公开(公告)号：CN102317345A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200980156788.2

申请日：2009-12-16

申请人： 巴斯夫欧洲公司 ,  破立纪元有限公司

发明人： A·K·米什拉 ,  S·瓦伊迪耶纳森 ,  H·诺古基 ,  F·德兹 ,  S·克勒 ,  M·卡斯特勒

IPC分类号： C08G61/12 ,  C09K11/06 ,  H01B1/12 ,  H01L51/50 ,  H01L51/00 ,  H01L51/42 ,  H01L51/05

CPC分类号： C08F228/06 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/18 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3327 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/364 ,  C08G2261/414 ,  C08G2261/512 ,  C08G2261/5222 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C08K3/01 ,  C08K5/0008 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1425 ,  C09K2211/1458 ,  C09K2211/1491 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 公开了由具有芳族或杂芳族π-共轭体系的二噻吩基亚乙烯基共聚物制备的新半导体材料。这些聚合物几乎不进行或不进行沉积后热处理即可表现出高载流子迁移率和/或良好的电流调节特性。此外，本发明的聚合物可具有某些加工优点，如改善的可溶液加工型和低退火温度。

公开(公告)号：CN105051087A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201380065758.7

申请日：2013-12-12

申请人： 巴斯夫欧洲公司 ,  破立纪元有限公司

发明人： A·K·米什拉 ,  Y·关 ,  H·诺古基 ,  M·周 ,  C·焦 ,  F·德兹

IPC分类号： C08G61/12 ,  H01L51/00

CPC分类号： C08G61/126 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/413 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C09B69/109 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

摘要： 本发明提供了一种包含式(1)单元的聚合物，其中R1和R2相互独立地为C1-30烷基、C2-30链烯基、C2-30炔基、苯基或5-8员杂环体系，其中C1-30烷基、C2-30链烯基或C2-30炔基各自可以被1-10个独立地选自卤素、-CN、-NO2、-OH、-NH2、-NH(C1-20烷基)、-N(C1-20烷基)2、-NH-C(O)-(C1-20烷基)、-S(O)2OH、-CHO、-C(O)-C1-20烷基、-C(O)OH、-C(O)-OC1-20烷基、-C(O)NH2、-CO(O)NH-C1-20烷基、-C(O)N(C1-20烷基)2、-O-C1-20烷基、-O-C(O)-C1-20烷基、-SiH3、SiH2(C1-20烷基)、SiH(C1-20烷基)2、Si(C1-20烷基)3、C4-8环烷基、苯基和5-8员杂环体系的取代基取代，以及苯基和5-8员杂环体系可以被1-5个C1-16烷基取代，o为1、2或3以及n为2-10,000的整数，并且提供了一种制备该聚合物的方法以及包含该聚合物的电子器件。

公开(公告)号：CN102317345B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200980156788.2

申请日：2009-12-16

申请人： 巴斯夫欧洲公司 ,  破立纪元有限公司

发明人： A·K·米什拉 ,  S·瓦伊迪耶纳森 ,  H·诺古基 ,  F·德兹 ,  S·克勒 ,  M·卡斯特勒

IPC分类号： C08G61/12 ,  C09K11/06 ,  H01B1/12 ,  H01L51/50 ,  H01L51/00 ,  H01L51/42 ,  H01L51/05

CPC分类号： C08F228/06 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/18 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3327 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/364 ,  C08G2261/414 ,  C08G2261/512 ,  C08G2261/5222 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C08K3/01 ,  C08K5/0008 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1425 ,  C09K2211/1458 ,  C09K2211/1491 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 公开了由具有芳族或杂芳族π-共轭体系的二噻吩基亚乙烯基共聚物制备的新半导体材料。这些聚合物几乎不进行或不进行沉积后热处理即可表现出高载流子迁移率和/或良好的电流调节特性。此外，本教导的聚合物可具有某些加工优点，如改善的可溶液加工型和低退火温度。