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公开(公告)号：CN103746071B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201410009515.8
申请日：2014-01-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种自组装LaAlO3纳米线、制备及应用，属于高温超导材料制备技术领域。纳米线之间的取向差基本为0；数目在10‑100个/μm2；垂直基板方向的高度为0.2‑4nm，平行基板方向的长度为50‑1000nm，平行基板方向的宽度在10nm‑100nm；分布均匀且无团结。本发明通过将（001）‑LaAlO3或（001）‑SrTiO3单晶基板偏离标准(001)取向一定角度切割并抛光，然后再经过热处理工艺，即可在基板表面获得自组装的纳米线。本发明工艺及其简单，价格低廉，纳米线的形态可根据偏离角度调控，为沉积超导薄膜提供了一种简单高效的工程表面，有利于市场化的推进。
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公开(公告)号：CN103817330B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201410084297.4
申请日：2014-03-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种金属粉末轧制制备涂层超导体用强立方织构复合基带的方法，属于高温涂层超导基带技术领域。所用原料为高纯镍粉、钨粉和铬粉，纯度都在99.9%以上，采用粉末轧制的方法得到初始生板坯，然后经过长时间高温烧结、热轧、表面抛光处理得到层间结合致密的镍钨‑镍铬复合初始坯锭；再经过多道次冷轧、轧制中间回复热处理、最终高温再结晶退火，得到外层具有强立方织构，芯层无磁性、高强度的镍钨‑镍铬合金复合基带。本发明以其特有的制备复合坯锭的方法，得到了高性能的镍钨‑镍铬合金复合基带。本发明所制备的合金基带具有制备工艺便捷、强立方织构含量、无铁磁性、高强度等特点，并且易于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN103710521B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310741763.7
申请日：2013-12-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C21D9/52
Abstract: 一种用于改善涂层导体用长基带在线动态退火的辅助装置及实现方法属于超导材料制备领域。本装置由置于炉膛开口两侧的转向装置和导向装置组成；转向装置包括至少一对定滑轮，用以改变长基带在炉膛内部走带方向；导向装置为至少两对定滑轮，用以限制长基带在走带过程中的位置。将待退火的长基带从放带轮放出，用引带按照走带线路缠绕在转向装置和导向装置上，最后收于炉膛另一端的收带轮上；退火时，长基带在引带的牵引下，按走带路线若干次进出炉膛，达到满足完全再结晶的工艺参数要求后离开炉膛，在收带轮上盘圆，整个过程持续进行。该装置能够加装在已有装置上，提高炉膛空间利用率，减少长基带的热处理时间，节约能源和保护气氛，降低成本。
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公开(公告)号：CN103922738B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410088329.8
申请日：2014-03-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , B05D1/38 , B05D7/14
Abstract: 一种La2Zr2O7过渡层梯度薄膜结构、制备及应用，属于高温超导涂层材料技术领域。本发明所提供的La2Zr2O7过渡层薄膜，下层为离子半径较小的Ti4+掺杂形成的La2Zr2-xTixO7薄膜，其中0.2≤x≤1.8，上层是离子半径较大的Y3+掺杂形成的La2Zr2-yYyO7薄膜，其中0.2≤y≤1.8，通过不同掺杂量实现与基板Ni、超导层YBCO的100%匹配，实现了晶格常数梯度变化的过渡层结构。且过渡层为同一本体材料，性能更稳定。La2Zr2-xTixO7、La2Zr2-yYyO7薄膜晶格常数精确可调，且能实现多种过渡层功能的一体化，减小了现有过渡层结构的复杂性。
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公开(公告)号：CN104550971A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510030433.6
申请日：2015-01-21
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C22C19/03 , B22F3/24 , B22F7/008 , B22F7/02 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/0433 , C22F1/10 , H01L39/2454 , B22F1/0003 , B22F2009/041 , B22F3/15 , B22F2003/185 , B22F3/18 , B22F2003/248 , B22F2009/043 , B22F2201/013 , B22F2202/06
Abstract: 一种元素扩散型复合基带的制备方法，属于高温涂层超导基带制备技术领域。将轧制完成的复合镍钨合金带材加热、保温的同时，在带材的两端施加低压、大电流密度的脉冲电流。本发明得到了高性能的镍钨合金复合基带，三明治结构的复合基带利用内层较高的溶质含量向外层扩散使复合基带整体达到低铁磁性和高强度，同时不影响基带表面形成锐利的立方织构。电脉冲技术的引入一方面加速了层间元素的互扩散效应，另一方面又促进了基带的再结晶形核，降低了再结晶退火温度，从而既达到了节能环保之功效，又有效减轻了基带退火后晶界间的热侵蚀沟槽给后续镀膜带来的不利影响。本发明所制备的合金复合基带具有高立方织构含量、低磁性、高强度等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103658172A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310664694.4
申请日：2013-12-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: B21B1/22
Abstract: 一种涂层导体用百米级Ni-5at.%W合金基带的轧制方法属于金属材料轧制技术领域。本发明结合了二辊轧机和四辊轧机的各自优势，二辊轧机用于开坯和中间轧制，四辊轧机用于终轧，避免了二辊轧机终轧或者四辊轧机开坯等加工困难的问题，可提高生产效率，降低轧机损耗。同时采用四辊轧机终轧，其轧制出的带材厚度较二辊轧机均匀，带材板型好，轧向质量分布均匀。本发明的三段式轧制的每段第一道次均采用10～20%的压下量，三段式轧制中对轧辊表面粗糙度的要求依次递进。本发明能够最大化利用现有生产企业的设备，生产出高附加值的产品，提高其生产效率，增加良品率，降低轧机损耗，满足工业化生产需求。
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公开(公告)号：CN103509960A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310453121.7
申请日：2013-09-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种熔炼法制备涂层导体用NiW合金复合基带坯锭的方法，属于坯锭技术领域。首先制备高W含量NiW合金作为内层，至于模具中将熔炼好的低W含量NiW合金在Ar/H2保护气氛下浇筑在高W含量NiW合金周围，形成以低W含量NiW合金为外层、高W含量NiW合金为内层的熔炼复合铸锭，熔炼NiW合金复合铸锭经均匀化热处理后，进行高温热锻和热轧，最后获得熔炼NiW合金复合坯锭本发明复合坯锭，内外层结合紧密，不易开裂。此熔炼法制备的NiW合金复合坯锭是制备复合长带的基础，有利于实现复合长带的工业化生产。
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公开(公告)号：CN103236321A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310105482.2
申请日：2013-03-28
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 一种强立方织构、低磁性复合型Ni-W合金基带的制备方法，属于高温涂层超导基带制备技术领域。所用原料为镍块和钨块，纯度都在99.9%以上，采用真空感应熔炼制备Ni-W合金坯锭，然后经过热锻、热叠轧得到初始复合坯锭；再结晶退火后得到表层强立方织构，芯层无磁性、高强度的镍钨合金复合基带。本发明以其特有的制备复合坯锭的方法，得到了高性能的镍钨合金复合基带。本发明所制备的合金基带具有高立方织构含量、低磁性、高强度等特点，并且易于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN103060731A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210591316.3
申请日：2012-12-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: C22F1/10
Abstract: 一种无或低磁性、立方织构Ni-W合金复合基带的制备方法，属于高温涂层超导基带制备技术领域。分别制备两种不同W含量的但尺寸相同的Ni-W合金坯锭，叠放焊合固定在一起；进行冷轧，总变形量为50%；进行轧制间回复热处理；切去边裂和毛刺并且中间一分为二截断；重复上述叠放焊合、轧制、回复热处理1~4次的累积叠轧，使得多层叠轧后的坯锭的最外层均是低W含量的Ni-W合金，再进行冷轧和轧制间回复退火，并进行两步再结晶退火即可。本发明方法能获得性能优异的复合基带。
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公开(公告)号：CN101880165B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010152369.6
申请日：2010-04-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/40 , H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种短时间固相烧结技术制备铁基超导体的方法，步骤包括：在高纯Ar保护气氛下，将Ln和As粉按摩尔比1∶(1～1.1)混合，封装在高真空石英管内进行热处理，最后炉冷至室温，得到LnAs粉末；在高纯氩气保护的手套箱内，粉末LnAs和Fe粉、Fe2O3粉、FeF3粉按摩尔比3∶(1+x)∶(1-x)∶(1.1～1.5)x进行配比、研磨、压制成片，然后在高真空下进行退火处理，炉冷至室温，最终制备出LnO1-xFxFeAs超导体，其中Ln＝La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu，0＜x＜0.6。本发明方法提高铁基超导体性能的同时，提高铁基超导体的制备效率。
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