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公开(公告)号：CN119860450A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510090210.2
申请日：2025-01-21
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: F16K11/044 , F16K27/02 , B23P15/00
Abstract: 本发明公开了一种卸荷式低温节流截止阀以及阀体组件的加工方法，其中，卸荷式低温节流截止阀包括：阀体组件、阀杆组件以及副阀芯组件；阀体组件的内部形成有流动腔体，阀杆组件能够沿着竖直方向活塞运动地设置在阀体组件的内部，阀体组件上还分别设置有与流动腔体相连通的进口通道和出口通道，且阀杆组件的底端设置有密封垫，且密封垫能够跟随阀杆组件的下降以抵靠在进口通道与流动腔体连通处的密封刃口，以形成面密封；该截止阀在使用时，克服现有技术中的截止阀会出现密封结构失效等现，而且当截止阀关闭时，截止阀腔体内流体会造成关闭过程中进出口压差变大，影响关闭过程中阀门的关闭扭矩，对系统的快速响应造成较大影响的问题。
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公开(公告)号：CN111565518A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010419753.1
申请日：2020-05-18
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种X波段80瓦功率放大器的制作工艺，包括以下步骤：采用罗杰斯5880射频电路板烧结、80W功率放大器芯片共晶、阻容器件胶结、金丝键合以及将盖板装入电测试合格的80W功率放大器模块主腔体完成封盖；该X波段80瓦功率放大器的制作工艺设计合理，借助微电子组封装工艺技术，可高效制作出稳定可靠的X波段80瓦功率放大器，制作的放大器具有散热好、指标优异、稳定性高、体积小、可靠性高等的特点。
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公开(公告)号：CN108112184B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201711064670.X
申请日：2017-11-02
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H05K3/34
Abstract: 本发明公开了一种S波段100瓦脉冲功率放大器的制作方法，具体包括下述步骤：步骤一：S波段100瓦脉冲功率放大器微波模块电路板元器件烧结；步骤二：S波段100瓦脉冲功率放大器电源模块电路板元器件烧结；步骤三：将微波模块电路板以及元器件烧结装配到腔体上；步骤四：将电源模块电路板以及元器件焊接装配到腔体上；步骤五：对装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标。本发明提供的一种S波段100瓦脉冲功率放大器的制作方法，工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较之前有较大的提高，设备投资成本低，对生产员工的素质要求不高，进行基本培训即可上岗，适合小批量生产。
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公开(公告)号：CN110856373A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911151816.3
申请日：2019-11-22
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H05K3/34
Abstract: 本发明公开了一种激励信号模块加工方法，其特征在于：制作过程主要包括：步骤1)多个绝缘子以及射频电路板与腔体钎焊；步骤2)元器件烧结；步骤3)第一次清洗；步骤4)电装焊接；步骤5)第二次清洗，6)封盖、刷三防漆。本发明这种激励信号模块加工方法，产品制作工艺更加科学实用，产品合格率提高，为批量化生产提供了有力保障，制作工艺流程简单，适用大批量生产，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107910273B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201711077020.9
申请日：2017-11-06
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , B23K31/02 , B23K101/40
Abstract: 本发明公开了一种LTCC基板烧结的方法，所述方法包括：将焊片和LTCC基板放入工件的腔体内形成预装组件，之后对预装组件进行预热；其中，焊片的熔点为M，预热的条件包括：预热设为N个递增的温度梯度，分别为C1、C2…Cn，C1为45‑55℃，相邻的两个温度梯度的差值为45‑55℃，且Cn＜M，n为正整数；对预装组件进行烧结，烧结的温度为205‑215℃。解决了在工艺操作过程中，LTCC基板烧结在腔体上时，LTCC基板会出现裂纹，影响产品质量以及可靠性的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107346747B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201710415792.2
申请日：2017-06-05
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种芯片焊接方法，步骤a、垫块正面镀金，背面镀银；步骤b、垫块第一接触面预覆锡，形成第一焊料层；步骤c、将步骤b中的垫块预加热，将芯片放置在第一焊料层上，进行摩擦焊接；步骤d、将步骤c中垫块第二接触面预覆锡，形成第二焊料层；步骤e、在壳体上待安装垫块的焊接区域上预覆锡，形成第三焊料层；步骤f、将步骤e中壳体预加热，待第三焊料层熔化后，将步骤d中垫块放置在第三焊料层上，进行摩擦焊接，使第二焊料层与第三焊料层充分接触，通过第二焊料层和第三焊料层将垫块与壳体连接。本发明尤其适用小批量、多品种研制类产品的应用实现，能够在确保焊接高质量的同时有效降低生产成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN110190372A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910509161.6
申请日：2019-06-13
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开一种宽频带一分六等功率分配器，上层一分六微带线结构附于中间介质基板上表面，底层金属覆铜地板附于中间介质基板下表面；中间介质基板上表面一端设置信号输入端，信号输入端直接连接主路一分二等分功分电路，其两支路的末端均连接一分二不等分功分电路，按2:1功率分成两个支路，将功率小的作为第二信号输出端，功率大的连接一个支路一分二等分功分电路，从而形成第三和第四信号输出端；上层一分六微带线结构关于X轴对称，以依次形成多个信号输出端；每个一分二功分器分成的支路之间均设置有隔离电阻，六个信号输出端均连接一个3dBπ型衰减电路。其结构简单，损耗低，功率分配一致性好，相位一致性好，有效地提高功分器的隔离度性能。
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公开(公告)号：CN109921159A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910193561.0
申请日：2019-03-14
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种上变频器模块结构，其特征在于：包括大腔体，所述大腔体正面设有混频电路板腔体，安装放置第一电路板的第一电路板腔体和安装第二电路板的第二电路板腔体，所述大腔体的背面设有供电电路板腔体。本发明这种上变频器模块结构，结构简单布置合理紧凑，空间占据小，可靠性高，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109687080A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811553199.5
申请日：2018-12-19
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H01P5/08
CPC classification number: H01P5/085
Abstract: 本发明公开了一种小型化超宽带微带-同轴转换的结构单元，该小型化超宽带微带-同轴转换的结构单元包括：上层S形微带线结构、同轴馈电结构和下层S形微带结构，所述上层S形微带线结构和所述下层S形微带结构相同，且相平行设置，所述同轴馈电结构的两端分别连接于所述上层S形微带线结构和所述下层S形微带结构。该小型化超宽带微带-同轴转换的结构单元具有小型化，结构简单，可工作频带宽和损耗低等优势，以期更广泛地应用于小型多层集成电路领域。
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公开(公告)号：CN109600934A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811510360.0
申请日：2018-12-11
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H05K3/34
Abstract: 本发明提供了一种KU波段高增益放大器的制作方法，包括放大器壳体，所述放大器的制作步骤如下：S1：射频电路板烧结---S2：核心元器件烧结---S3：烧结的元器件放大器壳体进行清洗---S4：装配；在步骤S1中，需要进行S11：贴膜---S12：装射频电路板---S13：装绝缘子---S14：烧结装配组件；在步骤S2中，需要进行S21：贴装元器件---S22：烧结贴装组件；在步骤S3中，利用汽相清洗机对烧结元器件的放大器壳体进行清洗；在步骤S4中，需要进行S41：引线互连--S42：接头装配---S43：固定盖板。
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