-
公开(公告)号：CN101997268A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010261391.4
申请日：2010-08-23
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/16152 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0217 , H01S5/02212 , H01S5/028 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3407 , H01S2304/04 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置。提供一种能够提高发光效率的氮化物半导体元件。该氮化物半导体激光元件(氮化物半导体元件)具备：具有生长主面的GaN基板、在该GaN基板的生长主面上形成且具有包含阱层和势垒层的量子阱结构的有源层，所述生长主面由相对m面在a轴方向具有倾斜角的面构成，势垒层由包含Al的氮化物半导体即AlGaN构成。
-
公开(公告)号：CN101950920A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010294325.7
申请日：2008-06-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括光吸收膜(5)，其形成在用在激光器装置中的典型地为激光器芯片(1)的激光器芯片的发光侧的端部表面的最外表面上，并且该光吸收膜吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜(5)，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。
-
-
公开(公告)号：CN101867149A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010143281.8
申请日：2010-03-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01S5/0425 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光装置的制造方法。该方法包括步骤：在具有非极性面或半极性面的氮化物半导体衬底中形成凹进区域；以及在氮化物半导体衬底上设置氮化物半导体薄膜，其中该氮化物半导体薄膜包扩n型氮化物半导体薄膜、有源层和p型氮化物半导体薄膜。p型氮化物半导体薄膜在高于或等于700℃且低于900℃的生长温度下生长。
-
公开(公告)号：CN101453098B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200810178899.0
申请日：2008-12-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/2201 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种发光元件及其制造方法。在使用具有六方晶体结构的氮化物半导体的激光芯片1中，-c面被用作第一谐振器端面A，其为通过其光被发射得激光芯片1侧。在第一谐振器端面A上，也就是在-c面上，形成端面保护膜14。这确保在第一谐振器端面A和端面保护膜14之间稳固地接合，并减轻第一谐振器端面A的退化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101794965A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010003506.X
申请日：2007-04-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/028 , H01S5/221 , H01S5/2231
Abstract: 本发明公开一种氮化物半导体发光元件以及该氮化物半导体发光元件的制造方法，是在光出射部上依次形成涂层膜和反射率调整膜的半导体发光元件，其中，光出射部由氮氧化物半导体构成，涂层膜由铝的氧化物膜或铝的氮化物膜构成，反射率调整膜由氧化物膜构成。
-
公开(公告)号：CN101471536A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810190673.2
申请日：2008-12-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S5/34333
Abstract: 提供了一种氮化物半导体激光器芯片及其制造方法，该氮化物半导体激光器芯片既可以改善其COD水平，也可以防止其I－L特性曲线陡峭上升并可以降低工作电压。该氮化物半导体激光器芯片包括：构成氮化物半导体层并形成在n型GaN衬底上的层；镜面，包括光发射镜面和光反射镜面；p侧欧姆接触，形成在上接触层上以到达镜面；和p侧垫接触，形成在离光发射镜面为距离L1的区域中。调节p侧欧姆接触的厚度d和p侧垫接触到光发射镜面的距离L1，使得注入至光发射镜面的电流量是注入至在p侧垫接触正下方的区域的电流量的20％以上且70％以下。
-
公开(公告)号：CN101383481A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810004011.1
申请日：2006-08-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 对具有氮化物半导体层的衬底解理，以形成谐振器端面，在所述谐振器端面上形成涂覆膜，从而制成氮化物半导体激光棒。将其划分为氮化物半导体激光元件。在谐振器端面形成涂覆膜之前，将谐振器端面暴露于由含有氮气的气体生成的等离子体气氛中。当以“a”表示所述暴露之前所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“b”表示在所述暴露之前自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值，以“d”表示在暴露于所述等离子体气氛之后所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“e”表示在所述暴露之后自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值时，将由g＝(b·d)/(a·e)表示的值“g”设为满足g≥0.8的值。
-
公开(公告)号：CN101340057A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810127288.3
申请日：2008-07-03
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 神川刚
CPC classification number: H01S5/32341
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法。该氮化物半导体发光器件包括作为氮化物半导体衬底的n型GaN衬底(101)、形成在该n型GaN衬底(101)上的包括p型氮化物半导体层的氮化物半导体层。该p型氮化物半导体层包括p型AlGaInN接触层(108)、在该p型AlGaInN接触层(108)之下的p型AlGaInN包层(107)、以及p型AlGaInN层(106)。由硅氮化物膜制成的保护膜(113)形成在形成于p型氮化物半导体层中的电流注入区上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
114
records
(took 0.058 seconds)
