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发明公开
一种局部集成VO2材料的太赫兹主动调制器及其制备方法无效

公开(公告)号：CN110048199A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910337443.2

申请日：2019-04-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 张彩虹 , 李花 , 吴敬波 , 金飚兵 , 陈健

IPC: H01P1/20 , H01P7/00 , H01P11/00 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/30

Abstract: 本发明公开了一种局部集成VO2材料的太赫兹主动调制器，包括Al2O3基片，生长在所述Al2O3基片上的局部集成VO2结构的金属谐振器结构，所述金属谐振器结构包括多个周期排列的单元结构。本发明还公开了制备上述局部集成VO2材料的太赫兹主动调制器的方法以及调制方法。本发明结构简单，使用过渡金属氧化物二氧化钒(VO2)，局部集成VO2材料与金属的谐振器结构，器件制备和调制简单快捷。

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