公开(公告)号：CN113886166A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111015082.3

申请日：2021-08-31

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 陈雷 ,  刘亚泽 ,  孙华波 ,  孙健爽 ,  王文锋 ,  张玉 ,  方鑫 ,  伊经伟 ,  李智 ,  郭琨

IPC: G06F11/267 ,  G06F11/22

Abstract: 本发明公开了一种用于可编程逻辑中可变位宽存储器的自动测试电路，包括地址数据产生器、位宽选择器和可变位宽比较器；地址数据产生器用于自动产生15位顺序可自动翻转地址信号和数据、写使能信号，并传输给位宽选择器；位宽选择器接收到来自地址数据产生器的信号后，根据位宽选择情况对接收到的信号进行转换，并将转换后的信号传输至每一个待测存储器；可变位宽比较器用于接收来自待测存储器的输出数据信号，根据选择的位宽对信号进行转换，并将转换后的信号进行比较，得到测试结果后输出结果。本发明能够使用较少的电路结构，实现对可编程逻辑内嵌存储器的自动全遍历测试，并可根据存储器宽度选择适合的位宽进行测试，具备较高的测试效率和灵活性。

公开(公告)号：CN108335708B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201810139176.3

申请日：2018-02-11

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 陈雷 ,  倪劼 ,  李琦 ,  孙华波 ,  王文锋 ,  郭琨 ,  孙健爽 ,  刘亚泽 ,  钱涛涛

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/24

Abstract: 一种单粒子加固的可编程双倍数据率寄存器电路及控制方法，通过对传统锁存器采用双冗余互锁结构的电路实现寄存器存储单元的单粒子加固设计，在此基础上通过加入时钟产生电路、数据多路器和数据保持电路，来控制多个双冗余互锁结构寄存器时序能够实现多种模式的双倍数据率寄存器功能。本发明单粒子加固指标比传统寄存器提高三个数量级，并且可以实现电平锁存器、单倍数据率边沿触发器、反沿模式双倍数据率边沿触发器和同沿模式双倍数据率边沿触发器等可编程功能，使用户在使用可编程用户寄存器时具有更高的灵活性、更好的时序性能和极高的抗单粒子加固指标。

公开(公告)号：CN112600547A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011439450.2

申请日：2020-12-07

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 陈雷 ,  倪劼 ,  李学武 ,  孙华波 ,  王文锋 ,  郭琨 ,  孙健爽 ,  刘亚泽 ,  赫彩 ,  甄淑琦 ,  张玉

IPC: H03K19/017 ,  H03K19/0185

Abstract: 一种宽范围输入输出接口电路，属于集成电路领域；作为输出接口的情况下，利用辅助电压产生单元(103)的开启与关闭，通过双模式电平转换单元，使输出驱动单元(101)中PMOS晶体管栅源电压等于内核工作电源电压；作为输入接口的情况下，利用辅助电压产生单元(103)的开启与关闭，通过耐压输入缓冲器单元(104)和耐压输入缓冲器单元(105)的开启与关闭，使耐压输入缓冲器单元(104)中PMOS晶体管栅源电压等于输入输出接口电源电压。

公开(公告)号：CN108335708A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810139176.3

申请日：2018-02-11

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 陈雷 ,  倪劼 ,  李琦 ,  孙华波 ,  王文锋 ,  郭琨 ,  孙健爽 ,  刘亚泽 ,  钱涛涛

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/24

Abstract: 一种单粒子加固的可编程双倍数据率寄存器电路及控制方法，通过对传统锁存器采用双冗余互锁结构的电路实现寄存器存储单元的单粒子加固设计，在此基础上通过加入时钟产生电路、数据多路器和数据保持电路，来控制多个双冗余互锁结构寄存器时序能够实现多种模式的双倍数据率寄存器功能。本发明单粒子加固指标比传统寄存器提高三个数量级，并且可以实现电平锁存器、单倍数据率边沿触发器、反沿模式双倍数据率边沿触发器和同沿模式双倍数据率边沿触发器等可编程功能，使用户在使用可编程用户寄存器时具有更高的灵活性、更好的时序性能和极高的抗单粒子加固指标。

公开(公告)号：CN103559161A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310439306.2

申请日：2013-09-24

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 王文锋 ,  陈雷 ,  李学武 ,  孙华波 ,  李智 ,  张健 ,  倪劼 ,  田艺 ,  张彦龙

IPC: G06F13/40 ,  H03K19/00

Abstract: 一种用于FPGA配置的总线多宽度转换电路，可以完成FPGA一位、二位、四位和八位宽度配置输入的总线宽度转换。该电路包括两个模块，一个是总线位宽转换模块；另一个模块是总线位宽转换模块的控制模块。一位、二位、四位或八位的配置数据通过四输入多路器组的选择，写入到8位的第一寄存器组，第一寄存器组写满后再移入8位的第二寄存器组，最后输出到八位配置总线上进行FPGA的配置。控制模块根据输入信号的宽度，使总线位宽转换模块把一位、二位、四位或八位位宽输入转换为八位位宽输入。通过该电路FPGA可以使用一位、二位、四位或八位的端口进行配置，增大了FPGA配置端口的灵活性。

公开(公告)号：CN101937917B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201010268550.3

申请日：2010-08-31

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所

Inventor： 倪劼 ,  陈雷 ,  孙华波 ,  禹放斌 ,  林彦君 ,  王文锋 ,  王雷 ,  张健 ,  尚祖宾 ,  周雷

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种集成电路中静电放电防护结构，包括第一类静电放电防护器件和第二类静电放电防护器件，第一类静电放电防护器件为二极管，第二类静电放电防护器件为带齐纳二极管的分段双级晶体管，带齐纳二极管的分段双级晶体管由分段双级晶体管、发射极串联电阻、集电极串联电阻、基极电阻的和齐纳二极管组成。集成电路的静电放电防护结构对输入缓冲器、输出缓冲器、电源轨线、地轨线提供了静电放电保护，其中的静电放电防护器件在版图中使用了分段双极晶体管结构，使用虚设多晶硅栅结构在各段双极晶体管中构成了一个低触发电压的齐纳二极管和发射极、集电极的串联电阻。本发明有效的提高了集成电路的静电放电防护能力，降低了静电放电防护电路的触发电压，提高了静电放电防护器件的均匀导通性，且有效的节省了静电放电防护器件的版图面积。

公开(公告)号：CN101937917A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010268550.3

申请日：2010-08-31

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所

Inventor： 倪劼 ,  陈雷 ,  孙华波 ,  禹放斌 ,  林彦君 ,  王文锋 ,  王雷 ,  张健 ,  尚祖宾 ,  周雷

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种集成电路中静电放电防护结构，包括第一类静电放电防护器件和第二类静电放电防护器件，第一类静电放电防护器件为二极管，第二类静电放电防护器件为带齐纳二极管的分段双级晶体管，带齐纳二极管的分段双级晶体管由分段双级晶体管、发射极串联电阻、集电极串联电阻、基极电阻的和齐纳二极管组成。集成电路的静电放电防护结构对输入缓冲器、输出缓冲器、电源轨线、地轨线提供了静电放电保护，其中的静电放电防护器件在版图中使用了分段双极晶体管结构，使用虚设多晶硅栅结构在各段双极晶体管中构成了一个低触发电压的齐纳二极管和发射极、集电极的串联电阻。本发明有效的提高了集成电路的静电放电防护能力，降低了静电放电防护电路的触发电压，提高了静电放电防护器件的均匀导通性，且有效的节省了静电放电防护器件的版图面积。