双通道解耦且具有强抗偏移能力的磁耦合器及设计方法

    公开(公告)号:CN118157339A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410346508.0

    申请日:2024-03-25

    IPC分类号: H02J50/10 H02J50/90

    摘要: 本发明涉及无线电能传输技术领域,公开了一种双通道解耦且具有强抗偏移能力的磁耦合器及设计方法,磁耦合器包括:相互解耦的第一通道和第二通道,第一通道包括一组田字型线圈,第二通道包括一组平面方形线圈,其中,一组田字型线圈包括一个设置在发射端的田字型线圈以及一个设置在接收端的田字型线圈,一组平面方形线圈包括一个设置在发射端的平面方形线圈以及一个设置在接收端的平面方形线圈,两个平面方形线圈设置在两个田字型线圈之间,田字型线圈包括四个依次串联的绕组且每个相邻绕组流过的电流的方向相反,本发明实施例可以实现在偏移工况下两通道具有相似的偏移特性,保证两通道解耦且具有强抗偏移能力。