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公开(公告)号：CN118571593B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410650658.0
申请日：2024-05-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种具有内外双层结构导体的单匝线圈式破坏性脉冲磁体。通过本申请，内外双层结构导体由位于内层的铜导体和位于外层的钨导体组成，或者，由位于内层的铜导体和位于外层的钽导体组成。在放电时，一方面，由于钨或钽的电导率远低于铜的电导率，因此电流会被迫尽可能多地流经内层铜导体，几乎所有的电流都集中在内层铜导体上，沿径向向外层导体的电磁扩散效应得到了抑制；另一方面，由于钨或钽的密度远大于铜的密度，在内层导体受到巨大电磁力而发生沿径向向外的冲击变形时，外层导体发挥对内层导体的质量阻尼作用，抑制内层导体的变形，延缓内层导体的破坏时间。单匝线圈磁体的峰值磁场得到提高。
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公开(公告)号：CN118629745B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410909448.9
申请日：2024-07-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种采用爆炸抑制冲击变形的单匝线圈式破坏性脉冲磁体。本申请包括一匝磁体线圈和环绕在磁体线圈外侧的爆炸层，在单匝线圈放电时，爆炸层被同步引爆，采用爆炸产生的冲击力作用于导体的外表面的方式来抑制导体变形，利用爆炸产生的爆轰波迫使导体减缓其在巨大电磁力下的变形过程。由于爆炸产生的压力极大，在量级上足以和电磁力进行抗衡，因此可以有效地抑制导体变形，从而在不升级电源系统的前提下提高中心点的磁场。此外，由于单匝线圈本身属于破坏性脉冲磁体，且放电电路的电磁惯性通常小于线圈的质量惯性，以及冲击波的机械惯性，因此爆炸并不会对磁体性能造成恶劣影响。
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公开(公告)号：CN118737616A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410909449.3
申请日：2024-07-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种采用涡流匀场的单匝线圈式破坏性脉冲磁体。包括一匝安装在外侧的磁体线圈和安装在内侧的单匝无源闭合线圈。磁体线圈内侧的单匝无源闭合线圈因电磁感应产生出与磁体线圈电磁瞬态效应相抵抗的涡流，并屏蔽由此引发的对磁场均匀度的不利影响，有效提高磁场均匀度。由于单匝无源闭合线圈由电导率较低的材料制成，因此涡流明显小于磁体线圈中的放电电流，不会对磁场产生明显的削弱，反而可以对陡峭的磁场梯度进行补偿，把磁场梯度控制在较平缓的范围内。同时，由于单匝无源闭合线圈具有较高的模量，可抑制其在放电时沿径向向内的变形，保全其内部的试验样品。
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公开(公告)号：CN118629745A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410909448.9
申请日：2024-07-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种采用爆炸抑制冲击变形的单匝线圈式破坏性脉冲磁体。本申请包括一匝磁体线圈和环绕在磁体线圈外侧的爆炸层，在单匝线圈放电时，爆炸层被同步引爆，采用爆炸产生的冲击力作用于导体的外表面的方式来抑制导体变形，利用爆炸产生的爆轰波迫使导体减缓其在巨大电磁力下的变形过程。由于爆炸产生的压力极大，在量级上足以和电磁力进行抗衡，因此可以有效地抑制导体变形，从而在不升级电源系统的前提下提高中心点的磁场。此外，由于单匝线圈本身属于破坏性脉冲磁体，且放电电路的电磁惯性通常小于线圈的质量惯性，以及冲击波的机械惯性，因此爆炸并不会对磁体性能造成恶劣影响。
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公开(公告)号：CN117647762B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202410126095.5
申请日：2024-01-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电磁测量技术领域，具体公开了一种测量电磁体磁场空间位型分布的方法，该方法包括以下步骤：向电磁体中通入电流产生待测磁场；分别测量电磁体外和/或电磁体内至少一个点位处的第一磁感应强度；获取被测点位处对应的第一磁感应强度与第一磁感应强度相关的工作电流间的第一比值；基于第一比值获取待测磁场的空间位型分布。本发明能实现电磁体磁场空间位型的精确测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118335446B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410624294.9
申请日：2024-05-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种单匝线圈式破坏性脉冲匀场磁体。通过本申请，线圈内表面轴向上被制成一个圆弧状的内凹面，所述内凹面相对于中间径向平面对称。在磁场达到峰值时，尽管导体已经发生很大的变形，但内表面仍然能够保持明显的凹面形状。由于线圈内表面是内凹面，在趋肤效应和电磁扩散效应的作用下，电流密度将会尽可能多地集中在导体内表面的上下棱处，对线圈中心点形成等效亥姆霍兹双线圈效应，显著提高磁场均匀度。本发明在不改变电源容量和电源电压的条件下，相比传统单匝线圈磁体有效提高磁场均匀度，并有效增加均匀磁场的空间体积，且能够以较为简单的工艺，达到提高破坏性脉冲磁体磁场均匀程度。
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公开(公告)号：CN118571593A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410650658.0
申请日：2024-05-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种具有内外双层结构导体的单匝线圈式破坏性脉冲磁体。通过本申请，内外双层结构导体由位于内层的铜导体和位于外层的钨导体组成，或者，由位于内层的铜导体和位于外层的钽导体组成。在放电时，一方面，由于钨或钽的电导率远低于铜的电导率，因此电流会被迫尽可能多地流经内层铜导体，几乎所有的电流都集中在内层铜导体上，沿径向向外层导体的电磁扩散效应得到了抑制；另一方面，由于钨或钽的密度远大于铜的密度，在内层导体受到巨大电磁力而发生沿径向向外的冲击变形时，外层导体发挥对内层导体的质量阻尼作用，抑制内层导体的变形，延缓内层导体的破坏时间。单匝线圈磁体的峰值磁场得到提高。
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公开(公告)号：CN117637309B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311784566.3
申请日：2023-12-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磁体线圈的轴向减压结构和具有该减压结构的磁体，属于磁体结构优化技术领域。包括：第一端部磁体、第二端部磁体和固定组件；所述第一端部磁体和第二端部磁体分别固定放置在磁体线圈轴向两端，且与磁体线圈存在轴向间隙，用于在端部磁体通电时，与通电的磁体线圈之间形成相互的磁场吸引力；固定组件，用于固定第一端部磁体和第二端部磁体，使端部磁体保持与磁体线圈之间的轴向间隙。本发明通过磁体线圈轴向两端的端部磁体在通电时与通电磁体线圈之间产生的相互磁场吸引力，减小磁体线圈的轴向压应力，提升高场磁体的使用寿命。
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公开(公告)号：CN117647762A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202410126095.5
申请日：2024-01-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电磁测量技术领域，具体公开了一种测量电磁体磁场空间位型分布的方法，该方法包括以下步骤：向电磁体中通入电流产生待测磁场；分别测量电磁体外和/或电磁体内至少一个点位处的第一磁感应强度；获取被测点位处对应的第一磁感应强度与第一磁感应强度相关的工作电流间的第一比值；基于第一比值获取待测磁场的空间位型分布。本发明能实现电磁体磁场空间位型的精确测量。
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公开(公告)号：CN118737616B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410909449.3
申请日：2024-07-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种采用涡流匀场的单匝线圈式破坏性脉冲磁体。包括一匝安装在外侧的磁体线圈和安装在内侧的单匝无源闭合线圈。磁体线圈内侧的单匝无源闭合线圈因电磁感应产生出与磁体线圈电磁瞬态效应相抵抗的涡流，并屏蔽由此引发的对磁场均匀度的不利影响，有效提高磁场均匀度。由于单匝无源闭合线圈由电导率较低的材料制成，因此涡流明显小于磁体线圈中的放电电流，不会对磁场产生明显的削弱，反而可以对陡峭的磁场梯度进行补偿，把磁场梯度控制在较平缓的范围内。同时，由于单匝无源闭合线圈具有较高的模量，可抑制其在放电时沿径向向内的变形，保全其内部的试验样品。
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