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公开(公告)号：CN118888253A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410951932.8
申请日：2024-07-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种单匝线圈式破坏性脉冲磁体。该脉冲磁体包括：磁体线圈和两块平行布置的放电电极板；所述磁体线圈为单匝线圈，所述单匝线圈包括依次连接的外层金属层和内层金属层，所述内层金属层的电导率小于所述外层金属层的电导率，且在垂直于穿过所述单匝线圈的中心轴线的径向上，所述内层金属层的第一厚度小于所述外层金属层的第二厚度；所述单匝线圈的两端分别对应连接一块所述放电电极板，用于线圈放电。通过本申请可以有效抑制线圈内表面向空气域的热传导过程，防止对线圈孔径内样品的热破坏；同时，可以防止线圈中心点产生的磁场减小的情况发生，保证测试性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118737616B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410909449.3
申请日：2024-07-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种采用涡流匀场的单匝线圈式破坏性脉冲磁体。包括一匝安装在外侧的磁体线圈和安装在内侧的单匝无源闭合线圈。磁体线圈内侧的单匝无源闭合线圈因电磁感应产生出与磁体线圈电磁瞬态效应相抵抗的涡流，并屏蔽由此引发的对磁场均匀度的不利影响，有效提高磁场均匀度。由于单匝无源闭合线圈由电导率较低的材料制成，因此涡流明显小于磁体线圈中的放电电流，不会对磁场产生明显的削弱，反而可以对陡峭的磁场梯度进行补偿，把磁场梯度控制在较平缓的范围内。同时，由于单匝无源闭合线圈具有较高的模量，可抑制其在放电时沿径向向内的变形，保全其内部的试验样品。
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公开(公告)号：CN118629745A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410909448.9
申请日：2024-07-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种采用爆炸抑制冲击变形的单匝线圈式破坏性脉冲磁体。本申请包括一匝磁体线圈和环绕在磁体线圈外侧的爆炸层，在单匝线圈放电时，爆炸层被同步引爆，采用爆炸产生的冲击力作用于导体的外表面的方式来抑制导体变形，利用爆炸产生的爆轰波迫使导体减缓其在巨大电磁力下的变形过程。由于爆炸产生的压力极大，在量级上足以和电磁力进行抗衡，因此可以有效地抑制导体变形，从而在不升级电源系统的前提下提高中心点的磁场。此外，由于单匝线圈本身属于破坏性脉冲磁体，且放电电路的电磁惯性通常小于线圈的质量惯性，以及冲击波的机械惯性，因此爆炸并不会对磁体性能造成恶劣影响。
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公开(公告)号：CN118629745B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410909448.9
申请日：2024-07-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种采用爆炸抑制冲击变形的单匝线圈式破坏性脉冲磁体。本申请包括一匝磁体线圈和环绕在磁体线圈外侧的爆炸层，在单匝线圈放电时，爆炸层被同步引爆，采用爆炸产生的冲击力作用于导体的外表面的方式来抑制导体变形，利用爆炸产生的爆轰波迫使导体减缓其在巨大电磁力下的变形过程。由于爆炸产生的压力极大，在量级上足以和电磁力进行抗衡，因此可以有效地抑制导体变形，从而在不升级电源系统的前提下提高中心点的磁场。此外，由于单匝线圈本身属于破坏性脉冲磁体，且放电电路的电磁惯性通常小于线圈的质量惯性，以及冲击波的机械惯性，因此爆炸并不会对磁体性能造成恶劣影响。
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公开(公告)号：CN118888252A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410951929.6
申请日：2024-07-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种单匝线圈式破坏性脉冲磁体，该脉冲磁体包括：磁体线圈、预冷却包层和两块平行布置的放电电极板；预冷却包层为线圈状，用于包裹磁体线圈，对磁体线圈进行预冷却；磁体线圈为单匝线圈，其两端裸露在预冷却包层外面，分别对应连接一块放电电极板，用于线圈放电；预冷却包层包括绝缘外壳和容纳腔室，绝缘外壳包括外圈绝缘外壳、侧面绝缘外壳和内圈绝缘外壳，外圈绝缘外壳和/或侧面绝缘外壳上设置有用于加注冷却剂的开口；容纳腔室用于填充冷却剂。通过本申请可在抑制电磁扩散效应和阻尼线圈变形的双重作用下，提高线圈产生的磁场，改善线圈磁体的电流‑磁场转换效率，提升线圈内测试样品的检测效果。
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公开(公告)号：CN118737616A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410909449.3
申请日：2024-07-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种采用涡流匀场的单匝线圈式破坏性脉冲磁体。包括一匝安装在外侧的磁体线圈和安装在内侧的单匝无源闭合线圈。磁体线圈内侧的单匝无源闭合线圈因电磁感应产生出与磁体线圈电磁瞬态效应相抵抗的涡流，并屏蔽由此引发的对磁场均匀度的不利影响，有效提高磁场均匀度。由于单匝无源闭合线圈由电导率较低的材料制成，因此涡流明显小于磁体线圈中的放电电流，不会对磁场产生明显的削弱，反而可以对陡峭的磁场梯度进行补偿，把磁场梯度控制在较平缓的范围内。同时，由于单匝无源闭合线圈具有较高的模量，可抑制其在放电时沿径向向内的变形，保全其内部的试验样品。
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