一种基于带电粒子辐照产生级联及点缺陷的方法

    公开(公告)号:CN106483061A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201610911410.0

    申请日:2016-10-19

    CPC classification number: G01N17/00

    Abstract: 一种基于带电粒子辐照产生级联及点缺陷的方法,涉及空间环境效应领域,为了满足对位移损伤效应的研究需求。该方法为:选取带电粒子;计算带电粒子所产生的单位时间位移损伤吸收剂量D;根据 计算D'(E),D'(E)为一个能量为E的带电粒子所产生的位移损伤吸收剂量,为注量率;选取D'(E)大于位移缺陷产生阈值的有效带电粒子;在有效带电粒子中选取D小于点缺陷阈值的带电粒子作为辐照源,用于产生点缺陷;在有效带电粒子中选取D大于级联缺陷阈值的带电粒子作为辐照源,用于产生点缺陷和级联缺陷。本发明适用于产生级联及点缺陷。

    宇航用脂肪族聚合物绝缘材料的空间辐照效应等效性评价方法

    公开(公告)号:CN106404651A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201610911382.2

    申请日:2016-10-19

    CPC classification number: G01N17/00

    Abstract: 宇航用脂肪族聚合物绝缘材料的空间辐照效应等效性评价方法,涉及粒子辐射环境用脂肪族聚合物绝缘材料不同辐照源位移辐照效应的等效性评价方法。解决了现有的宇航用脂肪族聚合物空间辐照效应评价方法,评价误差大的问题。计算各辐射源在待测材料样品中的LET值、电离吸收剂量及射程;根据各辐射源在待测材料样品中的射程,确定待测材料样品的厚度,使每种辐射源对应一块待测材料样品进行辐照试验,使各辐射源的辐照粒子完全穿透所对应的待测材料样品的厚度;辐照后,制定各辐射源在辐照条件下微观结构分析获得的各物理量与电离吸收剂量关系曲线,及性能测试获得的各物理量与电离吸收剂量的关系曲线。本方法用于对脂肪族聚合物绝缘材料进行评价。

    双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法

    公开(公告)号:CN106353344A

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201610911408.3

    申请日:2016-10-19

    Abstract: 双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法,属于双极型器件辐射损伤缺陷辨别技术领域。所述方法包括:利用深能级瞬态谱仪对双极型器件的敏感区进行测试,在测试过程中,通过单一改变反偏电压、填充电压、测试周期或脉冲宽度,获取温度扫描测试曲线,根据温度扫描测试曲线中的信号峰,确定该双极型器件为位移缺陷或电离缺陷。在电离辐射损伤条件下,针对器件的各个敏感区进行深能级瞬态谱仪DLTS测试,利用本发明的方法在DLTS测试过程中可准确辨别位移缺陷及电离缺陷,并能定量分析测试氧化物电荷和界面态,大大减少测量双极晶体管氧化物俘获正电荷与界面态的难度。

    基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法

    公开(公告)号:CN103884945B

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201410136016.5

    申请日:2014-04-04

    Abstract: 基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法,涉及电子技术领域。它是为了解决低剂量率增强试验的测试时间长,导致过剩基极电流和电流增益产生较大的影响的问题。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单,易于操作。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单,易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低低剂量率增强效应试验的时间与费用,同比降低了15%以上,也可为优化双极晶体管和电路抗辐照性能提供必要依据,减小过剩基极电流和电流增益产生的影响,同比减小了15%,对电子元器件的低剂量率增强效应测试和研究具有重大的意义。本发明适用于电子技术领域。

    一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法

    公开(公告)号:CN118095182A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410177294.9

    申请日:2024-02-08

    Abstract: 一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法,属于功率MOSFET可靠性建模技术领域,本发明为解决现有采用深度学习模型对功率器件进行可靠性预测中存在手动调整模型超参数,导致工作效率低的问题。它包括:S1、采集传感器的数据作为初始数据,对初始数据进行数据处理;S2、采用遗传算法对Transformer模型的超参数进行优化,构建GA‑Transformer模型;S3、将S1获取的数据输送至S2获取的GA‑Transformer模型中,依据性能指标评估预测的准确性,并对剩余使用寿命RUL进行预测,输出可靠性预测结果。本发明用于功率MOSFET可靠性预测。

    基于低温辐照试验装置的太阳电池低温原位辐射试验方法

    公开(公告)号:CN114221621A

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202111546474.2

    申请日:2021-12-16

    Abstract: 本发明公开了一种基于低温辐照试验装置的太阳电池低温原位辐射试验方法,通过在恒温真空舱内搭建低温测试台的方式来实现太阳电池的低温辐照同步测量和原位表征。本发明低温辐照试验装置通过无油分子泵抽真空来模拟太空真空环境,同时保护了器件不受空气中的水汽影响;通过风冷压缩机降温来模拟太空低温环境;通过电子加速器发出的电子来模拟太空中的电子辐照;使用太阳模拟器发射光源进行光特性测试,从而为太阳电池空间可靠性的测试提供了低温、低光强、辐照的试验条件。

    一种低温辐照综合试验装置及试验方法

    公开(公告)号:CN112946396A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110166149.7

    申请日:2021-02-05

    Abstract: 一种低温辐照综合试验装置及试验方法,涉及一种采用低温辐照同步进行的半导体器件测试技术,为了解决现有仪器设备不能实现对半导体器件低温与电子辐照同时测试的问题。本发明的恒温真空仓横向水平放置,高频高压电子加速器位于光学窗口的正上方,并用于产生、加速电子,电子竖直向下运动,屏蔽箱的一侧与恒温真空仓的尾部相连通;风冷压缩机用于降低恒温真空仓内的温度,温度控制仪用于调节恒温真空仓内的温度;无油分子泵用于将恒温真空仓抽成真空;PCB板以覆盖的方式固定在该连接口处;待测器件放置于恒温真空仓的头部内,并通过螺丝钉进行固定,待测器件的引脚通过杜邦线与PCB板的引线相连。有益效果为实现了低温和电子辐照的同步测量。

    基于深层离子注入方式的倒置三结太阳电池抗位移辐照加固方法

    公开(公告)号:CN110459650A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910776387.2

    申请日:2019-08-21

    Abstract: 基于深层离子注入方式的倒置三结太阳电池抗位移辐照加固方法,属于微电子技术领域,本发明为解决现有空间带电粒子会在太阳电池内部产生位移辐射损伤,在太阳电池内部产生空位、间隙原子等缺陷,从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒置三结太阳电池的InGaAs有源区模拟注入离子,改变注入离子量,模拟注入离子的I-V特性,获取模拟注入离子后的I-V特性与未注入离子的I-V特性的变化量小于10%时的注入离子量,计算注入离子机的电压和离子束电流,设置注入离子时间,对倒置三结太阳电池进行离子注入,通过离子注入的方式引入缺陷陷阱,对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用。用于提高倒置三结太阳电池抗辐照能力。

    脂肪族聚合物绝缘材料的空间辐照效应等效性评价方法

    公开(公告)号:CN106404651B

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201610911382.2

    申请日:2016-10-19

    Abstract: 脂肪族聚合物绝缘材料的空间辐照效应等效性评价方法,涉及粒子辐射环境用脂肪族聚合物绝缘材料不同辐照源位移辐照效应的等效性评价方法。解决了现有的宇航用脂肪族聚合物空间辐照效应评价方法,评价误差大的问题。计算各辐射源在待测材料样品中的LET值、电离吸收剂量及射程;根据各辐射源在待测材料样品中的射程,确定待测材料样品的厚度,使每种辐射源对应一块待测材料样品进行辐照试验,使各辐射源的辐照粒子完全穿透所对应的待测材料样品的厚度;辐照后,制定各辐射源在辐照条件下微观结构分析获得的各物理量与电离吸收剂量关系曲线,及性能测试获得的各物理量与电离吸收剂量的关系曲线。本方法用于对脂肪族聚合物绝缘材料进行评价。

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