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公开(公告)号：CN105720340A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610094514.7
申请日：2016-02-19
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P1/208
CPC classification number: H01P1/208
Abstract: 本发明公开了一种含有低频传输零点的紧凑型带通滤波器，包括第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第一微带线和第二微带线，第一、第二谐振腔之间的耦合以及第二、第三谐振腔之间进行磁耦合，第一、第三谐振腔之间进行电耦合，将一对镜像对称的S形细槽作为电耦合窗口，使滤波器在具有相同尺寸的情况下，拥有更宽的频带，从而缩小了电尺寸，通过谐振腔之间的负反馈，将单条电流通道的滤波器拓展为两条通道，形成一个具有传输零点的滤波器，克服了带外性能较弱的缺点。
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公开(公告)号：CN105119032A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510532044.3
申请日：2015-08-26
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开了基于三角形基片集成谐振器的带通滤波器，包括第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第一微带线和第二微带线，第一、第二、第三谐振腔均包括由上至下依次平行的顶层金属层、介质基片和底层金属层，顶层金属层、介质基片和底层金属层为相互全等且钝角为120°的钝角等腰三角形，介质基片上排布有平行于介质基片三条边沿的金属化通孔，第一、第二、第三谐振腔分别以其钝角所在两侧面为耦合面，两两耦合形成一个等边三角形谐振腔，第一微带线与等边三角形谐振腔的边界中属于第一谐振腔边界的中点相连，第二微带线与等边三角形谐振腔的边界中属于第二谐振腔边界的中点相连。本发明解决了滤波器频率范围增大与工业加工变难之间的矛盾。
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公开(公告)号：CN104953205A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510364166.6
申请日：2015-06-26
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于新型开口谐振环结构的共面波导带阻滤波器，包括介质基片、中心导带、中心导带两侧的金属接地板、至少一个开口谐振环结构、连接开口谐振环与金属接地板的金属通孔。其中，开口谐振环结构用于产生阻带，金属通孔用于加深阻带并且提升带外的频率选择性。本发明在传统开口谐振环的基础上，对开口谐振环的结构进行了改进，进一步缩小了电尺寸，并且拥有较好的带外特性。
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公开(公告)号：CN114824790B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202210586864.0
申请日：2022-05-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于微波天线技术领域，具体地说，是一种基于基片集成波导的新型极化可重构天线，包含两层金属层、一层介质层和若干金属圆柱。自上而下分别是第一层金属层、中间介质层和第二层金属层。第一层金属层为包含方形环状缝隙的金属层；第二层金属层为包含共面波导馈电结构的金属层。在第一层金属层上蚀刻4根首尾相连的矩形缝隙并额外引入4个寄生切角，通过在缝隙适当位置加载4个二极管，使天线在线极化、左旋圆极化和右旋圆极化之间灵活切换，并且由于结构的特殊性，该二极管偏置电路更加简单，因此性能更优。本发明实现了SIW背腔缝隙天线的极化可重构性能，同时保持天线在各个状态下的工作性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114335943B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111440761.5
申请日：2021-11-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种基于混合折叠基片集成波导谐振腔的高选择性带通滤波器，由上至下包括顶层金属层、上层介质层、中间金属层、下层介质和底层金属层，在中间金属层上设置由六组金属化通孔组成的第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔，在第一谐振腔和第三谐振腔的两个短边上设置相对的过渡结构和第一矩形槽，在第二谐振腔上设置L形槽以及第二矩形槽。本发明通过改变第二矩形槽的长度可得到两种不同的灵活的频率响应，并且过渡结构的圆弧状第一微带线引入的源与负载的耦合能够在不增加滤波器尺寸的基础上引入一个额外的可控传输零点，从而进一步提高滤波器的选择特性和带外抑制水平。本发明设计结构简单且紧凑，选择特性及带外抑制好，插损低。
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公开(公告)号：CN114335937A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111559215.3
申请日：2021-12-20
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基片集成空腔慢波混合电磁耦合滤波器，是由上层介质板、中层介质板、下层介质板组成的三层结构滤波器；在下层介质板上均匀排列有慢波金属通孔，引入慢波效应，使电场集中在中层介质板的空气腔中。在基片集成波导中用空气填充代替介质填充，可以大大减小损耗，提高Q值，并引入慢波效应实现小型化设计。通过在相邻两个空腔的上方蚀刻一个H形槽线，在其通带外的上频带和下频带各产生了一个传输零点，从而提高了滤波器的频率选择特性。本发明在保持三层结构自封装性和高集成度的同时，提高了滤波器的频率选择性，降低了插入损耗，缩减了尺寸，为以后研究紧凑且高性能的SW‑ESIW耦合型器件提供了重要的基础。
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公开(公告)号：CN113285229A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110634258.7
申请日：2021-06-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种基于人工表面等离子激元的高增益端射圆极化天线，包括介质基板和微带线，微带线设于介质基板的上表面，还包括包边金属覆层和磁引向器，介质基板的上表面设有上金属传输线、上电偶极子和上电引向器，包边金属覆层环绕介质基板，包边金属覆层的顶端一侧连接微带线，包边金属覆层的顶端另一侧形成磁偶极子并连接上金属传输线，上金属传输线的两侧分别设有磁引向器，介质基板的下表面设有下金属传输线、下电偶极子和下电引向器，上金属传输线和下金属传输线分别采用人工表面等离子激元传输线；能使得端射圆极化天线的增益获得显著提高，解决了端射天线应用时圆极化增益较低的问题，且辐射定向性良好。
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公开(公告)号：CN112290182B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010934087.5
申请日：2020-09-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开了一种基于基片集成同轴线的双频功分器，其结构从上往下依次为第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层和第三金属层，从左到右依次分为第一微带部分、基片集成同轴线部分和第二微带部分；功分器采用T型结功分器，主体在基片集成同轴线部分，输入端是一段阻抗变换器，两个输出端的传输线通过两对平行耦合线相连，并设有四条并联的开路枝节线。本发明可以用多层PCB工艺实现，结构简单，成本低廉，易于集成。与相同结构的微带线相比，基片集成同轴线是一种具有屏蔽的结构，可以限制能量向外辐射，减小损耗，同时，避免相邻信号之间的串扰；与相同结构的基片集成波导相比，本发明以TEM为主模，没有色散，工作带宽大，体积小。
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公开(公告)号：CN113036446A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110376308.6
申请日：2021-04-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种高效驱动液晶分子的太赫兹超表面，从上而下依次包括顶层石英衬底层、顶层金属层、液晶层、底层金属层和底层石英衬底层；所述顶层金属层镀膜在顶层石英衬底层的下表面上，底层金属层镀膜在底层石英层的上表面上；所述顶层金属层包括按阵列排布的超表面单元，所述超表面单元包括谐振环组。本发明利用相邻金属结构之间的边缘场叠加原理驱动部分无金属覆盖区域的液晶分子，有效驱动更多的液晶分子大大提升液晶超表面的性能上限；通过对超表面单元的合理编码，该超表面实现最大66°的波束偏转。
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