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公开(公告)号：CN101409145A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810048534.6
申请日：2008-07-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种可承载大电流的电感器，包括至少一个线圈，线圈沿同一圆周均匀分布并依次串联；所述线圈包括比特型线圈和套在其外部的加固机构，比特型线圈由交错叠加的导体板和绝缘层构成，相邻导体板串联。本发明能加载高达几十乃至上百千安的电流，其对外界的电磁干扰低，电感值可进行一定的调节，等效电阻小，而且结构简单坚固，加工方便，可应用于多种电源装置中，还可以用于一些电气设备和电力系统中，作为保护电感用于电路中可以对晶闸管开关等贵重设备以及电源和充电系统起到保护作用。
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公开(公告)号：CN119582489A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411705521.7
申请日：2024-11-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02K1/274 , H02K1/2789 , H02K15/035 , H02K15/038 , G06F30/17 , G06F30/20
Abstract: 本申请属于永磁伺服电机技术领域，具体公开了一种转子、充磁设备、伺服电机和其结构参数优化方法。通过本申请，采用先装配磁钢后充磁的整体充磁技术，将未充磁的永磁块装配到转子上，通过脉冲强磁场装备对转子整体充磁，从而降低了装配难度，提高了装配精度。能够在相同永磁体用量的情况下，获得比采用Halbach阵列的传统伺服电机更好的性能，且易于加工和制造。基于理论模型的优化结果，采用有限元法进行更为准确的优化，得到比Halbach阵列更优的设计参数。在永磁体用量不变的前提下使得离散充磁永磁电机转矩显著提高且转矩脉动显著降低，使得离散充磁永磁电机在伺服电机领域或更多场合具有更大的竞争力和有望成为永磁电机的较低成本的替代方案。
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公开(公告)号：CN118571593B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410650658.0
申请日：2024-05-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种具有内外双层结构导体的单匝线圈式破坏性脉冲磁体。通过本申请，内外双层结构导体由位于内层的铜导体和位于外层的钨导体组成，或者，由位于内层的铜导体和位于外层的钽导体组成。在放电时，一方面，由于钨或钽的电导率远低于铜的电导率，因此电流会被迫尽可能多地流经内层铜导体，几乎所有的电流都集中在内层铜导体上，沿径向向外层导体的电磁扩散效应得到了抑制；另一方面，由于钨或钽的密度远大于铜的密度，在内层导体受到巨大电磁力而发生沿径向向外的冲击变形时，外层导体发挥对内层导体的质量阻尼作用，抑制内层导体的变形，延缓内层导体的破坏时间。单匝线圈磁体的峰值磁场得到提高。
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公开(公告)号：CN118629745B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410909448.9
申请日：2024-07-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种采用爆炸抑制冲击变形的单匝线圈式破坏性脉冲磁体。本申请包括一匝磁体线圈和环绕在磁体线圈外侧的爆炸层，在单匝线圈放电时，爆炸层被同步引爆，采用爆炸产生的冲击力作用于导体的外表面的方式来抑制导体变形，利用爆炸产生的爆轰波迫使导体减缓其在巨大电磁力下的变形过程。由于爆炸产生的压力极大，在量级上足以和电磁力进行抗衡，因此可以有效地抑制导体变形，从而在不升级电源系统的前提下提高中心点的磁场。此外，由于单匝线圈本身属于破坏性脉冲磁体，且放电电路的电磁惯性通常小于线圈的质量惯性，以及冲击波的机械惯性，因此爆炸并不会对磁体性能造成恶劣影响。
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公开(公告)号：CN118888252A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410951929.6
申请日：2024-07-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种单匝线圈式破坏性脉冲磁体，该脉冲磁体包括：磁体线圈、预冷却包层和两块平行布置的放电电极板；预冷却包层为线圈状，用于包裹磁体线圈，对磁体线圈进行预冷却；磁体线圈为单匝线圈，其两端裸露在预冷却包层外面，分别对应连接一块放电电极板，用于线圈放电；预冷却包层包括绝缘外壳和容纳腔室，绝缘外壳包括外圈绝缘外壳、侧面绝缘外壳和内圈绝缘外壳，外圈绝缘外壳和/或侧面绝缘外壳上设置有用于加注冷却剂的开口；容纳腔室用于填充冷却剂。通过本申请可在抑制电磁扩散效应和阻尼线圈变形的双重作用下，提高线圈产生的磁场，改善线圈磁体的电流‑磁场转换效率，提升线圈内测试样品的检测效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118737616A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410909449.3
申请日：2024-07-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种采用涡流匀场的单匝线圈式破坏性脉冲磁体。包括一匝安装在外侧的磁体线圈和安装在内侧的单匝无源闭合线圈。磁体线圈内侧的单匝无源闭合线圈因电磁感应产生出与磁体线圈电磁瞬态效应相抵抗的涡流，并屏蔽由此引发的对磁场均匀度的不利影响，有效提高磁场均匀度。由于单匝无源闭合线圈由电导率较低的材料制成，因此涡流明显小于磁体线圈中的放电电流，不会对磁场产生明显的削弱，反而可以对陡峭的磁场梯度进行补偿，把磁场梯度控制在较平缓的范围内。同时，由于单匝无源闭合线圈具有较高的模量，可抑制其在放电时沿径向向内的变形，保全其内部的试验样品。
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公开(公告)号：CN116864263A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311037988.4
申请日：2023-08-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01F13/00
Abstract: 本申请公开一种永磁装置充磁方法和永磁充磁设备，连续磁极的方法包括：在初始状态下向充磁装置通第一电流，测量初始磁场方向；当初始磁场方向与第一公式中对应的取向方向之间的最大差值大于或者等于预设差值阈值时，对初始状态中至少一项进行调整，直至获得目标磁场方向时放置磁粉，向充磁装置通第二电流完成取向；对充磁装置通第三电流，使永磁体饱和充磁。分块磁极的方法包括：当每个永磁体分块在磁粉状态时，按照第二公式对各永磁体分块进行取向，使得每个永磁体分块的取向为一个固定数值角度；将固化后的永磁体分块组装成一个没有间隔的永磁体；在将充磁装置放置于与永磁装置的永磁体相邻的一侧后，对充磁装置通第四电流，使永磁体饱和充磁。
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公开(公告)号：CN112397206B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202011376152.3
申请日：2020-11-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种场反等离子体磁压缩装置及方法，属于磁约束核聚变领域，装置包括真空腔室、环绕真空腔室的压缩线圈、电源模块；电源模块中的第一供电模块通过压缩线圈在真空腔室中产生第一压缩磁场；当第一压缩磁场上升到最大值时，第二供电模块接入并通过压缩线圈在真空腔室中产生第二压缩磁场，使得真空腔室中的磁场持续上升，以对真空腔室中的场反等离子体进行级联磁压缩。将等离子体快速加热至高温状态后，接通另一供电模块保证线圈电流继续上升，从而保持一定的加热功率以抵消等离子体中的输运和辐射损失，并且大幅延长等离子体寿命和聚变反应时间；线圈电流升至最大值时可将线圈磁能回馈至电网或电源模块，实现能量回收，提高压缩效率。
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公开(公告)号：CN114613569B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210257830.7
申请日：2022-03-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01F13/00
Abstract: 本发明公开一种永磁磁环轴向充磁的方法及装置，方法包括：将待充永磁磁环模块放置于充磁线圈中，并在待充永磁磁环模块内圆区域设置屏蔽器；当对充磁线圈施加瞬变电流时，充磁线圈在其内部区域产生方向为永磁磁环轴向且强度变化的原磁场，所述原磁场在所述屏蔽器内感生涡流以产生附加磁场，在待充永磁磁环模块区域，所述附加磁场与所述原磁场的方向相同；所述附加磁场与所述原磁场叠加，使得所述待充永磁磁环模块区域充磁磁场强度增大，以对所述待充永磁磁环模块进行轴向充磁。通过上述方法可以实现永磁磁环的轴向充磁，解决了现有技术通过螺线圈实现永磁磁环轴向充磁方式中由于充磁磁场能量分散而导致的轴向充磁过程中能量的转化效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN113903542B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111027887.X
申请日：2021-09-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01F13/00
Abstract: 本发明提供一种直线型Halbach阵列的充磁方法及装置，该方法包括：将不同待磁化方向的多个永磁体按照预设规律排列成直线阵列；将主线圈置于直线阵列的正上方或正下方，并沿着直线阵列的直线方向平移，以对多个永磁体分步充磁，每一步充磁将一个主磁体完全磁化，且磁化与主磁体相邻辅助磁体的部分区域；当主线圈会对已充磁永磁体造成退磁影响时，在已充磁永磁体附近区域加入辅助线圈，改变已充磁永磁体附近区域的磁场分布，以减小退磁影响；对所有永磁体充磁完毕后，得到直线型Halbach阵列。本发明可以克服Halbach永磁电机预充磁装配困难的问题，本发明还能避免在Halbach阵列进行常规整体充磁时充磁磁场会使已充磁区域发生退磁的问题。
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