公开(公告)号：CN101630655A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200810170437.4

申请日：2008-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈能国 ,  曾国华 ,  蔡正原 ,  许俊豪

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/76232

Abstract: 本发明提供一种形成浅沟槽隔离的方法，尤其是一种圆化浅沟槽隔离边角的方法。在一优选实施例中，包括以一介电材料填入沟槽，并凹蚀介电材料以露出邻近衬底表面的部分沟槽侧壁。接着在一氢气气氛下对衬底进行回火，借由硅迁移圆化浅沟槽隔离的边角。本发明沟槽边角的圆化效果大于公知方法，因此特别适合用在减少45nm以下的元件漏电流。

公开(公告)号：CN101515560A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200810093278.2

申请日：2008-05-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈能国 ,  张致祥 ,  曾国华 ,  蔡正原

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 本发明是有关于一种形成浅槽隔离区的方法，此方法包括提供一半导体基材，其中半导体基材至少包含一上表面；形成一开口，其中此开口从前述的上表面延伸至半导体基材中；进行一共形沉积步骤，以利用一介电材料填入前述的开口中；对介电材料进行一第一处理步骤，其中第一处理步骤提供一能量足以破坏介电材料的多个键结；以及对介电材料进行一蒸汽退火步骤。