公开(公告)号：CN119937719A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510030086.0

申请日：2025-01-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吕以亮 ,  康志伟 ,  葛翱铭 ,  叶艳平 ,  王宁 ,  彭涛

IPC: G05F7/00 ,  H01F5/00 ,  H01F27/40

Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种强磁场系统。其中，控制模块为磁开关复位电路提供复位信号，且为RSD预触发电路提供触发信号；RSD预触发电路在接收到触发信号后，为RSD反向充电触发其导通；放电主电路在磁开关饱和且RSD反向充电后向单匝线圈馈入高于预设阈值的幅值和电流上升率的脉冲电流，进而在单匝线圈中产生强磁场。本申请可重复多次放电在单匝线圈中产生高幅值磁场。

公开(公告)号：CN119937720A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510031684.X

申请日：2025-01-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吕以亮 ,  王宁 ,  葛翱铭 ,  叶艳平 ,  康志伟 ,  彭涛

IPC: G05F7/00 ,  H01F5/00 ,  H01F27/40 ,  H01F5/04

Abstract: 本申请属于脉冲磁体领域，具体公开了一种复合母排结构及具有其的单匝线圈磁体系统，复合母排结构包括：N组母排；每组母排包括：正母排和负母排；N组母排分散分布设置在磁隔离开关内外部，正母排的一端连接一个电容器的正极，另一端绝缘穿过磁隔离开关内部，负母排的一端连接该电容器的负极，另一端绝缘紧贴在磁隔离开关外部；正母排和负母排均由多个子母排连接构成，同种类的子母排相互平行对齐；第一种子母排为平行于磁隔离开关径向的子母排，第二种子母排为平行于磁隔离开关轴向的直板式子母排，第三种子母排为平行于磁隔离开关轴向的圆弧状子母排。通过本申请，实现单匝线圈磁体的低电感复合母排结构，进而显著提高磁场强度。

公开(公告)号：CN119517538A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411622532.9

申请日：2024-11-14

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 葛翱铭 ,  彭涛 ,  吕以亮 ,  王宁 ,  康志伟 ,  黄一航 ,  李亮

IPC: H01F5/00 ,  H01F27/40

Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了纳秒级、千特斯拉、半破坏性超强磁场发生装置和方法。通过本申请，磁压缩电路的输出通过电极板连接到一螺线管，通过磁压缩电路让放电电流上升沿时间减小到几纳秒到几十纳秒，虽然螺线管的电感较大，但由于放电电流脉宽很窄，且磁压缩电路的输出电压可高达几百千伏而不依赖气体开关控制，因此仍然能够让螺线管的放电电流达到几百kA。由于螺线管匝数较多且具有较高的电流‑磁场转换效率，因此可以产生1000T以上的磁场。同时，极短的电流上升沿可以充分减小线圈在达到峰值磁场前的变形，确保峰值磁场可以在线圈破坏前产生。

公开(公告)号：CN118888253A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410951932.8

申请日：2024-07-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 彭涛 ,  葛翱铭 ,  吕以亮 ,  李亮 ,  王宁 ,  康志伟 ,  黄一航 ,  刘政阳 ,  杨浩诚

IPC: H01F7/20 ,  H01F27/28 ,  H01F27/08 ,  H01F27/40 ,  H01F27/34

Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种单匝线圈式破坏性脉冲磁体。该脉冲磁体包括：磁体线圈和两块平行布置的放电电极板；所述磁体线圈为单匝线圈，所述单匝线圈包括依次连接的外层金属层和内层金属层，所述内层金属层的电导率小于所述外层金属层的电导率，且在垂直于穿过所述单匝线圈的中心轴线的径向上，所述内层金属层的第一厚度小于所述外层金属层的第二厚度；所述单匝线圈的两端分别对应连接一块所述放电电极板，用于线圈放电。通过本申请可以有效抑制线圈内表面向空气域的热传导过程，防止对线圈孔径内样品的热破坏；同时，可以防止线圈中心点产生的磁场减小的情况发生，保证测试性能。

公开(公告)号：CN119906390A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411988379.1

申请日：2024-12-31

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 葛翱铭 ,  彭涛 ,  吕以亮 ,  王宁 ,  康志伟

IPC: H03K3/57

Abstract: 本申请属于脉冲功率技术领域，具体公开了一种不需要磁开关的反向开关晶体管脉冲发生电路。通过本申请，脉冲电容器作为预充电源和主电源，分别对反向开关晶体管进行反向预充电和正向主放电。隔离电感可以实现自动隔离，在主电流还没起来，预充电电流已完成反向充电。一方面，本申请省去了磁开关，破除了磁开关伏秒积随主电容电压升高而导致的磁开关体积、重量、成本升高的难题，可以使反向开关以较容易和较低成本的方式，应用于10kV以上的超高压脉冲功率领域。另一方面，该本申请中的电路均由常见的电路元件组成，不包括难以获得的特种器件，电路具有较简单的结构，容易组装和搭建。

公开(公告)号：CN118888252A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410951929.6

申请日：2024-07-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 彭涛 ,  葛翱铭 ,  吕以亮 ,  李亮 ,  王宁 ,  康志伟 ,  黄一航 ,  刘政阳 ,  杨浩诚

IPC: H01F7/20 ,  H01F27/28 ,  H01F27/08 ,  H01F27/34 ,  H01F27/40

Abstract: 本申请属于脉冲强磁场技术领域，具体公开了一种单匝线圈式破坏性脉冲磁体，该脉冲磁体包括：磁体线圈、预冷却包层和两块平行布置的放电电极板；预冷却包层为线圈状，用于包裹磁体线圈，对磁体线圈进行预冷却；磁体线圈为单匝线圈，其两端裸露在预冷却包层外面，分别对应连接一块放电电极板，用于线圈放电；预冷却包层包括绝缘外壳和容纳腔室，绝缘外壳包括外圈绝缘外壳、侧面绝缘外壳和内圈绝缘外壳，外圈绝缘外壳和/或侧面绝缘外壳上设置有用于加注冷却剂的开口；容纳腔室用于填充冷却剂。通过本申请可在抑制电磁扩散效应和阻尼线圈变形的双重作用下，提高线圈产生的磁场，改善线圈磁体的电流‑磁场转换效率，提升线圈内测试样品的检测效果。