基体第一面将第二膜材料成膜，在第二辊室将使第二膜材料成膜的基体卷绕成卷筒状，沿从第二辊室朝第一辊室的第二方向从第二辊室输出，在第一成膜室在第二膜材料上将第一膜材料成膜，在第一辊室将在第二膜材料上层积第一膜材料的基体卷绕成卷筒状，将与第一辊室卷绕的基体的第一面相反侧的第二面作为被成膜面，重复上述全部处理。
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公开(公告)号：CN103177801B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210541208.5
申请日：2012-12-13
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B7/04 , C23C14/024 , C23C14/025 , C23C14/0641 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345
Abstract: 本发明提供导电性薄膜和导电性薄膜卷。已知具备薄膜基材、形成于其两面上的透明导电体层、和形成于透明导电体层的表面上的金属层的导电性薄膜。卷取这种导电性薄膜形成导电性薄膜卷时，存在邻接的导电性薄膜的金属层之间相互压接的问题。本发明的导电性薄膜（10）具有薄膜基材（11）、层叠于薄膜基材（11）的一个面上的第一透明导电体层（12）、第一金属层（13）、氮化覆膜层（14）、层叠于薄膜基材（11）的另一个面上的第二透明导电体层（15）、第二金属层（16）。氮化覆膜层（14）防止邻接的导电性薄膜（10）的压接。
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