公开(公告)号：CN110255515A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910593661.2

申请日：2019-07-03

Applicant: 吉林大学

Inventor： 殷红 ,  何月 ,  陈芳 ,  孙彦峰 ,  高伟

IPC: C01B21/064 ,  G01N27/12 ,  G01N27/414

Abstract: 本发明提供了一种基于六方氮化硼纳米片的二氧化氮检测用气敏元件及其制备方法和应用，属于半导体材料技术领域。本发明以六方氮化硼纳米片作为气敏材料，利用六方氮化硼纳米片高导热率、低热膨胀系数、低介电常数、高化学稳定性、强高温抗氧化性和高比表面积的性质，以其制备的二氧化氮检测用气敏元件，除具有灵敏度高、选择性好、重复性佳的优点，还适合在高温条件下工作。实施例结果表明，本发明提供的气敏元件用于二氧化氮检测时，其响应时间为18s，恢复时间为13.5s，最佳工作温度为425℃。同时，本发明提供的制备方法操作简单，成本低廉，易于实现工业化生产。

公开(公告)号：CN110255514A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910593656.1

申请日：2019-07-03

Applicant: 吉林大学

Inventor： 殷红 ,  何月 ,  陈芳 ,  孙彦峰 ,  高伟

IPC: C01B21/064 ,  C01G49/06 ,  G01N27/12 ,  G01N27/414

Abstract: 本发明提供了一种基于六方氮化硼纳米片/氧化铁纳米颗粒复合材料的气敏元件及其制备方法和应用，属于半导体材料技术领域。本发明以六方氮化硼纳米片/氧化铁纳米颗粒复合材料作为气敏材料，利用六方氮化硼纳米片高导热率、低热膨胀系数、低介电常数、高化学稳定性和高比表面积的性质，结合氧化铁纳米颗粒对正丁醇气体的高灵敏度，可以提高气敏元件的气敏性能。实施例结果表明，本发明提供的基于六方氮化硼纳米片/氧化铁纳米颗粒复合材料的气敏元件用于正丁醇气体检测时，响应时间为12.6s，恢复时间为27s，最佳工作温度为375℃。

公开(公告)号：CN110061046A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910382491.3

申请日：2019-05-09

Applicant: 吉林大学

Inventor： 殷红 ,  刘彩云 ,  李宇婧 ,  高伟

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件及制备方法，属于半导体材料领域。本发明采用磁控溅射方法在p型(100)面单晶硅衬底上制备n型硼碳氮薄膜；然后在n型硼碳氮薄膜一侧和p型单晶硅一侧分别制作银电极，即制得n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。本发明通过控制磁控溅射的生长参数，得到包含柱状氮化硼纳米晶的n型硼碳氮导电层，其纳米晶取向可控；获得了整流特性良好的n型硼碳氮薄膜/p型单晶硅异质pn结原型器件。

公开(公告)号：CN109280332A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201810875533.2

申请日：2018-08-03

Applicant: 吉林大学

Inventor： 殷红 ,  张誉元 ,  高伟 ,  李宇靖 ,  何月 ,  孙晓燕

IPC: C08L63/00 ,  C08K9/06 ,  C08K3/38

Abstract: 本发明的一种氮化硼/环氧树脂导热绝缘复合材料的制备方法，属于导热绝缘复合材料的制备领域。首先对氮化硼粉末进行退火预处理，后用硅烷偶联剂进行表面修饰改性，再将改性后的六方氮化硼微粉及改性后的立方氮化硼微粉按照一定比例对环氧树脂基体进行填充。本发明工艺简单，通过采用不同形貌和尺寸、不同相结构的氮化硼进行添加，构筑有效的导热通路，最终改善环氧树脂的导热性能。改性后六方氮化硼与树脂间界面结合紧密，片状六方氮化硼与块状立方氮化硼在环氧树脂内相互搭接，形成良好的导热网络，有效地降低了界面热阻，利于热量的快速传递，提高了环氧树脂的导热性能，并且制备的复合材料具有良好的绝缘性，提升了复合材料的力学性质。

公开(公告)号：CN106048523A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610356157.7

申请日：2016-05-26

Applicant: 吉林大学

Inventor： 杨陆一 ,  殷红 ,  史瑞新 ,  吴嫣然 ,  牟胤赫 ,  滕蓉 ,  夏小雪 ,  王守东 ,  宁磊

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  A61C7/20

CPC classification number: C23C14/0605 ,  A61C7/20 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开了一种耐腐蚀口腔正畸弓丝及其制备方法，采用磁控与离子束复合溅射法在近等原子比的镍钛丝表面制备类金刚石涂层，工艺参数为：偏压‑100 V，射频电源功率120 W，气体选用Ar，流量20 SCCM，工作气压1.0 Pa，基体温度100~125℃，沉积时间30~60 min。其特征在于低温下在镍钛丝表面直接沉积DLC涂层，且该涂层可提高正畸镍钛丝在酸性甚至含氟口腔环境中的耐腐蚀性和生物相容性，减少正畸弓丝Ni离子的释放，改善弓丝表面的粗糙程度，满足正畸矫形弓丝表面改性和临床应用的需要。

公开(公告)号：CN116281887B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202310125581.0

申请日：2023-02-16

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高伟 ,  姬俊丹 ,  袁杨 ,  高千粟 ,  殷红

IPC: C01B19/04 ,  C25B11/075 ,  C25B1/02

Abstract: 本发明为一种硒化铌六方片的制备方法及应用。将铌粉、硒粉以摩尔比为0.2:1均匀混合后压制成片，放入直流电弧等离子体放电装置内水平放置的阴阳极之间。在水冷系统和氩气氛围的保护下，将气压升至40‑60kPa，反应电流为40‑100A，阴阳两极极间起弧放电，反应完全后冷却钝化至室温。在石墨锅内收集到灰黑色粉末，微观形貌为厚度介于0.2‑0.4μm，直径范围为0.5‑2μm的硒化铌六方片。将硒化铌六方片作为析氢反应催化剂，在5mV·s‑1的扫速下，NbSe2六方片在‑10mA·cm‑2的电流密度下可实现255mV的过电势，表明NbSe2六方片有良好的析氢催化活性。

公开(公告)号：CN118259332A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410335645.4

申请日：2024-03-22

Applicant: 吉林大学 ,  大连理工大学

Inventor： 殷红 ,  王鹤潼 ,  梁红伟 ,  王德煜 ,  邰家劲 ,  龙泽 ,  张克雄 ,  高伟

IPC: G01T1/161

Abstract: 本发明提供了一种富含硼10同位素的六方氮化硼单晶中子探测器。其特征在于，使用的单晶尺寸大于0.5cm×0.5cm，厚度在140μm以上，中子捕获以及电荷收集均在一层，无需转换层。由该同位素富集的六方氮化硼单晶制成的中子探测器效率高。将得到的同位素富集的六方氮化硼单晶固定在绝缘衬底上，单晶作为中子探测层，沿单晶的侧端上制备一对Ti/Au电极，简易的中子探测器制备完成。本发明方法制备方法简单，对设备要求低，易于实现工业化。制备的同位素富集的六方氮化硼单晶中子探测器器件，探测效率高，响应快，制造和维护成本低，为实现中子探测器工业化生产提供了技术方案。

公开(公告)号：CN118198176A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410335050.9

申请日：2024-03-22

Applicant: 吉林大学 ,  大连理工大学

Inventor： 殷红 ,  李欣 ,  梁红伟 ,  龙泽 ,  张克雄 ,  蔺福光

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本专利涉及核探测技术领域，涉及一种六方氮化硼纳米片α粒子探测器，具体涉及一种商用氮化硼微粉经简单处理后定向堆叠制备独立式定向堆叠的六方氮化硼片层作为α粒子探测器的探测层，并在侧端制备不阻挡辐照与探测层相互作用的横向电极以实现α粒子探测的方法。所制备的探测器具有极低的暗电流，器件性能优异。本发明方法可以简化探测器制作工艺，降低制作成本；探测层厚度可控，能够有效提高探测器的效率。对于六方氮化硼基α粒子探测器件具有重要意义。

公开(公告)号：CN117718488A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311739100.1

申请日：2023-12-17

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高伟 ,  王子尚 ,  邓江浩 ,  殷红

IPC: B22F9/14 ,  B22F9/04 ,  B22F1/054 ,  B22F3/02 ,  C22C30/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供一种NiFeCoCrV高熵合金纳米粉末的制备方法。将各主元金属按照等摩尔比称量并以10:1的球料比球磨12小时后取出压制成圆片；采用水平式直流电弧等离子体放电装置，将圆片置于装置反应腔内的阳极石墨锅中，以钨棒作为阴极；利用氩气清洗反应腔后充入氮气，待腔内气压升至20‑60kPa，停止充气；设置反应电流为80‑150A，进行引弧，直至原料消耗殆尽，关闭电源；在循环冷却水和氮气气氛的保护下，冷却沉积6小时。阳极石墨锅表面可收集到黑色粉末，即为NiFeCoCrV高熵合金。

公开(公告)号：CN117718485A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311739065.3

申请日：2023-12-17

Applicant: 吉林大学

Inventor： 高伟 ,  高千粟 ,  尹靓媛 ,  殷红

IPC: B22F9/14 ,  B22F9/04 ,  B22F3/02 ,  B22F1/054 ,  B22F1/16 ,  B82Y30/00 ,  C25B1/04 ,  C25B11/089 ,  C22C30/02

Abstract: 本发明提供了氮掺杂碳包覆六元高熵合金纳米球可控制备方法及其应用。采用球磨法将等摩尔比的六种金属混合粉末与不锈钢小球放入球磨罐并充入氮气保护气体，以600‑900rpm的转速球磨6‑8小时。采用直流电弧等离子体法，将球磨后的合金粉末压块放入直流电弧放电装置反应室内的阳极石墨锅中，在氮气气压为30‑50kPa，电流为100‑140A的条件下起弧，反应后经冷却钝化在石墨锅表面收集到黑色粉末，即为氮掺杂碳包覆铜镍铁钴铬钛高熵合金纳米球。纳米球直径约为10‑20nm，表面的氮掺杂碳壳层层数在30kPa，100A的反应条件下为2‑3层，在50kPa，140A的反应条件下为6‑7层。本发明还公开了其在电催化析氢方面的应用，测试结果显示氮掺杂碳包覆六元高熵合金纳米球具有优异的电催化性能。