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31.

实用新型
半导体装置有权

公开(公告)号：CN213071148U

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201890001587.X

申请日：2018-04-11

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 高桥哲平 , 井上徹人 , 菅井昭彦 , 望月孝 , 中村俊一

IPC: H01L29/78 , H01L29/12

Abstract: 半导体装置包括：半导体基板，其由碳化硅构成；第一导电型的漂移层，其被形成在所述半导体基板的一个主面上；第二导电型的阱区，其被形成在所述漂移层上；所述第一导电型的源极区域，其被形成在所述阱区上；绝缘膜，其被形成在所述漂移层上；接触金属膜，其被形成在所述绝缘膜上，并且经由设置于所述绝缘膜的开口部来接触所述源极区域及所述阱区这两个区域；以及源电极膜，其被形成为：接触所述接触金属膜。其中，所述接触金属膜包含氮化钛。

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