公开(公告)号：CN104395502B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201380016216.0

申请日：2013-07-31

Applicant: 富士胶片电子材料美国有限公司 ,  富士胶片株式会社

Inventor： 高桥和敬 ,  水谷笃史 ,  高桥智威

IPC: C23F1/16

CPC classification number: C23F1/28 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  C23F1/30 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823871

Abstract: 本公开涉及含有约60％至约95％的至少一种磺酸；约0.005％至约0.04％的氯化物阴离子；约0.03％至约0.27％的溴化物阴离子；约0.1％至约20％的硝酸盐或亚硝酰基离子；和约3％至约37％的水的蚀刻组合物。

公开(公告)号：CN102242025B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201110122345.0

申请日：2011-05-09

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 稻叶正 ,  高桥和敬 ,  高桥智威 ,  水谷笃史

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  B08B3/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/5004

Abstract: 本发明提供一种可以抑制半导体基板的金属的腐蚀、且半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的除去性优异的清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法。一种清洗组合物、以及使用所述清洗组合物的半导体装置的制造方法及清洗方法，其特征在于，所述组合物为用于除去形成于半导体基板上的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣的清洗组合物，其包括(成分a)水、(成分b)胺化合物、(成分c)羟胺及/或其盐、(成分d)季铵化合物、(成分e)有机酸、以及(成分f)水溶性有机溶剂，且pH为6～9。

公开(公告)号：CN104395502A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380016216.0

申请日：2013-07-31

Applicant: 富士胶片电子材料美国有限公司 ,  富士胶片株式会社

Inventor： 高桥和敬 ,  水谷笃史 ,  高桥智威

IPC: C23F1/16

CPC classification number: C23F1/28 ,  C23F1/20 ,  C23F1/26 ,  C23F1/30 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823871

Abstract: 本公开涉及含有约60％至约95％的至少一种磺酸；约0.005％至约0.04％的氯化物阴离子；约0.03％至约0.27％的溴化物阴离子；约0.1％至约20％的硝酸盐或亚硝酰基离子；和约3％至约37％的水的蚀刻组合物。

公开(公告)号：CN103403845A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280011143.1

申请日：2012-02-28

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 水谷笃史 ,  稻叶正 ,  小山朗子

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01G13/00 ,  C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/32134 ,  H01L28/92

Abstract: 一种形成电容器结构的方法，包括：施用硅蚀刻液于多晶硅膜或非晶硅膜，所述硅蚀刻液含碱化合物与羟胺化合物的组合，且所述硅蚀刻液的pH值被调节为11或大于11；移除所述多晶硅膜或所述非晶硅膜的部份或整体；以及形成构成电容器的凹凸形状。

公开(公告)号：CN102031204A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010297139.9

申请日：2010-09-28

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 高桥智威 ,  高桥和敬 ,  水谷笃史 ,  关裕之 ,  伏见英生 ,  加藤知夫

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/36 ,  C11D7/26 ,  B08B3/08 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02

CPC classification number: G03F7/425 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供一种清洗组合物，其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其特征在于，包含(成分a)水、(成份b)羟基胺及/或其盐、(成分c)碱性有机化合物和(成分d)有机酸，所述清洗组合物的pH为7～9。还提供使用所述清洗组合物的清洗方法及半导体装置的制造方法。