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公开(公告)号：CN117046042A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311091407.5
申请日：2023-08-29
Applicant: 北京市延庆区医院(北京大学第三医院延庆医院)
IPC: A63B23/035
Abstract: 一种骨科创伤用恢复训练装置，本发明涉及医用训练装置技术领域，两个调节杆分别通过调节组件活动插设在活动槽内，且两个调节杆的相对面上固定设有调节螺栓杆，调节套的左右两端分别螺纹旋接在调节螺栓杆上；调距组件设置在调节杆的前后两侧上，下肢训练组件和上肢训练组件分别与前后两侧的调距组件连接；操作人员将移动座移动至合适的位置后，通过调节组件，使得下肢训练组件和上下肢训练组件移动至合适的高度，再通过调距组件将下肢训练组件和上肢训练组件靠近患者的身体，便于行动不便的患者使用训练恢复。
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公开(公告)号：CN116960009A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310877128.5
申请日：2023-07-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本申请提供一种晶圆键合方法和键合结构，涉及半导体技术领域，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆的第一表面上依次沉积阻挡层、种子层；在种子层上制备第一支撑层，在第一支撑层上，通过刻蚀制备得到多个待填充盲孔，待填充盲孔的底部为种子层；在待填充盲孔中填充与种子层匹配的金属材料，在金属材料上填充焊料，得到凸点；去除第一表面上除凸点以外的所有材料；在种子层上制备第二支撑层；在第二表面上制备嵌入多个金属衬垫的绝缘层；使第一晶圆与第二晶圆进行对准，使第一晶圆上的凸点与第二晶圆上的金属衬垫一一接触；键合第一晶圆与第二晶圆。
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公开(公告)号：CN116854027A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310745056.9
申请日：2023-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种体硅内空腔结构及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：提供硅衬底；在所述硅衬底的上表面刻蚀形成第一多孔层；刻蚀生成第二多孔层；腐蚀去除所述第二多孔层，以形成连通所述第一孔隙的空腔；覆盖所述硅衬底的上表面以及所述第一多孔层的上表面形成薄膜层。该制备方法简单、高效，成本低，而且通过第一多孔层和第二多孔层的设计可以有效控制空腔的大小以及硅薄膜厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN115768045A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211385954.X
申请日：2022-11-07
Applicant: 北京大学
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明涉及一种散热器及电子设备，该散热器包括底板、射流板和盖板。其中，底板具有若干微通道结构。射流板上开设有射流槽，射流槽上设置有歧管结构，以形成有交错排布的歧管入口和歧管出口，射流槽包括进液部和出液部。射流槽上开设有若干射流入口和射流出口，出液部和微通道结构通过歧管入口和射流入口连通，出液部和微通道结构通过歧管出口和射流出口连通，进液部和出液部通过歧管结构和微通道结构连通。盖板具有进液口和出液口。本发明所述的散热器，能够充分发挥歧管结构的降低压降的作用，避免了局部过热，也利用了微射流进行强化换热，实现了微射流和歧管式微通道的有机结合，强化了针对超高热流密度电子芯片的高效冷却能力。
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公开(公告)号：CN108733869B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201810252274.8
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/392
Abstract: 本发明涉及一种大规模三维集成电路分区方法和装置。该方法首先进行均匀分区，包括：对三维集成电路进行热导率等效处理，并进行有限元仿真计算，得到等效热导率的计算结果；比较直接细节仿真计算和等效热导率的计算结果，偏差超过设定的阈值则对各电路层进行均匀分区，然后再次进行热导率等效处理和有限元仿真计算，得到等效热导率的计算结果；重复以上步骤，进行第二次或更多次均匀分区，各次均匀分区的分区数量递增，直至等效热导率仿真精度达到要求。在均匀分区基础上，进行树状分区和导热通路场修正的均匀分区。本发明的集成电路分区方法大大降低了仿真计算的计算成本，三种分区方法提高了计算精度同时也减少了计算资源的消耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115275003A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210842412.4
申请日：2022-07-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请实施例提供了一种液‑液界面型忆阻器，包括：存储第一液体的第一容器，存储第二液体的第二容器，以及位于第一容器和第二容器之间的工作层；其中，工作层上设置有连通第一容器和第二容器的纳米孔道；第一容器和第二容器的腔室尺寸，是纳米孔道的孔径和长度的至少100倍，第一液体和第二液体电导率不同且互不相溶，在纳米孔道中形成液‑液界面；纳米孔道的内壁面在第一液体中发生水解之后带负电；随着纳米孔道的两个开口端之间所施加的电压的大小的改变，液‑液界面基于电渗流作用在纳米孔道内移动。本申请实施例基于容器和纳米孔道，能快速实现纳流体界面型忆阻器对电压的增强型响应，可用于提高兴奋型人工神经突触器件的性能。
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公开(公告)号：CN115275002A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210842407.3
申请日：2022-07-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本申请实施例提供了一种液‑液界面型忆阻器，包括：存储第一液体的第一容器，存储第二液体的第二容器，以及位于第一容器和第二容器之间的工作层；其中，工作层上设置有连通第一容器和第二容器的纳米孔道；第一容器和第二容器的腔室尺寸，是纳米孔道的孔径和长度的至少100倍，第一液体和第二液体电导率不同且互不相溶，在纳米孔道中形成液‑液界面；纳米孔道的内壁面在第一液体中发生水解之后带正电；随着纳米孔道的两个开口端之间所施加的电压的大小的改变，液‑液界面基于电渗流作用在纳米孔道内移动。本申请实施例基于容器和纳米孔道，能快速实现纳流体界面型忆阻器对电压的增强型响应，可用于提高抑制型人工神经突触器件的性能。
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公开(公告)号：CN113948636A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111064414.7
申请日：2021-09-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种界面型纳流体忆阻器，包括：衬底；纳米沟道，设置在所述衬底顶部；金属层，覆盖所述纳米沟道的底部和侧壁并且覆盖位于所述纳米沟道一侧或两侧的衬底表面；以及二氧化硅层，覆盖所述金属层的部分表面。本发明的界面型纳流体忆阻器采用金属层作为栅控电极，可有效防止漏电流对其他器件的影响，且由该忆阻器形成的忆阻器阵列的加工工艺相比现有技术非常简单。此外，本发明的界面型纳流体忆阻器作为一种纳流体神经突触器件，既可实现兴奋型纳流体神经突触器件的功能，又可实现抑制型纳流体神经突触器件功能。另外，本发明还涉及所述界面型纳流体忆阻器的制备方法。
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公开(公告)号：CN113832033A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111059743.2
申请日：2021-09-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种细胞高活性分选及改造的原位电穿孔芯片、装置及方法，在本发明中，可同时实现对液基样本中的目标细胞进行高通量分选，对分选得到的目标细胞进行原位电穿孔改造，对改造后的细胞进行原位观察及统计分析。本发明可在15min内实现大规模背景细胞下痕量目标细胞的分选及改造，其中分选效率大于85％，改造效率大于75％，并且可以保证整套流程下细胞的活性大于80％。本发明提供的细胞高活性分选及改造的方法，一方面通过原位一体化的操作可以减少各步骤间的细胞损失及损伤，保证细胞活性；另一方面通过权衡不同孔径下细胞通过滤孔时的剪切应力和电穿孔过程中的电场强度来设计并优化滤膜孔径，进一步保证细胞的高活性。
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