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公开(公告)号：CN102144004B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN200980134455.X
申请日：2009-08-28
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C09C1/04 , C09C3/08 , H01L21/368 , H01L29/786
CPC分类号： B82Y30/00 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C09C1/043 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L29/7869 , Y10T428/29 , Y10T428/2995
摘要： 本发明涉及使用改性剂改性的颗粒以及包含所述改性颗粒的分散介质。表面改性的金属、金属卤化物、金属硫属元素化物、金属氮化物、金属磷化物、金属硼化物或金属磷酸盐颗粒或其混合物具有1至500nm的平均粒径，且其表面使用一种或多种式(I)、(II)及(III)的改性剂改性：
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公开(公告)号：CN102459398B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201080024740.9
申请日：2010-05-26
IPC分类号： C08G61/12 , H01L51/00 , C08F301/00
摘要： 本发明涉及一种包含重复单元A和任选的重复单元B的聚合物，其中Z为S、Se、N-R和O；W在每次出现时独立地为任选被1-4个基团Ra取代的单环或多环结构部分；Y在每次出现时独立地为二价C1-6烷基、二价C1-6卤代烷基或共价键；c为1-6。
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公开(公告)号：CN102459399B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201080031447.5
申请日：2010-06-14
CPC分类号： H01B1/127 , C08G61/123 , C08G61/126 , C08G2261/3223 , C08G2261/3225 , C08G2261/3229 , C08G2261/323 , C08G2261/416 , C08G2261/417 , H01L51/0036
摘要： 本发明涉及一种通过如下步骤制备3-取代的噻吩、3-取代的硒吩、4-取代的噻唑或4-取代的硒唑的区域规则均聚物或共聚物的方法：a)使3-取代的2,5-二卤代噻吩、3-取代的2,5-二卤代硒吩、4-取代的2,5-二卤代噻唑或4-取代的2,5-二卤代硒唑与反应性锌、镁和/或有机镁卤化物反应得到含有一种卤代锌或一种卤代镁基团的有机锌或有机镁中间体，b)使有机锌或有机镁中间体与Ni(II)、Ni(0)、Pd(II)或Pd(0)催化剂接触以引发聚合反应，和c)使有机锌或有机镁中间体聚合以得到3-取代的噻吩、3-取代的硒吩、4-取代的噻唑或4-取代的硒唑的区域规则的头-尾均聚物或共聚物，其特征在于聚合反应在时间t1期间于从较低温度T1升至较高温度T2的温度下进行，其中T1为-40℃至5℃且T2为-20℃至40℃，其中T2-T1为至少10℃且平均升高率(T2-T1)/t1为0.05-1℃/分钟。
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公开(公告)号：CN101965374B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200980108214.8
申请日：2009-02-05
CPC分类号： H01L51/0043 , C08G61/10 , C08G61/12 , C09B5/62 , C09B69/102 , C09B69/105 , C09B69/106 , C09K11/06 , C09K2211/1458 , C09K2211/1483 , H01B1/127 , H01L51/0036 , H01L51/0053 , H01L51/0094 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H05B33/14 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了新的由萘-酰亚胺共聚物制备的半导体材料。该聚合物具有所希望的电子性能并且可具有包括溶液加工性在内的良好加工优点和/或良好的在环境条件下的稳定性。
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公开(公告)号：CN102317345B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200980156788.2
申请日：2009-12-16
CPC分类号： C08F228/06 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/18 , C08G2261/3223 , C08G2261/3327 , C08G2261/344 , C08G2261/364 , C08G2261/414 , C08G2261/512 , C08G2261/5222 , C08G2261/91 , C08G2261/92 , C08K3/01 , C08K5/0008 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1458 , C09K2211/1491 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/42 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 公开了由具有芳族或杂芳族π-共轭体系的二噻吩基亚乙烯基共聚物制备的新半导体材料。这些聚合物几乎不进行或不进行沉积后热处理即可表现出高载流子迁移率和/或良好的电流调节特性。此外，本教导的聚合物可具有某些加工优点，如改善的可溶液加工型和低退火温度。
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公开(公告)号：CN102804439A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080032571.3
申请日：2010-05-20
IPC分类号： H01L51/05 , H01G4/14 , H01L21/312
CPC分类号： H01L51/052 , H01G4/18 , H01G4/33 , H01L23/49894 , H01L51/0043 , H01L51/0545 , H01L2251/308 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种包含至少一个介电层的电子器件及所述电子器件的制作方法，其中所述介电层包含基于至少一种可自由基交联的化合物的交联有机化合物。
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公开(公告)号：CN102144004A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200980134455.X
申请日：2009-08-28
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C09C1/04 , C09C3/08 , H01L21/368 , H01L29/786
CPC分类号： B82Y30/00 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C09C1/043 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L29/7869 , Y10T428/29 , Y10T428/2995
摘要： 本发明涉及使用改性剂改性的颗粒以及包含所述改性颗粒的分散介质。表面改性的金属、金属卤化物、金属硫属元素化物、金属氮化物、金属磷化物、金属硼化物或金属磷酸盐颗粒或其混合物具有1至500nm的平均粒径，且其表面使用一种或多种式(I)、(II)及(III)的改性剂改性：
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公开(公告)号：CN101965374A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200980108214.8
申请日：2009-02-05
CPC分类号： H01L51/0043 , C08G61/10 , C08G61/12 , C09B5/62 , C09B69/102 , C09B69/105 , C09B69/106 , C09K11/06 , C09K2211/1458 , C09K2211/1483 , H01B1/127 , H01L51/0036 , H01L51/0053 , H01L51/0094 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H05B33/14 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了新的由萘-酰亚胺共聚物制备的半导体材料。该聚合物具有所希望的电子性能并且可具有包括溶液加工性在内的良好加工优点和/或良好的在环境条件下的稳定性。
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公开(公告)号：CN101939351A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104291.6
申请日：2009-02-05
CPC分类号： H01L51/0043 , C08G61/10 , C08G61/12 , C09B5/62 , C09B69/102 , C09B69/105 , C09B69/106 , C09K11/06 , C09K2211/1458 , C09K2211/1483 , H01B1/127 , H01L51/0036 , H01L51/0053 , H01L51/0094 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H05B33/14 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开由苝酰亚胺共聚物制得的新型半导体材料。这样的聚合物可以表现出高n型载流子迁移率和/或良好的电流调制特性。此外，本发明的化合物可以具有某些加工优势，例如溶液加工性和/或在环境条件下良好的稳定性。
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