发明授权
- 专利标题： 薄膜型发光二极管及其制作方法
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申请号： CN201710057326.1申请日： 2017-01-26
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公开(公告)号： CN106876547B公开(公告)日： 2019-05-03
- 发明人: 钟志白 , 郑锦坚 , 杨力勋 , 李佳恩 , 徐宸科 , 康俊勇
- 申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
- 申请人地址： 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号
- 专利权人： 厦门市三安光电科技有限公司
- 当前专利权人： 厦门市三安光电科技有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号
- 主分类号： H01L33/20
- IPC分类号： H01L33/20 ; H01L33/00
摘要：
本发明公开了一种薄膜型发光二极管及其制作方法，其采用图形化衬底进行外延生长，然后进行芯片制程中在衬底剥离过程中，使衬底图形的尖端从其衬底主体上断裂并保留在外延层上，从而在发光外延叠层的出光面上形成蓝宝石微透镜。所述薄膜型发光二极管包括发光外延叠层，所述发光外延叠层包含第一类型导体层、发光层和第二类型半导体层，其表面设有一系列由透明生长衬底构成的微透镜。
公开/授权文献
- CN106876547A 薄膜型发光二极管及其制作方法 公开/授权日：2017-06-20
IPC分类:
