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公开(公告)号：CN120065563A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510250374.7
申请日：2025-03-04
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明涉及光电功能晶体材料技术领域，提供了一种基于铈镍双掺铌酸锶钡晶体二次电光效应的光束偏转方法及器件。该方法包括以下步骤：首先，采用提拉法生长铌酸锶钡(SBN)晶体，并实现铈、镍掺杂；随后，对生长后的SBN晶体进行切割、研磨和抛光、沉积双层金属电极，并通过快速退火形成具有优良欧姆接触特性的电光偏转器件；在使用前，对晶体进行电子预注入；最后，入射光入射，在外加电场作用下，实现光束的偏转。本发明通过优化组分设计与掺杂调控，使SBN晶体的居里温度调整至室温附近，结合电子预注入，实现大角度光束偏转；在±450V的电压下，最大偏转角度可达±140mrad，为高效电光偏转技术提供了一种新型解决方案。
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公开(公告)号：CN118026545A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311846527.1
申请日：2023-12-28
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明属于功能薄膜材料技术领域，具体涉及一种Mn掺杂的KTN薄膜及其制备方法。本发明Mn掺杂的KTN薄膜，KTN薄膜的分子式为K1+ZTa1‑X‑YNbYMXO3，各个元素的比例分别为K:Ta:Nb:M:O＝(1+Z):(1–X‑Y):Y:X:3，M元素为Mn，其中X为M元素的摩尔当量，0.11≤X≤0.16，Y为Nb元素的摩尔当量，0.50≤Y≤0.55，元素K过量加入，Z为12％‑16％。同时提供该Mn掺杂的KTN薄膜制备方法。该方法通过工艺参数调控，引入掺杂离子、种子层、提高退火温度来优化薄膜性能，同时采用逐层退火制备的KTN薄膜的结晶程度有明显的提高，漏电流也得到了大幅度降低，降低生产成本，有利于其工业化应用。
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公开(公告)号：CN117779182A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311820144.7
申请日：2023-12-27
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明涉及晶体生长领域，尤其涉及一种SrZnSnSe4三温区气相输运制备方法、产物及其应用。本发明包括以下步骤:(1)石英管一端温区1放置单质Se；中部温区2放置Se、Sn、Sr；另一端温区3放置Zn；(2)抽取真空之后密封石英管；(3)控制各个温区温度升降温程序；(4)恒温使晶体生长；(5)晶体生长完成后降至室温。该发明获得的SrZnSnSe4晶体尺寸可达厘米级，有效弥补了现有生长技术的不足，可作为红外非线性光学晶体材料。
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公开(公告)号：CN116103761A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211580340.7
申请日：2022-12-09
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明属于非线性光学晶体材料制备领域，尤其涉及一种具有三维周期极化结构的钽铌酸钾晶体的制备方法。包括将原料在混料机上混合均匀，用压料机压制成块，用马弗炉烧结得到钽铌酸钾多晶料，所述钽铌酸钾多晶料采用顶部籽晶溶液法进行晶体生长，籽晶放置于偏离熔体温场中心r/2～r/3位置处，所述籽晶提拉速度v随时间t呈周期性变化，完成晶体生长，然后对所得晶体进行热退火处理，制备出具有三维周期性极化结构的钽铌酸钾晶体；本发明直接通过晶体生长工艺参数的调控，依赖晶体的自发极化即可实现周期性极化晶体的制备，既不需要外加高电压，也不需要光刻复杂的电极，而且热退火工艺的加入，进一步提高了周期性极化翻转铁电畴的完整性和均匀性。
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公开(公告)号：CN115786863A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211521235.6
申请日：2022-11-30
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明涉及光电功能晶体器件电极制备技术领域，具体涉及一种钽铌酸钾晶体与电极形成欧姆接触的电光元件及制备方法。该电光元件的制备方法，包括如下步骤：(1)采用离子掺杂生长的钽铌酸钾晶体，对其进行光学级抛光；(2)用磁控溅射在钽铌酸钾晶体表面镀双层金属薄膜电极；(3)在紫外激光辐照的条件下对镀膜晶体进行快速退火。采用离子掺杂的钽铌酸钾晶体，减小金属和晶体间的势垒宽度，使电子或空穴更容易发生隧穿，降低实现欧姆接触所需的退火温度。同时通过在退火过程加入激光辐照，进一步降低使钽铌酸钾晶体与电极形成欧姆接触的退火温度，避免高温退火对晶体内部的破坏，制得的电光元件光学质量好，电学性能稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115785955A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211581130.X
申请日：2022-12-09
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明属于涉及荧光材料技术及照明器件领域，尤其涉及一种Bi3+离子掺杂全光谱白光荧光材料及其制备、应用。所述荧光材料的化学通式为MY(1‑x)BixGa3O7或M(1‑x)YBixGa3O7的荧光材料，M为Sr、或Ba的一种，x代表Bi3+离子的掺杂浓度，0.02≤x≤0.06，所述荧光材料的发光中心为Bi3+离子，在波长为200‑385nm的紫外/近紫外的激发下发出白光，所述荧光材料的荧光光谱波长位于400‑700nm范围内；优选本发明通过调控制备温度，得到包含一种或一种以上组分的荧光材料，该荧光材料产物在紫外/近紫外光激发下，整体发射出白光且随着制备温度的不同呈现不同品质的白光。
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公开(公告)号：CN113848636A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111325789.4
申请日：2021-11-10
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明涉及医疗器械技术领域，具体涉及一种显微镜置物台及包含其的显微镜；所述显微镜置物台包括机体、机盖、上盖板和下盖板；下盖板固定于机体下部，上盖板固定于机盖上，机盖固定在机体上；机体、机盖、上盖板和下盖板的几何中心有贯穿上下的通光孔；机体的上半部有空腔，机体的下半部分内部开有循环水管道，机体空腔内放置半导体制冷片，空腔的立面上开有抽气孔。通过本发明的显微镜置物台可以将被测物放置于真空环境中并进行控温，被测物在制冷降温后，空气中的水蒸气不会凝结到被测物上，有效提弥补了显微镜测低温物品时的不足；机盖上表面内凹，循环水部分设置于机体结构内部，循环水管道为扁平管道设计，减小了装置整体结构的厚度。
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公开(公告)号：CN111910250A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010780617.5
申请日：2020-08-06
Applicant: 齐鲁工业大学 , 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 本发明涉及双折射晶体领域，尤其涉及一种新型紫外双折射晶体SrxBa2-xMg(BO3)2的制备及用途。一种可用于紫外、深紫外波段的硼酸盐双折射晶体，所述晶体分子式为SrxBa2-xMg(BO3)2(x＝0.05-0.2)，属于三方晶系，空间群，晶胞参数为所述双折射晶体可用于制作光通讯器件，如光隔离器、环形器、光束位移器、光学起偏器、光学调制器、偏光棱镜和相位延迟器等。
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公开(公告)号：CN111775354A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010563920.X
申请日：2020-06-19
Applicant: 山东省科学院新材料研究所
Abstract: 一种可定制高精度钽铌酸钾（KTa1-xNbxO3；0≤x≤1，简称KTN）单晶基片元件的加工制作方法，属于人工晶体及玻璃材料的加工制备领域，方法主要包括针对KTN系列晶体的定向、切割、组方、研磨、抛光及卸盘。本发明为KTN单晶基片元件制作提供完备方案，可为KTN晶体用作光波导、光开关、偏转器等电光调制元件，以及衬底基片材料提供样品基础。
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