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公开(公告)号：CN117060031A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311201469.7
申请日：2023-09-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于微波技术领域，公开了一种基于HMCSIW的可重构差分滤波器，包括第一层金属层、第一层介质层、第二层金属层、第二层介质层和第三层金属层，第一层金属层是由一个半模类梳状线的矩形贴片、一对梯形微带线、一对开路微带枝节和一个DBCSRR结构组成，第二层金属层是由矩形缝隙和折叠SSPPs结构构成，是该结构的公共地面，第三层金属层与第一层金属层结构尺寸完全一致。本发明通过PIN二极管的导通和关断来控制并联在HMCSIW上的开路枝节的长度，从而控制开路枝节的谐振频率，那么滤波器的低频零点就会改变，整个滤波器的带宽和中心频率都会随之变化，该滤波器既能可重构又和差分传输线相结合，具有共模抑制特性。
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公开(公告)号：CN115775964A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211505901.7
申请日：2022-11-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明提供一种基于HMCSIW的新型耦合系数可重构的耦合器，包括介质基板、介质基板上下表面的第一金属层和第二金属层，第一金属层包括两个对称设置的金属贴片，每个金属贴片包括半模类梳状线基片集成波导、梯形过渡区和四分之一圆的弧形微带线，半模类梳状线基片集成波导的两端分别连接梯形过渡区，梯形过渡区的端部分别连接弧形微带线，第一金属层设有若干U形槽对和耦合系数重构组件，U形槽对包括上U形槽和下U形槽，两个半模类梳状线基片集成波导开放边缘之间设有间隙，间隙处设有耦合系数重构组件；本发明能够实现改变耦合系数的大小，无需改变耦合器尺寸，就能够实现多种耦合系数的切换。
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公开(公告)号：CN113036446B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110376308.6
申请日：2021-04-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种高效驱动液晶分子的太赫兹超表面，从上而下依次包括顶层石英衬底层、顶层金属层、液晶层、底层金属层和底层石英衬底层；所述顶层金属层镀膜在顶层石英衬底层的下表面上，底层金属层镀膜在底层石英层的上表面上；所述顶层金属层包括按阵列排布的超表面单元，所述超表面单元包括谐振环组。本发明利用相邻金属结构之间的边缘场叠加原理驱动部分无金属覆盖区域的液晶分子，有效驱动更多的液晶分子大大提升液晶超表面的性能上限；通过对超表面单元的合理编码，该超表面实现最大66°的波束偏转。
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公开(公告)号：CN107257002A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710355366.4
申请日：2017-05-19
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/18
CPC classification number: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种基片集成波导3‑dB宽壁小孔耦合器，是由两块相同的基片集成波导通过接触组合而成的双层电路；改进的微带到基片集成波导的过渡电路通过梯形渐变接入基片集成波导；本发明在基片集成波导的公共地平面上开了两排共10个圆形小孔来实现小孔耦合的目的，并最终实现了3‑dB的强耦合效果。其中，基片集成波导是通过在印刷电路板上设计一系列金属过孔实现的。本发明能顺利实现双层基片集成波导之间的3‑dB耦合，同时实现了直通端与耦合端之间的90°相移，相对于同等技术的波导耦合器，本发明在减小耦合器面积的同时提高了耦合器的性能，制作工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN113036446A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110376308.6
申请日：2021-04-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种高效驱动液晶分子的太赫兹超表面，从上而下依次包括顶层石英衬底层、顶层金属层、液晶层、底层金属层和底层石英衬底层；所述顶层金属层镀膜在顶层石英衬底层的下表面上，底层金属层镀膜在底层石英层的上表面上；所述顶层金属层包括按阵列排布的超表面单元，所述超表面单元包括谐振环组。本发明利用相邻金属结构之间的边缘场叠加原理驱动部分无金属覆盖区域的液晶分子，有效驱动更多的液晶分子大大提升液晶超表面的性能上限；通过对超表面单元的合理编码，该超表面实现最大66°的波束偏转。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110190403A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910374578.6
申请日：2019-05-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了高增益半模基片集成波导半圆形腔电小天线，包括介质基片、顶层金属层及与底层金属层；介质基片上开设有两组金属化通孔；顶层金属层的一侧连接有半圆形金属贴片，两组金属化通孔、介质基片、顶层金属层、底层金属层之间形成半模基片集成波导半圆形腔，半模基片集成波导半圆形腔的工作频率与所述半圆形金属贴片的半径相匹配；底层金属层上开设有一凹槽、凹槽内设置有中心导带且中心导带的一端与微带馈线相连接，中心导带的另一端与底层金属层相连通并形成共面波导转换结构。本发明中引入带有半圆形金属贴片的半模基片集成波导半圆腔，结构紧凑，加工难度降低，制作成本低，且性能稳定，相对于目前的半模基片集成波导半圆形腔天线，该发明工作在更低的工作频率却拥有相同的辐射效果。
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公开(公告)号：CN108879090A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810572637.6
申请日：2018-06-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了半模基片集成波导半圆腔小型化天线，包括介质基片、顶层金属层、及底层金属层；顶层金属层上设置有共面波导转换结构及两个矩形槽；介质基片上设置有半圆区域，并沿半圆弧线开设有多个金属化通孔，且金属化通孔、介质基片、顶层金属层、底层金属层及两个矩形槽之间形成半模基片集成波导E型半圆腔；介质基片上还设置有一微带线，且微带线通过共面波导转换结构与半模基片集成波导E型半圆腔相连接。本发明设计结构简单，工作频点低，矩形槽的引入更适合应用于现代微波毫米波电小天线领域，同时，本发明中设置有半模基片集成波导半圆形谐振腔，结构紧凑，加工难度降低，制作成本低，且性能稳定。
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公开(公告)号：CN113131219A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110365760.2
申请日：2021-04-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开一种低副瓣的1‑bit太赫兹液晶超表面，从上而下依次包括顶层石英衬底层、顶层金属层、液晶层、底层金属层和底层石英衬底层；所述顶层金属层镀膜在顶层石英衬底层的下表面上，底层金属层镀膜在底层石英层的上表面上；所述顶层金属层包括按阵列排布的超表面单元，所述超表面单元包括子单元和设置在子单元上的谐振结构。本发明降低传统1‑bit超表面的镜像波束，避免了传统液晶超表面难以实现单波束辐射的缺点；利用1‑bit控制电路简化了控制信号的设计难度以及对液晶材料相应灵敏度的要求；超表面实现最大22°的波束偏转，镜像波束的幅度相对于主波束降低了一半。
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公开(公告)号：CN109585994B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201811241385.5
申请日：2018-10-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明揭示了小型化双层半模基片集成波导六端口器件，包括叠合放置且相互贴合的顶层介质基片、底层介质基片及中间层金属层，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层；顶层介质基片与底层介质基片上均设置有两组相互对称的金属化通孔，一组金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片及中间层金属层构成第一半模基片集成波导；一组金属化通孔与底层金属层、底层介质基片及中间层金属层构成第二半模基片集成波导；顶层金属层上设置有三个端口及多个互补开口谐振环；中间层金属层上开设有两排相互对称的圆孔；底层金属层上设置有三个端口。本发明设计结构简单，六端口稳定输出工作带宽大，结构紧凑，降低了加工难度与加工成本且体积减小。
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公开(公告)号：CN109755711A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910072293.7
申请日：2019-01-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器，该宽带滤波耦合器包括堆叠放置的顶层介质基片和底层介质基片，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，顶层介质基片和底层介质基片之间设置有中间层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层；顶层介质基片和底层介质基片上设置有一排金属化通孔，该排金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片、中间层金属层构成第一半模基片集成波导，该排金属化通孔与中间层金属层、底层介质基片、底层金属层构成第二半模基片集成波导。本发明有很好的滤波效应，在不改变耦合器体积的前提下引入滤波响应，使得其应用在系统中时不需要插入额外滤波器，从而减小了整个系统的体积和插入损耗。
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