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公开(公告)号：CN113091776B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110337253.8
申请日：2021-03-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01D5/12
Abstract: 本发明属于智能传感技术领域，具体涉及一种压电传感器及其制备方法和回收降解方法，柔性压电传感器中的压电复合物由分子铁电体晶体和可降解水凝胶构成，分子铁电体晶体嵌入于水凝胶的网状结构中，制备方法为：将可降解水凝胶浸泡在分子铁电体的水溶液中，使水凝胶完全浸润；将完全浸润的水凝胶烘干得到压电复合物。通过将上述压电复合物浸泡在水溶液中，分子铁电体离开水凝胶并以离子的形式溶于水溶液；对该水溶液蒸发结晶得到分子铁电体晶体并回收，同时对水凝胶生物降解，完成回收降解。本发明压电传感器在保证性能的同时可以以简便工艺实现回收、降解，满足便捷性、功能性与环境友好性兼顾的应用需求。
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公开(公告)号：CN108007810B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201711103503.1
申请日：2017-11-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N5/02
Abstract: 本发明公开了一种基于石英晶体微天平(QCM)的化学传感器及其制备方法，包括：石英晶体振荡片和涂覆在所述石英晶体振荡片上的敏感层，所述敏感层的材料为量子点或量子线。将胶体量子点或量子线涂覆在石英晶振表面均匀成膜，再利用适当的盐溶液进行配体处理，以去除量子点或量子线表面的长链配体。利用胶体量子点或量子线作为敏感层的QCM化学传感器与现有QCM化学传感器相比，敏感层能够在室温成膜并且结晶性好，工艺简便，能够在器件中保持纳米材料的高比表面积和活性，响应及恢复时间较快，并且响应高。
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公开(公告)号：CN107459350B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201710696022.X
申请日：2017-08-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种介电储能反铁电陶瓷材料及其制备方法，其中制备方法包括：将储能密度负温度系数反铁电陶瓷材料和储能密度正温度系数反铁电陶瓷材料按照质量比(30‑80)：(20‑70)混合得到混合粉末；向混合粉末中添加聚乙烯醇溶液，然后烧结得到介电储能反铁电陶瓷材料。本发明通过将储能密度负温度系数反铁电陶瓷材料和储能密度正温度系数反铁电陶瓷材料固溶，获得了在宽温区范围内(20℃‑150℃)，储能密度稳定性＞85％、储能效率为85％(150℃)且最低储能密度为2.77J/cm3的储能材料。本发明解决了现有的反铁电陶瓷材料存在温度稳定性差的技术问题，这对反铁电储能陶瓷材料的实际应用具有重要价值。
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公开(公告)号：CN108007810A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711103503.1
申请日：2017-11-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N5/02
Abstract: 本发明公开了一种基于石英晶体微天平(QCM)的化学传感器及其制备方法，包括：石英晶体振荡片和涂覆在所述石英晶体振荡片上的敏感层，所述敏感层的材料为量子点或量子线。将胶体量子点或量子线涂覆在石英晶振表面均匀成膜，再利用适当的盐溶液进行配体处理，以去除量子点或量子线表面的长链配体。利用胶体量子点或量子线作为敏感层的QCM化学传感器与现有QCM化学传感器相比，敏感层能够在室温成膜并且结晶性好，工艺简便，能够在器件中保持纳米材料的高比表面积和活性，响应及恢复时间较快，并且响应高。
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公开(公告)号：CN104944935A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510309880.5
申请日：2015-06-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高能量吸收能力的氧化锌压敏电阻陶瓷及其制备方法。该陶瓷由氧化锌压敏电阻基础原料及金属粉添加剂经球磨混料、干压成形和气氛烧结制备，所述原料及摩尔比为ZnO(91.494-94.894mol％)，Bi2O3(1.0-1.5mol％)，Sb2O3(0.8-1.2mol％)，Cr2O3(0.3-0.5mol％)，Ni2O3(0.2-0.4mol％)，MnCO3(0.5-1.0mol％)，SiO2(0.5-1.5mol％)，Co2O3(0.5-1.0mol％)，MgO(0.5-1.0mol％)，Al(NO3)3·9H2O(0-0.006mol％)；所述金属粉添加剂为Zn、Al中的一种，其摩尔比为0.08-3.0mol％。本发明提出的氧化锌压敏电阻陶瓷制备方法在传统的烧结工艺上加以气氛烧结工艺后，有效改善了氧化锌压敏电阻的小电流和大电流性能，降低了残压性能，提高了耐大电流冲击能力，具有优异的电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103641477B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310659224.9
申请日：2013-12-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/493 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种反铁电储能陶瓷材料及其制备方法。反铁电陶瓷材料由质量分数为k的四方反铁电相和质量分数为（1-k）的正交反铁电相复合而成；四方反铁电相为(Pb0.87-1.5xBa0.1La0.02Mx)(Zr0.95-ySnyTi0.05)O3，正交反铁电相为(Pb0.97La0.02)(Zr0.95-zSn0.05Tiz)O3，其中，M为Y、Eu和Yb中的一种，x=0～0.015，y=0.25～0.45，z=0.03～0.05，k=40%～60%。制备方法包括如下步骤：（1）制备四方相反铁电陶瓷粉体；（2）制备正交相反铁电陶瓷粉体；（3）将四方相反铁电陶瓷粉体和正交相反铁电陶瓷粉体按质量百分比复合得到反铁电储能陶瓷材料。该反铁电陶瓷材料在保持较高的饱和极化强度的同时，获得较大的铁电-反铁电相变场，从而使储能密度得到大幅提高。
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公开(公告)号：CN101625268B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910063080.4
申请日：2009-07-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备多孔钛酸锶钡场致热释电陶瓷的方法，先将原料按各自化学式中的化学计量比进行混合，再对混合物进行预烧，温度为800～1200℃，保温时间为1～6小时，得到预烧后的陶瓷粉体；然后加入有机物造孔剂，混合均匀后压片成形；再加热使有机物排除；进行烧结、磨片、清洗、上电极和烧电极。本发明制备的多孔BST场致热释电陶瓷具有较高的热释电系数，低的介电损耗和合适的介电常数，具有良好综合热释电性能，符合制作热释电红外探测器的要求。
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公开(公告)号：CN101260217A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810047179.0
申请日：2008-03-28
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P20/125
Abstract: 本发明公开了一种复合热释电材料及其制备方法与制备硅基厚膜的方法，材料为聚偏二氟乙烯与Pb1+x(Sc0.5Ta0.5)O3纳米陶瓷粉体的复合材料，0.05≤x≤0.1，其中纳米陶瓷粉体的体积分数为30～70％。复合热释电材料的制备方法及其硅基厚膜的方法包括：①配制钪钽酸铅先驱体溶胶，并利用溶胶制备钪钽酸铅纳米粉；②体制备PVDF溶液并制备钪钽酸铅PVDF复合浆料；③硅基片预处理后沉积隔热层和底电极；④旋涂沉积复合热释电厚膜；⑤沉积上电极后极化。本发明材料兼有有机和无机热释电材料的优点，介电常数小，热导率低，电压响应优值很高；成膜温度极低，适合于半导体集成工艺；复合热释电厚膜厚度在5～20μm可以控制，成膜效率较高。
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公开(公告)号：CN119208013A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411331641.5
申请日：2024-09-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电子信息材料与元器件技术领域，公开了一种具有异质结构的高储能反铁电多层电容器及其制备方法，该具有异质结构的反铁电多层电容器包括自下而上堆叠的多层反铁电材料层，相邻2层反铁电材料层之间设置有电极；多层反铁电材料层中同时包括电致应变较大的和电致应变较小的反铁电材料层；与每个电致应变较大的反铁电材料层相邻的上一层和下一层均为电致应变较小的反铁电材料层。本发明同时使用电致应变较大的和电致应变较小的反铁电材料层，并使得与每个电致应变较大的反铁电材料层相邻的上一层和下一层均为电致应变较小的反铁电材料层，得到的异质结构的高储能反铁电多层电容器同时具有高的储能密度和高的储能效率。
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公开(公告)号：CN117214265B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311104927.5
申请日：2023-08-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提出了一种检测亚硝酸根离子的电化学传感器及其制备方法，所述电化学传感器包括玻璃碳电极，所述玻璃碳电极上沉积有Au@MoS2/rGO/WO3电极。通过制备形成Au修饰的MoS2/rGO/WO3复合基电化学传感器，并将其应用于检测亚硝酸根离子，由于贵金属组分引起的局域表面等离子共振效应，会促使该电极产生强电流，显著促进亚硝酸根离子的催化氧化，促使电化学传感器响应更快更显著；同时通过设计具有快速异质电子转移速率的电极材料，将导致电化学亚硝酸根离子传感的过电位显著降低；克服了现有电化学传感器受到低温、碱金属、有机硅蒸汽以及缺氧的影响，导致其性能降低的问题。
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