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公开(公告)号：CN119485887A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411661740.X
申请日：2024-11-20
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及远程等离子体源的起辉方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：获取真空计反馈的实时压力值，当满足预设的真空条件时，控制远程等离子体源开始工作，并控制蝶阀以预设的初始开度开启；获取质谱仪反馈的实时扫描参数，基于实时扫描参数确认实时离化率；根据实时离化率调整蝶阀的开度，以调整进入工艺系统的气体流量，直至起辉成功；本申请公开的起辉方法，可根据实时离化率实时调整蝶阀的开度，以实时调整进入气源的进气量，为等离子体的生成创造理想的环境，且保证了气体流量的精确控制，从而提高了起辉的成功率和效率，整个过程无需人工干预，大大减少了操作复杂性，提升了工艺的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN118961049B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411447309.5
申请日：2024-10-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于电路测量的技术领域，公开了一种真空计电容传感器的测量电路，该测量电路包括：依次连接的二极管双T型交流电桥电路、多级放大电路、后置滤波电路和ADC采样电路；当被测腔体内的气体压力没有发生变化时，二极管双T型交流电桥电路处于平衡状态，二极管双T型交流电桥电路中无直流电信号产生；当被测腔体内的气体压力发生变化时，二极管双T型交流电桥电路处于不平衡状态，二极管双T型交流电桥电路根据气体压力变化量产生对应的直流电信号；通过测量电路中的二极管双T型交流电桥电路，对被测腔体内的气体压力变化量进行测量，提高了真空计电容传感器的测量电路的测量精度。
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公开(公告)号：CN115821218B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202211662102.0
申请日：2022-12-23
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种镀膜设备及镀膜方法,通过磁过滤器对由等离子体发生器生成的靶材等离子体射流进行呈电中性的粒子团簇的过滤处理后，由偏转通道的第一电极板吸附带负电的电子，通过正对偏转通道出口的第三电极板吸附由于惯性而撞向第三电极板的带负电的粒子团簇，并由位于偏转通道出口上方的一侧的第四电极板使带正电的离子转向并加速射入镀膜室以对被镀工件进行镀膜，由于沉积在被镀工件的表面上均是带正电的离子（避免了粒子团簇对镀膜的影响），从而提高镀膜质量。
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公开(公告)号：CN118961049A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411447309.5
申请日：2024-10-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于电路测量的技术领域，公开了一种真空计电容传感器的测量电路，该测量电路包括：依次连接的二极管双T型交流电桥电路、多级放大电路、后置滤波电路和ADC采样电路；当被测腔体内的气体压力没有发生变化时，二极管双T型交流电桥电路处于平衡状态，二极管双T型交流电桥电路中无直流电信号产生；当被测腔体内的气体压力发生变化时，二极管双T型交流电桥电路处于不平衡状态，二极管双T型交流电桥电路根据气体压力变化量产生对应的直流电信号；通过测量电路中的二极管双T型交流电桥电路，对被测腔体内的气体压力变化量进行测量，提高了真空计电容传感器的测量电路的测量精度。
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公开(公告)号：CN118296853B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410681168.7
申请日：2024-05-29
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G16C10/00 , G16C60/00 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种半透明材料激光烧蚀模拟方法及相关设备，该方法包括：获取内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型，设置半透明相变材料模型的第一材料参数和杂质模型的第二材料参数，根据激光衰减特征以及半透明相变材料和杂质材料的传热特征和受热膨胀特征，设置耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场，基于上述数据，对内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118296853A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410681168.7
申请日：2024-05-29
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G16C10/00 , G16C60/00 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种半透明材料激光烧蚀模拟方法及相关设备，该方法包括：获取内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型，设置半透明相变材料模型的第一材料参数和杂质模型的第二材料参数，根据激光衰减特征以及半透明相变材料和杂质材料的传热特征和受热膨胀特征，设置耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场，基于上述数据，对内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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公开(公告)号：CN116380339B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310669384.5
申请日：2023-06-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及薄膜规真空计校准技术领域，公开了一种薄膜规真空计校准方法及相关设备，薄膜规真空计校准方法包括：调节所述测试腔体的压力以获取所述标准薄膜规真空计的第一测量数据和所述待测薄膜规真空计的第二测量数据，用于生成训练数据集；根据所述训练数据集，基于梯度下降算法训练增益系数模型；根据所述增益系数模型对所述待测薄膜规真空计实测的第三测量数据进行校准；可有效消除薄膜规真空计产生的误差，使薄膜规真空计测量数据更加准确可靠，且不需要人工校准，实现全自动校准，从而有利于提高校准效率。
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公开(公告)号：CN115821218A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211662102.0
申请日：2022-12-23
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种镀膜设备及镀膜方法,通过磁过滤器对由等离子体发生器生成的靶材等离子体射流进行呈电中性的粒子团簇的过滤处理后，由偏转通道的第一电极板吸附带负电的电子，通过正对偏转通道出口的第三电极板吸附由于惯性而撞向第三电极板的带负电的粒子团簇，并由位于偏转通道出口上方的一侧的第四电极板使带正电的离子转向并加速射入镀膜室以对被镀工件进行镀膜，由于沉积在被镀工件的表面上均是带正电的离子（避免了粒子团簇对镀膜的影响），从而提高镀膜质量。
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公开(公告)号：CN115219103B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211145367.3
申请日：2022-09-20
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，该制作方法包括以下步骤:制作芯轴组件，芯轴组件包括由上到下依次连接的固定电极、上支撑板、感应电极、膜片和下支撑板，感应电极与膜片在周向上凸出于上支撑板与下支撑板，上支撑板的上表面安装有上支撑杆，下支撑板的下表面安装有下支撑杆；利用气相沉积反应在芯轴组件外生成外壳；冷却芯轴组件以及外壳，并拆除上支撑杆和下支撑杆；向外壳内通入氧化气体并加热氧化以消除上支撑板和下支撑板，通过将电容薄膜真空计传感器外壳一体式加工成型，减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力，从而保证陶瓷薄膜硅的性能。
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公开(公告)号：CN114964613B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210917065.7
申请日：2022-08-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种可张紧感应膜片的电容薄膜真空计,其包括：腔体底板、外壳、感应膜片和张紧组件，所述外壳的下端与所述腔体底板连接以压紧所述感应膜片的边沿，所述感应膜片与所述腔体底板围成测量室，并与所述外壳围成参考腔，所述腔体底板与所述感应膜片的接触处设置有第一环槽，所述张紧组件设置在所述参考腔内，所述张紧组件用于把所述感应膜片覆盖所述第一环槽的部分压入所述第一环槽以张紧所述感应膜片，且所述张紧组件把所述感应膜片压入所述第一环槽的压入深度可调；可对感应膜片进行多次张紧，提高真空计的测量精度和使用寿命。
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