公开(公告)号：CN1639771A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN02828592.1

申请日：2002-03-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大岛弘敬 ,  清水丰 ,  田中厚志

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996

Abstract: 一种电流垂直于平面结构的磁电阻元件，磁电阻薄膜(43)从一个磁头滑块的介质相对表面(28)向后延伸。一个上电极层(46)叠置在磁电阻薄膜的上边界(43b)上。该上电极层(46)包括一个沿着上边界、从在介质相对表面处露出的顶端向后延伸的低阻区(46a)，以及一个沿着上边界、从低阻区的后端向后延伸的高阻区(46b)。该高阻区的电阻率高于低阻区的电阻率。该高阻区用于限制最靠近介质相对表面的读出电流的通路。允许该读出电流集中在最靠近磁电阻薄膜中的介质相对表面的位置。由于靠近介质相对表面的磁化强度趋于充分转动，该电流垂直于平面(CPP)结构的磁电阻元件保持电阻的充分变化。在该CPP结构的磁电阻元件中可保持足够的灵敏度。

公开(公告)号：CN1431651A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN03101543.3

申请日：2003-01-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 濑山喜彥 ,  長坂惠一 ,  大岛弘敬 ,  清水丰 ,  田中厚志

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/324

Abstract: 一种电流垂直于平面(CPP)结构的磁阻元件包括旋阀膜。在包含于旋阀膜的非磁性中间层从的导电层之间确定一个边界。磁性金属材料和绝缘材料存在于该边界上。绝缘材料减小读出电流路径的截面面积。相应于在自由磁性层中的磁化的旋转，该CPP结构的磁阻元件实现在电阻中较大变化。采用较小的读出电流来获得电压的较大变化。相应地，CPP结构的磁阻元件大大地有助于记录密度的提高以及减小电能消耗。

公开(公告)号：CN1428876A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02149946.2

申请日：2002-11-08

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 長坂惠一 ,  濑山喜彦 ,  菅原贵彦 ,  清水豊 ,  田中厚志

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/00

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3268

Abstract: 一种磁阻元件，其通过在磁阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁阻的改变量，该磁阻效应膜包括至少一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，该磁阻元件包括粒状结构层，其中包括导电颗粒和包含分散状态的导电颗粒并且具有小于导电颗粒的颗粒直径的厚度的薄膜形式的绝缘基质材料，该粒状结构层被插入在底层、自由层、非磁性层、被固定层、固定层以及保护层中的至少两个相邻层之间。