摄像装置、半导体装置及摄像单元

    公开(公告)号:CN104364894B

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201380028669.5

    申请日:2013-04-04

    Abstract: 摄像装置(10)包括:摄像芯片(30),其在第1主面(30SA)上具有受光部(31)和形成于受光部(31)的周围的电极焊盘(32),在第2主面(30SB)上具有借助贯穿布线(33)与电极焊盘(32)相连接的外部连接电极(34);透明的玻璃盖片(20),其俯视尺寸大于所述摄像芯片(30)的俯视尺寸;透明的粘接层(41),其用于粘接所述摄像芯片(30)的第1主面(30SA)与玻璃盖片(20)之间;以及密封构件(42),其覆盖所述摄像芯片(30)的侧面和粘接层(41)的侧面,并由与玻璃盖片(20)的俯视尺寸相同的俯视尺寸的绝缘材料构成。

    摄像单元、内窥镜以及摄像单元的制造方法

    公开(公告)号:CN106999023B

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201580064940.X

    申请日:2015-11-05

    Abstract: 提供能够在谋求小型化的同时防止层叠基板折断的摄像单元、内窥镜以及摄像单元的制造方法。本发明的摄像单元的特征在于,包括:固体摄像元件;挠性基板,其向与所述固体摄像元件的所述受光面相对的面侧伸出;以及层叠基板,其连接于所述挠性基板的与所述固体摄像元件相连接的一侧的面,该层叠基板安装有多个电子部件,所述层叠基板在与所述挠性基板相连接的连接面的、比与所述挠性基板连接的连接部靠基端侧的位置具有凹部,该凹部安装有所述多个电子部件中的至少1个电子部件,所述凹部的自所述连接面的深度小于安装于所述凹部的电子部件的高度,并且所述安装的电子部件不突出到所述挠性基板的与同所述层叠基板连接的连接面相对的面侧。

    胶囊型医疗装置
    36.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103702603B

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:CN201280036178.0

    申请日:2012-05-23

    Abstract: 胶囊型内窥镜(10)在由圆筒形的主体部(12)和两个半球状的端部罩部(13A、13B)构成的、相对于中心轴线(O)呈旋转对称形状的胶囊型的壳体(11)的内部以摄像基板部、发送基板部以及接收基板部的各个主面与上述中心轴线正交的方式收容有该摄像基板部、发送基板部以及接收基板部,各个主面与中心轴线(O)正交的、由发送线圈布线构成的发送线圈(40)和由接收线圈布线构成的接收线圈(50)中的、至少任一线圈布线配置在壳体(11)的端部罩部(13A、13B)侧。

    胶囊型内窥镜
    37.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103702602B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201280035836.4

    申请日:2012-05-16

    Abstract: 一种胶囊型内窥镜(10),在壳体(11)的内部,通过分别借助连接部(27)将多个基板部(21)~基板部(26)配置成一列而成的电路板(20)在多个连接部(27)处弯折180度,多个基板部(21)~基板部(26)配置为各基板部主面与壳体(11)的中心轴线(O)正交,该胶囊型内窥镜(10)包括:振子部(22C);第1摄像芯片(22A),其借助两条信号线而与振子部(22C)相连接并产生时钟信号,并且根据所产生的时钟信号获取第1图像数据;第2摄像芯片(25A),其根据从第1摄像芯片(22A)利用一条信号线发送的时钟信号获取第2图像数据;以及发送部(23A),其用于无线发送第1图像数据和第2图像数据。

    摄像装置的制造方法以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN104364898A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201380028280.0

    申请日:2013-04-04

    Abstract: 摄像装置(10)的制造方法包括:切断在第1主面(30SA)形成有受光部(31)和电极焊盘(32)的摄像芯片基板(30W)而制作多个摄像芯片(30)的工序;将摄像芯片(30)粘接于玻璃晶圆(20W)而制作接合晶圆(40W)的工序;利用密封构件(42)将多个摄像芯片(30)之间填充的工序;将接合晶圆(40W)从第2主面(30SB)侧加工而减薄厚度的工序;在摄像芯片(30)上形成贯穿通路(33S)的工序;形成覆盖摄像芯片(30)的第2主面(30SB)、密封构件(42)的表面以及贯穿通路(33S)的壁面的绝缘层(43)的工序;形成贯穿布线(33)的工序;在第2主面(30SB)上形成与贯穿布线(33)连接的外部连接电极(34)的工序;以及切断接合晶圆(40W)的工序。

Patent Agency Ranking