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公开(公告)号：CN112652657A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910959594.1
申请日：2019-10-10
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种沟槽栅型IGBT结构，所述IGBT结构包括：N型参杂发射区(11)、所述P型掺杂深结区(10)、多晶硅假栅极结构(7)；所述多晶硅假栅极结构(7)与所述N型参杂发射区(11)相连，且所述多晶硅假栅极结构(7)的底部插入所述P型掺杂深结区(10)。本发明通过增加多晶硅假栅极结构(7)，降低PNP分量，增强电导调制效应，降低芯片的饱和压降，同时多晶硅假栅极结构(7)与背面金属电极(4)距离近，并与N型掺杂发射区(11)相连，可以有效降低沟槽栅型IGBT芯片元胞区域的传输电容，从而降低IGBT芯片的动态损耗，提升整体性能。
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公开(公告)号：CN111668088A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010345960.7
申请日：2020-04-27
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司泰安供电公司
Abstract: 本发明提供一种碳化硅衬底的处理方法，通过等离子体处理设备对所述碳化硅衬底进行钝化；采用退火炉对钝化后的碳化硅衬底进行高温退火；在高温退火后的碳化硅衬底表面生长氧化层；对碳化硅衬底进行高温退火，可以改善碳化硅衬底表面形貌，减少碳化硅衬底与氧化层界面处杂质的引入，避免退火过程中引入新的杂质，减少氧化层中缺陷，提高氧化层质量，同时可以通过温度和时间精确控制磷原子扩散的结深；本发明通过氧族气体中的氧等离子体消除碳化硅衬底表面残余的碳，利用氮族气体中的氮等离子体和磷族气体中的磷等离子体对碳化硅衬底表面进行钝化，大大降低了界面态密度。
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公开(公告)号：CN118432019A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410398126.2
申请日：2024-04-03
Applicant: 国家电网有限公司华北分部 , 北京科东电力控制系统有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种基于IIDG系统保护的故障电流预测方法及系统，涉及故障电流技术领域，包括获取IIDG系统故障暂态初始期的电网输出数据并进行处理；分析处理后的数据，生成电流的初始尖峰期和暂态过渡期模型，构建参数降阶的故障电流模型，分析故障严重性和性质对PCC处电网电压的影响；基于故障电流模型的结果，产生运维决策，分析IIDG系统潜在问题和维护需求。本发明所述方法通过分析故障电流模型能够精准控制保护动作值，对IIDG系统故障保护进一步分析，大大提高了IIDG逆变器并网的容错性。
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公开(公告)号：CN117200240A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311416125.8
申请日：2023-10-30
Applicant: 华北电力大学 , 国家电网有限公司华北分部
Abstract: 本发明公开一种新能源风机场站暂态过电压量化估计与抑制方法及系统，涉及暂态过电压分析及抑制领域，方法包括：对新能源风机场站中发生短路故障的风机进行暂态过电压过程分析，确定出现新能源机端工频过电压峰值的阶段并确定新能源机端输出的有功无功电流和新能源机端暂态过电压峰值表达式；确定新能源机端暂态过电压的影响因素及各影响因素对应的影响规律，并确定添加无功功率补偿设备的新能源机端能够实现抑制暂态过电压的无功比例系数值范围。本发明提供了包含新能源输出的有功电流和无功电流的过电压计算公式。另外，考虑了添加无功补偿设备SVG对新能源过电压的影响，并给出了考虑SVG后的新能源低电压穿越控制参数优化方法。
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公开(公告)号：CN116484565A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202211542480.5
申请日：2022-12-02
Applicant: 国网辽宁省电力有限公司经济技术研究院 , 国网经济技术研究院有限公司 , 西安交通大学 , 清华大学 , 国家电网有限公司华北分部
Inventor： 王勇 , 张艳 , 韩震焘 , 刘栋 , 梁毅 , 王智冬 , 王志维 , 王秀丽 , 王邦彦 , 李华 , 芦思晨 , 高嘉文 , 张宁 , 路朋 , 周沫 , 赵伟 , 潘艳 , 徐鹏 , 韩亮 , 史喆 , 王麒翔 , 包津铭
IPC: G06F30/20 , G06F111/08 , G06F113/04 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了基于时变故障率模型和时序模拟的可靠性评估方法及系统包括：获取电网元件历史运行参数和外部运行条件，统计元件历史故障频率和修复率，计算元件故障率和故障概率；基于外部运行条件计算气象灾害发生概率和各气象灾害导致设备故障的故障率，构建元件时变故障率模型；利用时序模拟法获取天气条件，基于天气抽样精度进行天气自适应重复抽样；利用元件时变故障率模型获取元件故障率和故障概率；基于抽样结果、故障率和故障概率获取短期系统情况时序曲线，计算电网可靠性指标。本发明能更准确地描述时间及环境相关的电网故障率，既反映天气对于系统可靠性的影响，又反映恶劣天气下的系统典型时序状态，对恶劣天气下系统故障情况提供参考。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116345482A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111590215.X
申请日：2021-12-23
Applicant: 国家电网有限公司华北分部 , 南京南瑞继保工程技术有限公司 , 南京南瑞继保电气有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新能源场站集中式协调控制方法及装置，适用于光伏协调控制和储能协调控制，通过采集场站主电路并网点参数信息进行惯量响应、低电压穿越的策略计算，并通过电流分配逻辑，完成光伏储能系统在动态工况下的惯量响应、低电压穿越的集中式协调控制；利用集中式协调控制方法，提出了一种集中式协调控制装置，包括光伏储能协调控制器、光伏协调控制器和储能协调控制器，利用提出的协调控制装置，实现新能源场内各变流器单元针对动态性能优化的集中式协调控制。本发明适用于优化新能源场站动态性能，实现动态工况下低电压穿越和惯量响应的集中协调控制，提高响应一致性，同时可根据不同用户需求设置不同的控制策略，实现多用途开发。
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公开(公告)号：CN111368464B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202010340549.0
申请日：2020-04-26
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F115/12
Abstract: 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置，所述方法包括：将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置；获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据，所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据；获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据，所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据；将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配，所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片；计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差；随机更换所述多个目标芯片，以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。
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公开(公告)号：CN111505018A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010322087.X
申请日：2020-04-22
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开一种半导体晶圆的检测设备，包括：底座；支撑杆，从所述底座垂直向上延伸；真空吸笔台，垂直于所述支撑杆设置，所述真空吸笔台上横向分布有多个真空吸笔，所述真空吸笔的端部包括用于放置待测晶圆的吸附盘；真空发生器，与所述真空吸笔台相连，用于为所述多个真空吸笔提供真空负压；LED灯，设置在所述支撑杆上方，用于为放置在所述多个真空吸笔上的待测晶圆提供照明。可以一次性同时放置多枚晶圆，从而辅助检测人员快速进行晶圆检测的切换，提高检测效率。本发明的检测设备中还包括LED灯，可以在环境光线不佳的情况下提供补充光源，从而提高晶圆检测的质量。
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公开(公告)号：CN111368464A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010340549.0
申请日：2020-04-26
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F115/12
Abstract: 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置，所述方法包括：将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置；获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据，所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据；获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据，所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据；将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配，所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片；计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差；随机更换所述多个目标芯片，以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。
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公开(公告)号：CN110246814A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910467609.2
申请日：2019-05-30
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司晋城供电公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，功率芯片的第二电极位于晶圆的第二表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在功率芯片的第二电极上；利用封装材料填充第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片终端耐压的可靠性。
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