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公开(公告)号：CN103420341A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310322399.0
申请日：2013-07-29
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种燃烧法制备氧化物纳米带的方法，（1）将金属硝酸盐溶于纯净水，按金属硝酸盐:三乙醇胺为1:6～1:12的质量比，加入三乙醇胺，混合均匀，置于烘箱，150℃加热4h~8h。其间，每隔一小时取出，搅拌均匀再放入烘箱继续加热，至蒸干，取出备用；（2）将经步骤（1）处理的样品置于170~180℃烘箱中，缓慢达到三乙醇胺燃烧点，使三乙醇胺燃烧；(3)取步骤（2）的纳米带初始样品置于马弗炉中600~1000℃退火3~5h，最终得氧化物纳米带。本发明工艺简单，而且易得到高纯、粒度小、形貌优良、活性高的氧化物纳米带，不仅省时省力，还提高了氧化物纳米带结构的活性。
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公开(公告)号：CN119630273A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411692409.4
申请日：2024-11-25
Applicant: 南昌大学
IPC: H10N70/20 , H10N70/00 , H10B63/00 , G01N23/2251 , G01N23/207 , G01N21/31 , G06F15/78
Abstract: 本发明提供了一种多功能感存算一体存储器及其制备方法和应用，其从上到下包括依次层叠的I TO层、第一原位形成层、离子调控层、第二原位形成层、顶电极层，其中：所述第一原位形成层由所述I TO层和所述离子调控层氧化还原反应形成，所述第二原位形成层由所述离子调经层和所述顶电极层氧化还原反应形成。本申请实施例能够可实现气体识别、非易失性存储、逻辑运算以及抑制串扰等多种功能，在智能传感、信息存储和神经形态计算等领域具有广泛应用。
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公开(公告)号：CN115360478A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210822975.7
申请日：2022-07-13
Applicant: 南昌大学
IPC: H01M50/451 , H01M50/489 , H01M10/052 , H01M10/0585 , H01M10/42 , H01M50/403 , H01M50/417 , H01M50/431 , H01M50/446
Abstract: 本发明公开了一种原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜及其制备方法以及锂硫电池。该锂硫电池隔膜，包括隔膜基底，所述隔膜基底的一侧涂布有改性涂层，所述改性涂层中包含有原位生长碳纳米管型磷酸铁、导电剂和粘合剂。该锂硫电池隔膜的制备方法，通过化学气相沉积(CVD)法制备一种原位生长碳纳米管型磷酸铁，进而得到隔膜改性浆料，将隔膜改性浆料用刮刀均匀地涂布在隔膜基底的一侧表面上，并在真空干燥箱中干燥，待干燥后裁剪为圆片，即得所述原位生长碳纳米管型磷酸铁改性的锂硫电池隔膜。本发明改性隔膜能有效抑制多硫化锂的穿梭效应，采用该隔膜的锂硫电池具有良好的循环性能和倍率性能。
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公开(公告)号：CN109755037B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201811626782.4
申请日：2018-12-28
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种镍钴氧化物‑二氧化锡复合结构超级电容器电极材料的制备方法，该制备方法包括以下步骤：(1)将表面活性剂溶解，形成均匀的溶液；随后加入镍和钴的金属盐溶液，充分搅拌溶解，得到分散液；(2)向分散液中加入无水四氯化锡，再加入尿素；(3)将溶液转移至反应釜中，加热反应后自然冷却；(4)将步骤(3)得到的产物用蒸馏水和无水乙醇进行多次洗涤，然后放入烘箱进行干燥；(5)将步骤(4)得到的产物放置于管式炉中进行煅烧2‑3h，温度为200‑300摄氏度，保护气为惰性气体，即得到镍钴氧化物‑二氧化锡复合结构超级电容器电极材料。本发明解决了传统工艺的不足，其制作工艺简单，操作方便，能耗低，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112467032A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011159673.3
申请日：2020-10-27
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种利用废弃原料制备高质量有机无机钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)将基底进行表面处理；(2)将受潮的废弃原料与基底结合，并置于所述高温设备中进行负压处理；(3)向所述高温设备腔体内通入惰性气体，并使得腔体内稳定在设置的负压状态；(4)将所述高温设备腔体升温至设定负压下的升华温度，然后保温保压直至所述基底上获得有机无机钙钛矿薄膜。本发明利用在潮湿环境中长时间暴露的废弃原料来制备高质量的有机无机钙钛矿薄膜，一方面可以使废弃原料重新被利用，另一方面不需要高纯度的原料，降低了制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104851900B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201510169212.7
申请日：2015-04-13
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种基于场效应管结构的阻变存储器，包括源级、一维硒化镉/碳杂化纳米材料、漏极、二氧化硅氧化层、P型硅片、栅极、封装层；在二氧化硅氧化层中间水平放置单根一维硒化镉/碳杂化纳米材料；在一维硒化镉/碳杂化纳米材料两端以及P型硅底面中心点上银浆，分别作为场效应管的源级、漏极和栅极，在洁净的大气环境中放置3‑5小时；将封装材料贴覆在一维硒化镉/碳杂化纳米材料及二氧化硅氧化层上，之后在P型硅底面贴覆一层封装材料，150℃真空烘箱保温24小时。本发明制备工艺简单，利用场效应管电流放大作用，不仅有效提高了高低阻态比值，提高了存储器准确性，而且可以通过改变栅极电压极性来恢复初始状态，实现可调制的阻变存储器。
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公开(公告)号：CN106229164A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610640992.3
申请日：2016-08-08
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种二氧化锰/石墨烯复合结构超级电容器电极材料的制备方法，包括可剥离石墨的制备和二氧化锰/石墨烯复合材料的制备。本发明提供了一种切实可行的二氧化锰/石墨烯复合材料的制备方法，该材料的制作工艺简单，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104402055B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201410597619.5
申请日：2014-10-31
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种大尺寸层片状有序六角二硫化钨的制备方法，其特征是按如下步骤：取二硫化钨无定形粉末装入陶瓷舟，置于管式炉中央，排净空气后，在氮气与硫蒸汽氛围或92~97%的氮气与3~8%的氢气构成的混合气体的氛围1200℃~1300℃反应2~4小时。本发明所述的纳米层片状六角二硫化钨在可见光下具有良好的导电性，可有效地应用于光电和数据存储器件，同时发明所述的纳米层片状六角二硫化钨具有良好的润滑性，可有效应用于机械加工产业。
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公开(公告)号：CN105702857A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610160435.1
申请日：2016-03-21
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于陷阱态调控的非易失性多比特微/纳米阻变存储器及使用方法，阻变存储器包括绝缘衬底、单根Sn元素掺杂的ZnO一维微/纳米线、电极、封装材料等。单根Sn元素掺杂的ZnO一维微/纳米线置于绝缘衬底上，其两端分别焊接电极；封装材料将单根Sn元素掺杂的ZnO一维微/纳米线、电极封装在绝缘衬底上。信息写入时在两端电极之间施加写入电压。非易失性多比特存储时在两端电极之间施加写入电压，然后撤去写入电压并施加读取电压。信息擦除时在两端电极之间施加写入电压，然后撤去写入电压并施加读取电压，再置于70℃环境中，随后置于室温中。本发明实现了对电场信息的响应及存储，工艺简便、体积小、轻巧便携、兼容性好，能高效利用。
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公开(公告)号：CN103682100B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310646457.5
申请日：2013-12-06
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种氧化锌/聚甲基丙烯酸甲酯/硫氰酸亚铜结构的数据存储器及制备方法，在n型半导体材料纳米棒状氧化锌、p型半导体材料三角片状硫氰酸亚铜中间加入聚甲基丙烯酸甲酯。将制备好的纳米棒状氧化锌和三角片状硫氰酸亚铜材料表面分别旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯，相叠，将聚甲基丙烯酸甲酯镶嵌在氧化锌和硫氰酸亚铜中间，待聚甲基丙烯酸甲酯固化。本发明在氧化锌和硫氰酸亚铜两种类型的半导体材料之间加入聚甲基丙烯酸甲酯，使得聚甲基丙烯酸甲酯成为两者之间的连接体，测试性能显示，这种M-O-M结构具有良好的电阻开关效应，可作为存储器使用，且器件的制作工艺简单，具有很好的应用前景。
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