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公开(公告)号：CN104103732A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410341608.0
申请日：2014-07-18
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
CPC分类号： H01L33/00 , H01L33/44 , H01L33/14 , H01L33/007 , H01L33/10
摘要： 本发明一种具有电流阻挡层的发光二极管的制作方法，至少包括以下步骤：在衬底上生长发光外延叠层，自下而上依次包括N型半导体层、活性层和P型半导体层；在发光外延叠层表面旋涂液态绝缘材料，并采用起泡机在液态绝缘材料中形成微小气泡；对形成微小气泡的液态绝缘材料，进行快速固化；采用黄光光刻以及蚀刻工艺，保留电流阻挡层区域，该区域位于后续电极正下方；制作电极，从而制得发光二极管芯片结构。
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公开(公告)号：CN114141924B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202111376233.8
申请日：2021-11-19
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，包括顺序排列的半导体堆叠层、第一绝缘层和反射结构，第一绝缘层设有延伸至半导体堆叠层的第一开口；反射结构包括顺序排列的第一粘附层、第二粘附层和第一反射层，第一粘附层为图案化结构，且间断设置在第一绝缘层上并至少填充第一开口；第二粘附层位于图案化的第一粘附层上。本申请中第一粘附层填充第一开口，第二粘附层位于第一粘附层上，可使第一反射层与第一开口下方的半导体堆叠层通过第一粘附层直接或间接连接，第一反射层与非第一开口处的第一绝缘层通过第二粘附层连接，在提高第一反射层与半导体堆叠层之间粘附性的基础上，提高了对半导体堆叠层发出光的反射率，以及发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN114141920B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202111376242.7
申请日：2021-11-19
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，包括基板、结构层和发光台面，基板上表面配置有发光区和环绕于发光区之外的切割区；结构层铺设在发光区和切割区上；位于发光区处的结构层上配置有发光台面，发光台面包括第一外延层；切割区包括在发光台面周向上间隔布置的第一分区和第二分区，第一分区形成有凸台，凸台连在结构层上并由结构层中的第一绝缘层、第二绝缘层和金属层向上延伸得到；第二分区形成有第二外延层，第二外延层自第二分区延伸至凸台上。本申请通过在第二分区及与其相邻的凸台上设置第二外延层，可避免凸台与第二分区的相接处出现缝隙，进而避免后续工艺中蚀刻液渗透至结构层中并对结构层造成损伤。
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公开(公告)号：CN114883473A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210449842.X
申请日：2020-01-02
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 一种具有有限的发光面积的发光装置，包括支架（310）、安装于支架（310）上的LED芯片（320）及挡光层（330），挡光层（330）填充凹槽内非发光区域，并覆盖LED芯片（320）的部分表面，发光装置的发光面积小于或者等于LED芯片（320）的尺寸，形成明显的单点光源（Point Light Source），且没有光晕问题。
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公开(公告)号：CN112614920B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011581586.7
申请日：2020-12-28
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域。该芯片包括基板、功能层及发光二极管台面；基板上表面包括发光区域和环绕于发光区域之外的切割区域；功能层铺设在发光区域和切割区域；功能层上表面配置有发光二极管台面；切割区域划分为第一区域和第二区域，第一区域和第二区域沿发光二极管台面周向间隔设置，第一区域形成有凸台，该凸台自功能层上表面向上延伸不高于发光二极管台面的高度，并与发光二极管台面间隔预定距离。本申请中仅在第一区域形成凸台，保证发光二极管芯片中的电位均匀分布，避免发光二极管芯片出现电迁移的现象，改善芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN111446343A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010228867.8
申请日：2019-04-03
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 一种半导体发光器件，包括基板以及基板上的多层结构，多层结构从基板侧开始依次包括第二电连接层、绝缘层、第一电连接层、半导体发光序列，半导体发光序列包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；用于外部打线的第一电极，通过第一电连接层与第一导电类型半导体层电性连接；用于外部打线的第二电极，通过第二电连接层与第二导电类型半导体层电性连接；半导体发光序列、第一电极和第二电极位于基板的同侧；其特征在于：第二电连接层包括第一部分和第二部分，第一部分位于绝缘层一侧，第二部分自绝缘层一侧的第一部分延伸穿过绝缘层至第一电连接层同侧，并与第二电极连接，第二电连接层的第二部分未设置在第二电极下方的中心位置。
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公开(公告)号：CN110731016A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201880035522.1
申请日：2018-11-13
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管。在一些实施例中，发光二极管包括：发光外延叠层，包含第一半导体层、有源层和第二半导体层，具有对应的第一表面和第二表面；透光层，形成于所述发光外延叠层的第二表面上；第一金属层，形成于所述透光层之远离所述发光外延叠层的表面上；第二金属层，形成于所述第一金属层之远离所述发光外延叠层的表面上；所述第一金属层和第二金属层构成镜面结构。
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公开(公告)号：CN106876547B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710057326.1
申请日：2017-01-26
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜型发光二极管及其制作方法，其采用图形化衬底进行外延生长，然后进行芯片制程中在衬底剥离过程中，使衬底图形的尖端从其衬底主体上断裂并保留在外延层上，从而在发光外延叠层的出光面上形成蓝宝石微透镜。所述薄膜型发光二极管包括发光外延叠层，所述发光外延叠层包含第一类型导体层、发光层和第二类型半导体层，其表面设有一系列由透明生长衬底构成的微透镜。
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公开(公告)号：CN106486575B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610928037.X
申请日：2016-10-31
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜发光二极管芯片及其制作方法，包括：永久基材和位于其上的发光结构，所述发光结构为III‑V族材料所生长的薄膜，有相对的两个表面，其中第一表面为发光的出光面及第一电极所构成，第二表面与所述永久基材进行连接，其特征在于：所述发光结构的第二表面具有若干个V‑Pits，所述永久基材从上到下包含金属反射层、镜面层、金属键合层以及导热层，所述金属反射层填充于所述V‑Pits中。
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公开(公告)号：CN105489727B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610030189.8
申请日：2016-01-18
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
CPC分类号： H01L33/36 , H01L21/022 , H01L21/02252 , H01L24/04 , H01L33/00 , H01L33/08 , H01L33/38 , H01L2224/0554
摘要： 本发明公开了倒装LED芯片的键合电极结构及制作方法，包括：衬底；发光外延层，位于衬底之上；键合电极，位于发光外延层之上；所述键合电极结构，在垂直方向从下至上划分为由底层和上表层组成的金属叠层，其中底层结构为易氧化金属且侧壁形成氧化层，上表层为不易氧化金属；在水平方向划分为主接触部分以及围绕主接触部分的栅状部分。本发明解决习知倒装LED芯片结构在封装焊接时容易发生短路或者漏电的问题。
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