-
公开(公告)号：CN119881583A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510374452.4
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种可关断晶闸管结温确定方法、装置、存储介质和电子设备。该方法包括：确定表征可关断晶闸管的存储时间、工作电流以及工作结温之间关系的预定关系，存储时间为在关断过程中，由于可关断晶闸管的内部载流子存储效应使得可关断晶闸管延迟关断的时长，工作电流为在可关断晶闸管主动关断前流经可关断晶闸管的电流；获取可关断晶闸管的实际存储时间以及实际工作电流，实际存储时间为实际的存储时间，实际工作电流为实际的工作电流；根据实际存储时间、实际工作电流以及预定关系，确定可关断晶闸管的实际工作结温。本申请至少解决现有技术中可关断晶闸管器件的结温测量不准确，威胁系统和装备的安全稳定运行的问题。
-
公开(公告)号：CN119765968A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411694353.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H02M7/5387 , H02M1/32 , H02J3/18
Abstract: 本申请涉及一种电流源换流阀，在可控关断换流模块的每一相交流端与换流变压器的每一相出口端之间，分别对应设置有可控电容器组，各个可控电容器组的第二端分别连接。如此，在电流源换流阀运行过程中，可通过对可控电容器组的全桥可控电容子模块投切控制，为可控关断换流模块提供换相电压，此时对应的换相回路中不存在换流变压器漏感，可实现换流变压器的有功和无功独立调节。通过上述方案，可采用电压源来补偿无功，拓宽了电流源换流阀整体对交流电网的无功输出范围，极大提高换流阀的运行灵活性和可靠性。
-
公开(公告)号：CN119743000A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411703039.X
申请日：2024-11-26
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H02M1/32
Abstract: 本申请涉及一种功率半导体器件均压电路及变换器，包括充放电电路、电阻、单向导电电路和电压箝位电路，电阻与单向导电电路并联，并联后的第一端连接功率半导体器件的第一功率端口，第二端连接充放电电路的第一端，充放电电路的第二端连接功率半导体器件的第二功率端口，电压箝位电路与充放电电路并联，单向导电电路的电流导通方向为从功率半导体器件的第一功率端口至充放电电路的第一端的方向。当第一功率端口电压相对第二功率端口电压正向上升时，发挥电容对高上升率电压的快速均压作用；负向下降时，通过降低支路阻抗实现动态均压，电压箝位电路可以在关断瞬态中限制过压功率半导体器件两端电压的进一步上升，提高了均压电路的工作可靠性。
-
公开(公告)号：CN119560385A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510122630.4
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/373
Abstract: 本公开涉及一种封装电极及其制造方法、半导体封装器件。所述制造方法包括：制备金刚石复合金属基层，并于金刚石复合金属基层的上下两侧表面分别形成第一合金层和第二合金层，于金刚石复合金属基层的侧壁上形成导电凸缘；其中，金刚石复合金属基层、第一合金层、第二合金层和导电凸缘为一体结构；第一合金层和第二合金层二者背离金刚石复合金属基层的表面为机加工表面，用于直接接触芯片；导电凸缘的法兰焊接表面无金刚石成分。本公开有利于提升大尺寸封装电极的成型质量及性能，从而有效提升半导体封装器件的封装可靠性。
-
公开(公告)号：CN118801666A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410812210.4
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 一种电流源型功率半导体器件的驱动方法、器件、电路及电子设备，属于电源管理技术领域。所述电流源型功率半导体器件的驱动方法应用于耗尽型元器件，包括：响应于器件开通指令，通过电源管理模块向开通模块内开关元器件输入正偏电压，向维持模块内开关元器件输入反偏电压，向关断模块内开关元器件输入反偏电压；响应于器件维持通流指令，通过电源管理模块向维持模块内开关元器件输入正偏电压，向开通模块内开关元器件输入反偏电压；响应于器件关断指令，通过电源管理模块向开通模块和维持模块内开关元器件均输入反偏电压，向关断模块内开关元器件输入正偏电压。本申请设计了一种电流源型功率半导体器件的驱动方法，能够可靠实现对耗尽型元器件的驱动控制。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118739813A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410814101.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及一种功率器件的驱动电路、驱动方法和功率器件。所述驱动电路包括：开通模块、门极模块和阴极模块；其中，阴极模块的第一端与功率器件中的功率半导体的阴极连接，阴极模块的第二端分别与开通模块和门极模块的第二端连接；开通模块的第一端与功率半导体的门极连接，门极模块的第一端与功率半导体的门极连接。通过各模块的导通或断开实现功率器件的开通或断开，无需在每次关断完成后进行重新充电，降低了传统驱动电路和驱动方法导致的功率器件功率过高的问题，同时提高了功率器件的开关频率，且在功率器件的阴极增加阴极模块，使功率器件具有正温度特性，提高了功率器件的关断增益，从而提高了功率器件的工作性能。
-
公开(公告)号：CN118738106A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410773057.9
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/74 , H03K17/687 , H03K17/72 , H01L29/745
Abstract: 本公开涉及一种功率半导体器件及其控制方法。该功率半导体器件包括：芯片单元和辅助封装结构。芯片单元包括导通优化区域和关断优化区域。辅助封装结构包括至少与所述关断优化区域连接的辅助关断组件。其中，所述芯片单元被配置为：在开通模式下于所述导通优化区域提供第一电流通路，于所述关断优化区域提供第二电流通路，以及在关断模式下使所述导通优化区域的电流转移至所述关断优化区域和所述辅助关断组件。所述辅助关断组件被配置为：增加所述关断优化区域的关断电流，以辅助所述关断优化区域关断。本公开可以同时兼顾电流导通能力和电流关断能力在单一功率半导体器件上的有效提升，以进一步提升功率半导体器件的电学性能。
-
公开(公告)号：CN118611640A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410812211.9
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H03K17/08 , H03K19/003
Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件的驱动保护电路、驱动保护方法及其应用，所述驱动保护电路包括：并联于功率半导体器件的门极与阴极之间的开通模块和关断模块，所述关断模块包括：开关组以及关断电容组，所述开关组与所述关断电容组串联；所述开关组中，所述开关组包括常闭开关组。通过本申请可以解决现有技术中驱动保护电路的参数设计难度大、成本高、静态损耗大的技术问题，利用驱动保护电路的改进，提升功率半导体器件对阳阴极电压上升率的耐受能力。
-
公开(公告)号：CN222867677U
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202520597615.0
申请日：2025-04-01
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/488 , H02M1/00 , H02M1/08
Abstract: 本申请提供了一种连接区段、门极驱动单元以及电力电子设备，涉及半导体技术领域，第一主体部的第一内凹侧设置至少一个第一接触电极，第一主体部的至少一个第一端侧设置至少一个第一连接触点，第二主体部的第二内凹侧设置至少一个第二接触电极，第二主体部的至少一个第二端侧设置至少一个第二连接触点，第一连接触点和第二连接触相互电性接触，第一接触电极和第二接触电极与门极引出结构和阴极引出结构焊接相连。基于上述提及的焊接相连方式，可替换现有技术中螺纹连接方式，进而解决螺纹连接方式所带来的一系列弊端。第一连接触点和第二连接触点之间的直接电气相连可有效保证寄生阻抗的降低和关断电流的提升效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.03 seconds)
