-
公开(公告)号：CN102899628A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210266812.1
申请日：2012-07-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/562 , Y10T428/31678
Abstract: 提供双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。将卷成卷筒状的长基体沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从第一辊室输出，对输出的基体脱气，在第一成膜室，在第一面将第一膜材料成膜，将第一膜材料成膜的基体沿从第二辊室朝向第一辊室的第二方向向第二成膜室引导，在第二成膜室，在沿第二方向引导过程中的基体的、与第一面相反一侧的第二面上将第二膜材料成膜，在设置于第一辊室与第二辊室之间的第三辊室，将在第一面使第一膜材料成膜且在第二面使第二膜材料成膜的基体卷绕成卷筒状，沿第一方向从第一辊室输出在第三辊室卷绕的基体，重复上述全部处理。
-
公开(公告)号：CN102899630A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210268890.5
申请日：2012-07-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。卷成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面，沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从第一辊室输出卷筒状的长基体，使沿第一方向输出的基体脱气，在第二成膜室在基体第一面将第二膜材料成膜，在第二辊室将使第二膜材料成膜的基体卷绕成卷筒状，沿从第二辊室朝第一辊室的第二方向从第二辊室输出，在第一成膜室在第二膜材料上将第一膜材料成膜，在第一辊室将在第二膜材料上层积第一膜材料的基体卷绕成卷筒状，将与第一辊室卷绕的基体的第一面相反侧的第二面作为被成膜面，重复上述全部处理。
-
公开(公告)号：CN102758189A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210130235.3
申请日：2012-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/568 , C23C14/086 , C23C14/562 , C23C28/32 , C23C28/321 , C23C28/345 , H01L21/67132 , H01L21/67173 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种真空成膜方法及通过该方法得到的层叠体。通过该成膜方法，在卷对卷技术中能够进一步谋求提高作业效率或者进一步谋求改善其技术，该方法包括：在从第一辊室朝向第二辊室的第一方向上从第一辊室抽出第一基体的阶段；对第一基体进行脱气的阶段；在第二成膜室将第二膜材料成膜在第一基体上的阶段；通过在第二辊室卷绕第一基体而生成第一基体的阶段；进而在从第二辊室朝向第一辊室的第二方向上进行用于生产第二基体的同样的动作。在此，在生成成膜有第二膜材料的第一基体时，从第一成膜室去除第一成膜室的第一阴极电极，而且在生成成膜有第一膜材料的第二基体时，从第二成膜室去除第二成膜室的第二阴极电极。
-
公开(公告)号：CN102758190B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201210132151.3
申请日：2012-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/086 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/568 , H01L21/67132 , H01L21/67173 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种真空成膜方法和由该方法得到的层积体，在卷对卷技术中进一步谋求作业的高效化或者改善。是对长形基材进行连续真空成膜的方法，具备：沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向将卷绕成卷筒状的长形基材从第一辊室抽出的阶段、将沿第一方向抽出的基材进行脱气的阶段、在第二成膜室将第二膜材料在被脱气的基材的面上进行成膜的阶段、将成膜有第二膜材料的基材在第二辊室进行卷绕的阶段、沿从第二辊室朝向第一辊室的第二方向将在第二辊室卷绕的基材从第二辊室抽出的阶段、在第一成膜室将第一膜材料在沿第二方向抽出的基材的面上进行成膜的阶段、将在第二膜材料上层积有第一膜材料的基材在第一辊室卷绕的阶段。
-
公开(公告)号：CN102899629A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210267243.2
申请日：2012-07-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C16/44 , C23C14/021 , C23C14/562 , C23C16/06 , C23C16/56 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。将卷绕成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面而沿第一辊室朝向第二辊室的方向从第一辊室输出，对输出的基体进行脱气，在第一成膜室，在脱气的基体的第一面成膜第一膜材料，在第二成膜室，在第一膜材料上成膜第二膜材料，在第二辊室将层积有膜材料的基体卷绕成卷筒状，将与第一面相反一侧的第二面作为被成膜面而沿方向从第一辊室输出卷绕的基体，重复进行上述所有的处理。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102758190A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210132151.3
申请日：2012-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/086 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/568 , H01L21/67132 , H01L21/67173 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种真空成膜方法和由该方法得到的层积体，在卷对卷技术中进一步谋求作业的高效化或者改善。是对长形基材进行连续真空成膜的方法，具备：沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向将卷绕成卷筒状的长形基材从第一辊室抽出的阶段、将沿第一方向抽出的基材进行脱气的阶段、在第二成膜室将第二膜材料在被脱气的基材的面上进行成膜的阶段、将成膜有第二膜材料的基材在第二辊室进行卷绕的阶段、沿从第二辊室朝向第一辊室的第二方向将在第二辊室卷绕的基材从第二辊室抽出的阶段、在第一成膜室将第一膜材料在沿第二方向抽出的基材的面上进行成膜的阶段、将在第二膜材料上层积有第一膜材料的基材在第一辊室卷绕的阶段。
-
公开(公告)号：CN102758189B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201210130235.3
申请日：2012-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/568 , C23C14/086 , C23C14/562 , C23C28/32 , C23C28/321 , C23C28/345 , H01L21/67132 , H01L21/67173 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种真空成膜方法及通过该方法得到的层叠体。通过该成膜方法，在卷对卷技术中能够进一步谋求提高作业效率或者进一步谋求改善其技术，该方法包括：在从第一辊室朝向第二辊室的第一方向上从第一辊室抽出第一基体的阶段；对第一基体进行脱气的阶段；在第二成膜室将第二膜材料成膜在第一基体上的阶段；通过在第二辊室卷绕第一基体而生成第一基体的阶段；进而在从第二辊室朝向第一辊室的第二方向上进行用于生产第二基体的同样的动作。在此，在生成成膜有第二膜材料的第一基体时，从第一成膜室去除第一成膜室的第一阴极电极，而且在生成成膜有第一膜材料的第二基体时，从第二成膜室去除第二成膜室的第二阴极电极。
-
公开(公告)号：CN102899629B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201210267243.2
申请日：2012-07-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C16/44 , C23C14/021 , C23C14/562 , C23C16/06 , C23C16/56 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。将卷绕成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面而沿第一辊室朝向第二辊室的方向从第一辊室输出，对输出的基体进行脱气，在第一成膜室，在脱气的基体的第一面成膜第一膜材料，在第二成膜室，在第一膜材料上成膜第二膜材料，在第二辊室将层积有膜材料的基体卷绕成卷筒状，将与第一面相反一侧的第二面作为被成膜面而沿方向从第一辊室输出卷绕的基体，重复进行上述所有的处理。
-
公开(公告)号：CN102899630B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210268890.5
申请日：2012-07-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。卷成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面，沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从第一辊室输出卷筒状的长基体，使沿第一方向输出的基体脱气，在第二成膜室在基体第一面将第二膜材料成膜，在第二辊室将使第二膜材料成膜的基体卷绕成卷筒状，沿从第二辊室朝第一辊室的第二方向从第二辊室输出，在第一成膜室在第二膜材料上将第一膜材料成膜，在第一辊室将在第二膜材料上层积第一膜材料的基体卷绕成卷筒状，将与第一辊室卷绕的基体的第一面相反侧的第二面作为被成膜面，重复上述全部处理。
-
公开(公告)号：CN102899628B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201210266812.1
申请日：2012-07-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/562 , Y10T428/31678
Abstract: 提供双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。将卷成卷筒状的长基体沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从第一辊室输出，对输出的基体脱气，在第一成膜室，在第一面将第一膜材料成膜，将第一膜材料成膜的基体沿从第二辊室朝向第一辊室的第二方向向第二成膜室引导，在第二成膜室，在沿第二方向引导过程中的基体的、与第一面相反一侧的第二面上将第二膜材料成膜，在设置于第一辊室与第二辊室之间的第三辊室，将在第一面使第一膜材料成膜且在第二面使第二膜材料成膜的基体卷绕成卷筒状，沿第一方向从第一辊室输出在第三辊室卷绕的基体，重复上述全部处理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.02 seconds)
