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实用新型
一种半导体外延结构及LED芯片有权

公开(公告)号：CN217086611U

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202220741316.6

申请日：2022-03-31

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 , 蔡玉梅 , 崔恒平 , 陈凯轩 , 蔡建九

IPC: H01L33/14 , H01L33/00 , H01L33/32

Abstract: 本实用新型提供了一种半导体外延结构及LED芯片，通过在所述衬底表面依次堆叠缺陷阻隔层、第一N型半导体层、电流阻挡层、第二N型半导体层、有源层、P型半导体层。通过所述缺陷阻隔层阻挡所述衬底与半导体层之间因晶格失配所产生的缺陷的向上延伸；同时，通过所述电流阻挡层阻挡电流在所述第二N型半导体层表面的纵向传输，提高电流在界面的横向传递，增加电流扩展的效果。

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