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公开(公告)号：CN109545961A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811363429.1
申请日：2018-11-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种基于二维材料的类脑阻变开关的制备方法，该方法包括如下步骤：S1：制备MXene粉末与去离子水的混合溶液：S2：制备底电极：采用磁控溅射法在硅片上沉积底电极铜；S3：制备二维材料层：将S2步骤得到的硅片放在甩胶机上设置转速，将S1步骤获得的混合溶液均匀滴在硅片上，MXene混合液均匀甩在底电极铜上；S4：制备顶电极：将掩模版贴在S3步骤得到的硅片上，采用磁控溅射法在二维材料层上沉积顶电极铜，获得基于二维材料MXene的阻变开关。本技术方案首次将新型二维材料MXene引入类脑器件领域，在本发明结构中作为阻变层，在外加电压刺激下能够使金属离子在其缺陷中形成导电细丝从而实现器件的打开。
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