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公开(公告)号：CN109712873A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910110168.0
申请日：2019-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/04 , H01L23/552
Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的MOS场效应管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服MOS型器件易受总剂量辐射损伤导致MOS型器件抗辐照能力低下的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，并向MOS场效应管的栅极氧化层注入离子。本发明通过离子注入的方式，在MOS场效应管的栅极氧化层内人为地引入缺陷陷阱，可以对由总剂量辐射效应造成的电子空穴对产生复合作用，并对器件内部由于总剂量辐射缺陷所产生的电场产生补偿作用，从而提高MOS场效应管的抗辐照能力。能大幅度降低总剂量辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态影响，可以增强MOS器件的抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN106095610A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610393856.9
申请日：2016-06-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F11/10
CPC classification number: G06F11/1076
Abstract: 一种保护32位存储器数据的低冗余正交拉丁码扩展方法，本发明涉及低冗余正交拉丁码扩展方法。本发明是要解决现有存储器容错技术需要耗费较多的冗余位及较大的硬件开销，严重影响存储器性能的问题，而提出的一种保护32位存储器数据的低冗余正交拉丁码扩展方法。该方法是通过一、总结正交拉丁码奇偶校验矩阵H的构造规则；二、构成新的H’矩阵；步骤三、根据步骤二扩展得到的H’矩阵，通过对32位数据位编码，获得相应的码字C；步骤四、采用大数逻辑译码算法纠正错误将步骤三得到的码字C中出现的1～t位的随机错误所对应的码字C’译出正确的数据douta等步骤实现的。本发明应用于低冗余正交拉丁码扩展领域。
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公开(公告)号：CN118095182A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410177294.9
申请日：2024-02-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/373 , G06N3/0455 , G06N3/086 , G06N3/0985 , G06F119/02
Abstract: 一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法，属于功率MOSFET可靠性建模技术领域，本发明为解决现有采用深度学习模型对功率器件进行可靠性预测中存在手动调整模型超参数，导致工作效率低的问题。它包括：S1、采集传感器的数据作为初始数据，对初始数据进行数据处理；S2、采用遗传算法对Transformer模型的超参数进行优化，构建GA‑Transformer模型；S3、将S1获取的数据输送至S2获取的GA‑Transformer模型中，依据性能指标评估预测的准确性，并对剩余使用寿命RUL进行预测，输出可靠性预测结果。本发明用于功率MOSFET可靠性预测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114221621A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111546474.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02S50/15
Abstract: 本发明公开了一种基于低温辐照试验装置的太阳电池低温原位辐射试验方法，通过在恒温真空舱内搭建低温测试台的方式来实现太阳电池的低温辐照同步测量和原位表征。本发明低温辐照试验装置通过无油分子泵抽真空来模拟太空真空环境，同时保护了器件不受空气中的水汽影响；通过风冷压缩机降温来模拟太空低温环境；通过电子加速器发出的电子来模拟太空中的电子辐照；使用太阳模拟器发射光源进行光特性测试，从而为太阳电池空间可靠性的测试提供了低温、低光强、辐照的试验条件。
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公开(公告)号：CN112946396A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110166149.7
申请日：2021-02-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种低温辐照综合试验装置及试验方法，涉及一种采用低温辐照同步进行的半导体器件测试技术，为了解决现有仪器设备不能实现对半导体器件低温与电子辐照同时测试的问题。本发明的恒温真空仓横向水平放置，高频高压电子加速器位于光学窗口的正上方，并用于产生、加速电子，电子竖直向下运动，屏蔽箱的一侧与恒温真空仓的尾部相连通；风冷压缩机用于降低恒温真空仓内的温度，温度控制仪用于调节恒温真空仓内的温度；无油分子泵用于将恒温真空仓抽成真空；PCB板以覆盖的方式固定在该连接口处；待测器件放置于恒温真空仓的头部内，并通过螺丝钉进行固定，待测器件的引脚通过杜邦线与PCB板的引线相连。有益效果为实现了低温和电子辐照的同步测量。
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公开(公告)号：CN110459650A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910776387.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/265
Abstract: 基于深层离子注入方式的倒置三结太阳电池抗位移辐照加固方法，属于微电子技术领域，本发明为解决现有空间带电粒子会在太阳电池内部产生位移辐射损伤，在太阳电池内部产生空位、间隙原子等缺陷，从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒置三结太阳电池的InGaAs有源区模拟注入离子，改变注入离子量，模拟注入离子的I-V特性，获取模拟注入离子后的I-V特性与未注入离子的I-V特性的变化量小于10％时的注入离子量，计算注入离子机的电压和离子束电流，设置注入离子时间，对倒置三结太阳电池进行离子注入，通过离子注入的方式引入缺陷陷阱，对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用。用于提高倒置三结太阳电池抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN106383303A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610751802.5
申请日：2016-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/28
CPC classification number: G01R31/287
Abstract: 本发明涉及一种基于观察点与并行的故障注入模拟方法及装置，属于集成电路故障注入模拟方法领域，为了解决现有技术的故障注入模拟方法使用单一观察点、单进程，导致模拟时间过长的缺点，进而提供了一种基于观察点与并行的故障注入模拟方法，包括：从目标电路描述代码获得测试数据；设置故障注入参数；针对测试数据设置预设个观察点，使用并行方式进行故障注入，并生成输出文件；在每段的故障注入后，在下一个观察点检测所述目标电路是否正常运行，若是，则进行下一段注入，若否，则回到上一个观察点开始下一段故障注入；分析所述输出文件，得到故障分析结果。本发明还包括一种基于观察点与并行的故障注入模拟装置。本发明适用于集成电路抗辐射性能评估。
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公开(公告)号：CN105448327A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510786303.5
申请日：2015-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C11/413 , G11C11/419
CPC classification number: G11C11/413 , G11C11/419
Abstract: 抗多节点翻转的存储单元，涉及集成电路技术领域。为了解决现有存储单元在辐射环境下不具备抵抗单粒子多节点翻转的能力，从而引起存储单元的存储状态改变的问题。该存储单元包括一号PMOS晶体管、二号PMOS晶体管、三号PMOS晶体管、四号PMOS晶体管、一号NMOS晶体管、二号NMOS晶体管、三号NMOS晶体管、四号NMOS晶体管、五号NMOS晶体管、六号NMOS晶体管、七号NMOS晶体管、八号NMOS晶体管，字线WL、位线BL和位线BLN。本发明所述的存储单元能够抵抗单粒子单一节点的翻转和单粒子多节点的翻转，防止SEU效应改变存储单元的存储状态，提高了系统的可靠性。适用于集成电路中。
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