公开(公告)号：CN114207195B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202080018847.6

申请日：2020-03-03

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  吉田奈都纪 ,  青木一史

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/12

Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种抑制了宏观台阶聚束的形成的SiC衬底的制造方法及其制造装置。本发明的特征在于包括：主体容器(20)，能够收纳SiC衬底(10)，并且通过加热在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压；以及加热炉(30)，收纳所述主体容器(20)并进行加热，使得在内部空间中产生包含Si元素的气相物种的蒸气压并形成温度梯度，其中，所述主体容器(20)具有：蚀刻空间(S1)，在将所述SiC衬底(10)配置在所述温度梯度的高温侧的状态下，使配置在所述温度梯度的低温侧的所述主体容器(20)的一部分和所述SiC衬底(10)相对而形成；以及Si蒸气供给源(25)，能够将Si蒸气供给到所述主体容器(20)内。

公开(公告)号：CN118077034A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202280067421.9

申请日：2022-09-26

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  小岛清

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明所要解决的问题是提供一种提高外延层中的掺杂剂的活化率的新技术。此外，本发明所要解决的问题是提供一种用于抑制外延层中的掺杂剂的活化率的变化的新技术。本发明是一种用于提高外延层(20)中的掺杂剂的活化率的方法，该方法包括在平衡蒸气压环境下在主体层(10)上生长具有掺杂剂的外延层(20)的生长步骤(S10)。

公开(公告)号：CN114174567B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202080018853.1

申请日：2020-03-03

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  吉田奈都纪 ,  青木一史

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  C30B33/02 ,  C30B33/12

Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种制造基底衬底层较薄的SiC衬底并可抑制其变形或破损的SiC衬底的制造方法及其制造装置。本发明的特征在于包括：主体容器(20)，能够收纳SiC基底衬底(10)，并且通过加热在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压；以及加热炉(30)，收纳所述主体容器(20)，并进行加热以使得在内部空间中产生包含Si元素的气相物种的蒸气压和形成温度梯度。其中，所述主体容器(20)具有在所述SiC基底衬底(10)的一面形成生长层(11)的生长空间(S1)和对所述SiC基底衬底(10)的另一面进行蚀刻的蚀刻空间(S2)。

公开(公告)号：CN116391064A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202180069677.9

申请日：2021-10-27

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  堂岛大地

IPC: C30B29/36

Abstract: 本发明要解决的问题在于提供一种适合于大口径的SiC衬底的评价的新颖的评价方法。本发明是一种SiC衬底的评价方法，其特征在于，包括以相对于SiC衬底(10)的{0001}面的法线N倾斜的入射角度θ入射电子射线PE来取得图像I的图像取得步骤，所述入射角度θ为10°以下。

公开(公告)号：CN114375351A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202080055201.5

申请日：2020-08-05

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/02 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现高品质的SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭的新颖技术。本发明是一种SiC衬底(11)的制造方法，其具有对SiC原衬底(10)进行热处理的热处理步骤(S1)，热处理步骤(S1)包括下述(a)、(b)、(c)步骤中的两个以上的步骤：(a)去除SiC原衬底(10)的应变层(101)的应变层去除步骤(S11)；(b)去除SiC原衬底(10)上的宏观台阶聚束(MSB)的聚束去除步骤(S12)；(c)在SiC原衬底(10)上形成减少了基底面位错(BPD)的生长层(105)的基底面位错减少步骤(S13)。

公开(公告)号：CN114342045A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080055175.6

申请日：2020-08-05

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  小岛清

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/78 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12

Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种新颖的SiC衬底的制造方法。根据本发明的SiC衬底的制造方法的特征在于包括：蚀刻步骤(S10)，蚀刻SiC原衬底(10)；晶体生长步骤(S20)，在SiC原衬底(10)上使SiC衬底层(13)生长来获得SiC衬底体(20)；以及剥离步骤(S30)，剥离SiC衬底体(20)的一部分来获得SiC衬底(30)，蚀刻步骤(S10)和晶体生长步骤(S20)是将SiC原衬底(10)和SiC材料(40)对置并进行加热使得在SiC原衬底(10)和SiC材料(40)之间形成温度梯度的步骤。

公开(公告)号：CN114174570A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080024455.0

申请日：2020-03-25

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种在同一装置系统中进行半导体衬底的蚀刻和生长的方法及其装置。一种半导体衬底的制造方法包括：第一加热步骤，对收纳有半导体衬底和与所述半导体衬底相互输送原子的收发体的热处理空间进行加热，以在所述半导体衬底和所述收发体之间形成温度梯度；以及第二加热步骤，使所述温度梯度高低反转来进行加热。

公开(公告)号：CN114144644A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080030893.8

申请日：2020-04-24

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  堂岛大地 ,  芦田晃嗣 ,  井原知也

IPC: G01K3/14 ,  G01K13/12 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明的目的是提供一种新颖的温度分布评价方法、温度分布评价装置以及均热范围的评价方法，所述温度分布评价方法对加热装置(40)所具备的加热区域(40A)的温度分布进行评价，其中，在所述加热区域(40A)中对半导体衬底(10)和用于与该半导体衬底(10)相互输送原料的收发体(20)进行加热，基于所述半导体衬底(10)的衬底厚度变化量(A)评价所述加热区域(40A)的温度分布。由此，可以实现由于热电偶的材料限制而难以实现的1600至2200℃等的高温度区域的温度分布评价。

公开(公告)号：CN113227465A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980072577.4

申请日：2019-11-05

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  芦田晃嗣 ,  井原知也 ,  堂岛大地

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够降低生长层中的基面位错(BPD)的密度的SiC半导体衬底及其制造方法及其制造装置。其特征在于包括：应变层去除步骤(S10)，用于去除导入到SiC衬底(10)的表面的应变层(11)；和外延生长步骤(S20)，用于在使SiC衬底(10)的平台宽度W增大的条件下进行生长。通过以这样的步骤制造SiC半导体衬底(14)，可以减少生长层(13)中的基面位错BPD，并且可以提高SiC半导体装置的成品率。

公开(公告)号：CN114293247B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202111338480.9

申请日：2017-04-27

Applicant: 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 金子忠昭 ,  久津间保德 ,  芦田晃嗣 ,  桥本辽

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  C30B25/08 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B25/10 ,  H01L21/02

Abstract: 在由包含TaC的材料组成的TaC容器(2)内收容由包含多晶SiC的材料组成的SiC容器(3)，且在将衬底基板(40)收容在该SiC容器(3)内部的状态下，以该TaC容器(2)内成为Si蒸气压力的方式且以产生温度梯度的环境加热TaC容器(2)。其结果，通过因SiC容器(3)的内表面被蚀刻而升华的C原子和环境中的Si原子键合，在衬底基板(40)上生长单晶3C‑SiC的外延层(41)。