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公开(公告)号：CN113699482A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110988627.2
申请日：2021-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/35 , F24S70/225
Abstract: 本发明提供了一种可用于800℃及以上的准光学微腔基选择性吸收涂层，其由下至上依次包括红外反射层、准光学微腔吸收体和光学减反层，所述光学减反层包括Al2O3减反层、SiO2减反层中的至少一种；所述准光学微腔吸收体从下到上依次包括第一准光学微腔选择性吸收层、超高温陶瓷材料层、第二准光学微腔选择性吸收层；所述第一准光学微腔选择性吸收层和第二准光学微腔选择性吸收层为超高温陶瓷材料‑Al2O3或SiO2复合材料；所述红外反射层的材质为超高温陶瓷材料；所述超高温陶瓷材料为碳化物、氮化物、硼化物中的至少一种。采用本发明的技术方案具有高光谱选择性；而且具有高温热稳定性。
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公开(公告)号：CN112018228A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010883436.5
申请日：2020-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，涉及一种低热导率双half-Heusler合金热电材料及其制备方法，具体涉及一种低热导率的Sc0.5-xMxNb0.5-yNyNiSn(0≤x≤0.2，0≤y＜0.5)基双half-Heusler热电材料及其制备方法，材料设计理念是由假想的17电子ScNiSn及19电子NbNiSn基half-Heusler化合物复合而成，其中，M为掺杂元素Nb、Ti、Zr、Hf其中的一种或几种，N为合金化元素V、Ta中的一种或两种。本发明通过悬浮熔炼法制备出Sc0.5-xMxNb0.5-yNyNiSn基双half-Heusler热电材料。这是一种具有本征低晶格热导率的新型half-Heusler热电材料，丰富了中高温区热电材料体系；同时，该材料可以通过在Sc和Nb位分别掺杂Zr，实现同一基底材料的n型和p型两种半导体态，对于热电器件应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109267143A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810823907.6
申请日：2018-07-25
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: C25F3/16
Abstract: 本发明提供了一种自动控制电流、电压及时间的化学抛光设备，包括电流-电压传感器、电压控制器、计算机、电源和电解槽，所述电解槽内设有电解液、阴极和作为阳极的工件，所述阴极和工件分别置于所述电解液中并对应设置，所述工件与所述电源的阳极连接，所述电源的阴极串联所述电流-电压传感器、电压控制器后与所述阴极连接，所述电流-电压传感器的输出端与所述计算机连接。本发明还提供了一种自动控制电流、电压及时间的化学抛光方法。本发明的有益效果是：通过逐渐升高电压，实时监测“电流-电压曲线”，捕捉理想的抛光电压和电流。
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公开(公告)号：CN115747740A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211439359.X
申请日：2022-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及基于Ge2Sb2Te5的红外隐身与辐射散热薄膜及其制备方法。本发明的红外隐身与辐射调控选择性发射薄膜材料为Ni和Ge2Sb2Te5，衬底为高纯硅片。选择性发射薄膜包含为Ni/晶态Ge2Sb2Te5/Ni/非晶态Ge2Sb2Te5四层结构，中间层晶态Ge2Sb2Te5通过沉积后退火得到。该结构可同时实现在3‑5、8‑13μm的“大气窗口”区间低发射，和在窗口外5‑8μm的高发射，同时实现了隐身和散热的双功能效果。
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公开(公告)号：CN112018228B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202010883436.5
申请日：2020-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，涉及一种低热导率双half‑Heusler合金热电材料及其制备方法，具体涉及一种低热导率的Sc0.5‑xMxNb0.5‑yNyNiSn(0≤x≤0.2，0≤y＜0.5)基双half‑Heusler热电材料及其制备方法，材料设计理念是由假想的17电子ScNiSn及19电子NbNiSn基half‑Heusler化合物复合而成，其中，M为掺杂元素Nb、Ti、Zr、Hf其中的一种或几种，N为合金化元素V、Ta中的一种或两种。本发明通过悬浮熔炼法制备出Sc0.5‑xMxNb0.5‑yNyNiSn基双half‑Heusler热电材料。这是一种具有本征低晶格热导率的新型half‑Heusler热电材料，丰富了中高温区热电材料体系；同时，该材料可以通过在Sc和Nb位分别掺杂Zr，实现同一基底材料的n型和p型两种半导体态，对于热电器件应用具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111987181B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202010893234.9
申请日：2020-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: H01L31/055 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于一维光子晶体异质结构的太阳光谱分光‑吸热薄膜，其包括吸收涂层和一维光子晶体异质结构分光器，所述一维光子晶体异质结构分光器位于吸收涂层上；所述吸收涂层包括金属陶瓷层，所述一维光子晶体异质结构分光器为基于Si/SiO2光子晶体的异质结构多层膜。采用本发明的技术方案，可以有效地将太阳光谱分谱成一个光伏应用波段和两个光热应用波段，其中光伏波段的太阳能量用于光伏发电，光热波段的太阳能量用于集热发电，为全光谱太阳能的综合利用提供器件基础；可以在不用增加一维光子晶体重复单元的前提下，有效增加光伏应用波段的反射率，同时抑制两个光热波段反射率的提高。
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公开(公告)号：CN109651853B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201811472503.3
申请日：2018-12-04
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种高温空气中稳定的MoSi2‑SiO2复合物光热涂层及其制备方法。所述方法采用二氧化硅溶胶与MoSi2粉末混合，形成黑色悬浊液后旋涂于载体上，干燥后得到复合层，再将步骤(2)制得的二氧化硅溶胶旋涂于复合层上形成减反层，得到复合物光热涂层。本发明提出的涂层具有高温稳定性好，制备过程简便，成本低廉，适宜规模化生产等诸多优势。同时还有较高的太阳能吸收率。具有重要的实用价值。同时该涂层的制备方法具有普适性，可以制备不同填充材料的功能性涂层。
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公开(公告)号：CN111987181A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010893234.9
申请日：2020-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: H01L31/055 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于一维光子晶体异质结构的太阳光谱分光-吸热薄膜，其包括吸收涂层和一维光子晶体异质结构分光器，所述一维光子晶体异质结构分光器位于吸收涂层上；所述吸收涂层包括金属陶瓷层，所述一维光子晶体异质结构分光器为基于Si/SiO2光子晶体的异质结构多层膜。采用本发明的技术方案，可以有效地将太阳光谱分谱成一个光伏应用波段和两个光热应用波段，其中光伏波段的太阳能量用于光伏发电，光热波段的太阳能量用于集热发电，为全光谱太阳能的综合利用提供器件基础；可以在不用增加一维光子晶体重复单元的前提下，有效增加光伏应用波段的反射率，同时抑制两个光热波段反射率的提高。
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公开(公告)号：CN109536821B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201811387468.5
申请日：2018-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种铕锌锑基Zintl相热电材料及其制备方法，所述铕锌锑基Zintl相热电材料的化学组成为Eu2Zn1‑xSb2，其中x满足0≤x≤0.1。与已经报道过的1‑2‑2型铕锌锑化合物相比，本发明公开的一种新的Eu、Zn、Sb三元化合物热电材料具有完全不同的晶体结构，该结构的化合物具有极低的晶格热导率以及较高的载流子迁移率，可以通过调节Zn空位可以有效改善材料的电输运性质，抑制双极扩散，提高材料的热电性能。
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