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公开(公告)号：CN112540056B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202011415931.X
申请日：2020-12-07
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/3581 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种阵列式太赫兹接收装置及其读出装置。该读出装置包括基于梳妆信号发生器和本振源的信号发生模块、基于同相正交混频器组的信号处理模块和以及基于阵列式太赫兹接收装置和低温真空光学杜瓦的信号探测装置。阵列式太赫兹接收装置包括共面波导器和阵列式布置的谐振探测单元。每个谐振探测单元包括有大小叉指电容和曲折电感以及连接大小叉指电容和曲折电感的基于超导氮化铌测辐射热计的超导天线耦合探测单元。探测太赫兹信号时，信号发生模块以频分复用的方式向阵列式太赫兹接收装置注入各个谐振探测单元的谐振微波信号，同相正交混频器以解频分复用的方式分别解调出各个谐振探测单元的接收到的太赫兹信号。本发明可用于太赫兹成像。
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公开(公告)号：CN110455410B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910799322.X
申请日：2019-08-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种阵列谐振式太赫兹接收器及其太赫兹光谱仪装置。该太赫兹光谱仪装置基于阵列谐振式太赫兹接收器接收太赫兹波信号。阵列谐振式太赫兹接收器包括由若干组不同谐振频率的天线阵列。天线阵列由谐振单元按N×M行列排列组成。谐振单元为基于电感电容谐振原理的双开口谐振环结构。天线阵列最中心的谐振单元的双开口谐振环结构的中心部设有超导氮化铌热电子测辐射热计，并由超导氮化铌热电子测辐射热计桥接。实验证明，本发明在检测太赫兹光谱信号时具有很高的灵敏度，并且响应速度快，且易于片上集成，制备工艺简单方便，成本低，系统简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN113237846A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110490702.2
申请日：2021-05-06
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/01 , G06K19/06
Abstract: 一种制备像素化太赫兹光谱传感芯片及其制备方法。本发明公开了一种像素化太赫兹光谱传感芯片，包括16个工作频点各不相同的像素，各像素由结构相同、几何尺寸不同的金属平面谐振器阵列组成。本发明公开了上述光谱传感芯片的制作方法，包括基片清洗；双层光刻胶旋涂；紫外曝光和显影；金属薄膜沉积和剥离。本发明还公开了上述光谱传感芯片用于生物分子太赫兹光谱测试的方法，包括将宽带太赫兹源照射在加载待测样品的芯片上，通过太赫兹相机捕获图像信息并提取太赫兹光谱信息。本发明实现了在太赫兹频段宽频带、高灵敏的光谱检测。
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公开(公告)号：CN111551514A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010382807.1
申请日：2020-05-08
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/3581 , G01N15/10 , G01N15/14
Abstract: 本发明公开了一种可检测微量细胞的高灵敏太赫兹传感器，包括基底和生长在所述基底上的多个周期结构超材料，所述周期结构的单元结构包括两个开口金属环和一条金属线。本发明还公开了一种将上述太赫兹传感器用于检测微量细胞的方法，在所述单元结构上放置单个细胞。本发明实现太赫兹波段对微量细胞的检测。
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公开(公告)号：CN110048199A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910337443.2
申请日：2019-04-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种局部集成VO2材料的太赫兹主动调制器，包括Al2O3基片，生长在所述Al2O3基片上的局部集成VO2结构的金属谐振器结构，所述金属谐振器结构包括多个周期排列的单元结构。本发明还公开了制备上述局部集成VO2材料的太赫兹主动调制器的方法以及调制方法。本发明结构简单，使用过渡金属氧化物二氧化钒(VO2)，局部集成VO2材料与金属的谐振器结构，器件制备和调制简单快捷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107064051A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710322898.8
申请日：2017-05-09
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/3581
CPC classification number: G01N21/3581
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度、实时监测细胞的太赫兹传感器的制造方法，包括如下步骤：清洗基片；在所述基片上涂覆聚酰亚胺薄膜；在所述聚酰亚胺薄膜上涂覆光刻胶LOR并烘干；在所述光刻胶LOR上涂覆光刻胶AZ601并烘干；对光刻胶进行曝光、显影和烘干；在所述光刻胶AZ601和露出的聚酰亚胺薄膜上蒸发一层金属；将蒸发一层金属的基片浸泡在丙酮溶液中剥离去除剩下的光刻胶AZ601与所述光刻胶AZ601上的一层金属，然后用显影液去除剩余的光刻胶LOR；去除基片：将基片和聚酰亚胺薄膜剥离。本发明还公开了一种将上述太赫兹传感器用于细胞培养皿实时监测细胞状态的方法。本发明实现太赫兹波段高灵敏度、实时传感的监测。
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公开(公告)号：CN115901672B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202211547929.7
申请日：2022-12-05
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/3586
Abstract: 本发明公开了一种新型高灵敏度的可用于无标记超微量传感的太赫兹传感器，包括周期的基础结构和构建在基础结构上的样品阱，所述周期基础结构的单元结构为金属线和两侧开口谐振环组成的类电磁感应透明结构，而样品阱是在双侧谐振环开口上层构建一对方阱结构用于放样。本发明还公开了一种制备所述新型太赫兹传感器的方法以及将所述新型太赫兹传感器用于超微量检测的方法。本发明通过在所述太赫兹传感器的样品阱内放置超微量生物样品，实现了对超微量生物样品的无标记高灵敏度检测。
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公开(公告)号：CN119764850A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411768496.7
申请日：2024-12-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种双层透射式太赫兹惠更斯超表面调控方法及超表面，涉及电磁波与新型人工电磁材料领域，该方法包括：获取超表面的十字结构与耶路撒冷十字结构的臂长参数，并基于臂长参数进行相位结果仿真操作，根据仿真结果确定超表面相位分许；利用超表面相位分许与数据分析建模技术分析在离散相位设定值在超表面上的分布情况，基于分布结果进行超表面太赫兹波束聚焦调控处理。本发明提出的双层透射式太赫兹惠更斯超表面调控方法及超表面，创新性地结合相变材料，使原本功能单一的超表面单元能够在不同的状态下展现不同的特性，且相比于单一的超表面单元结构，在动态太赫兹波束调控方式上进行了十分有意义的探索，增加了调控的效率。
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公开(公告)号：CN119601976A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411755888.X
申请日：2024-12-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了可实现双频点波束调控的可编程太赫兹超表面及其应用，涉及新型人工电磁材料技术领域，该超表面包括若干超表面单元，超表面单元包括石英衬底、谐振层金属、液晶及背板层金属；超表面单元在横向与纵向上均为等间距排列分布，构成矩形阵列结构，超表面单元在纵向上通过金属线相互连接，超表面单元在横向上相互断开；谐振层金属的平面结构为蝶形单连通区域，蝶形单连通区域包括外边界与内边界，且外边界的几何形状为内边界的几何形状的等比例放大。本发明可通过外加不同电压序列在两个太赫兹频点处实现多种调制功能，具体演示为超表面在加载1比特和三态数字编码后实现不同角度的太赫兹波束偏转功能。
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公开(公告)号：CN119394448A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411536122.2
申请日：2024-10-31
Applicant: 南京大学
IPC: G01J5/53
Abstract: 本发明公开了一种低温黑体源辐射功率校准方法，包括如下步骤：搭建低温测试系统，对低温黑体源辐射功率进行校准；改变超导动态电感探测器的浴温，测试不同浴温下超导动态电感探测器的响应曲线，并提取响应幅值；计算对应超导动态电感探测器浴温下准粒子数量；将响应幅值与准粒子数量拟合得到超导动态电感探测器准粒子数关于响应幅值的函数；将探测器浴温降到低于100mK，低温黑体源温度降低到低于4K，改变低温黑体源温度，测试不同黑体源温度下超导动态电感探测器的曲线，并提取幅值；计算得到对应的准粒子数量；由准粒子数量计算低温黑体源辐射功率；计算低温黑体源的辐射效率。本发明能够解决极低温下黑体源太赫兹辐射功率无法校准的问题。
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