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公开(公告)号：CN104756259B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201380056984.9
申请日：2013-09-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/048 , H01L31/0504 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 一种太阳能电池，具备：半导体基板，至少形成有pn结；大量指状电极，在该半导体基板的至少单面上梳齿状地形成；以及多个母线电极，与所述指状电极的长边方向正交地配置并且与该指状电极连接，在太阳能电池中，连接于一个母线电极的一个指状电极、与连接于与该一个母线电极平行地配置的其他母线电极的其他指状电极相互间隔开，并且与各母线电极连接的指状电极的相互邻接的2根或者2根以上的长边方向的端部彼此通过辅助电极电连接，通过采用以上结构，还消除由断线所导致的不利情况，曲线因子高，变换效率也高，且电池的翘曲小，制造成品率提高，并且没有成本升高，长期可靠性高，使用该太阳能电池的太阳能电池模块具有高的输出维持率。
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公开(公告)号：CN106575679A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580044813.3
申请日：2015-07-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，其在第1导电型半导体基板的背面，具备由第1接触部与第1集电部构成的第1指状电极、由第2接触部与第2集电部构成的第2指状电极、第1母线电极、以及第2母线电极，所述第1导电型半导体基板在受光面的相反侧的背面具有第1导电型区域与第2导电型区域，并且，至少在第1母线电极和第2母线电极正下方的全部区域具备绝缘膜，在绝缘膜上，第1集电部和第1母线电极、以及第2集电部和第2母线电极电性接合，并且，至少在绝缘膜正下方，第1接触部和第2接触部连续成线状。由此，本发明提供一种钝化区域广、线路电阻低、并联电阻高、转换效率高的太阳能电池，并且提供一种太阳能电池的制造方法，可以用低成本来制造这种太阳能电池。
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公开(公告)号：CN103201847B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180053691.6
申请日：2011-09-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 一种在单晶硅基板表面具有纹理构造的太阳能电池，涉及以在该基板的表面近旁具有基于单晶硅基板制作时的切割加工历史的破损层的太阳能电池，根据本发明，基于单晶硅基板表面近旁存在的基板制作时的切割加工历史的破损层作为吸附站实现功能，对基板的少数载流子的寿命提高有贡献。根据该效果，太阳能电池特性飞跃性地提高。此外，不是重新附加破损，而是利用切割所带来的破损，所以不增加工时。
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公开(公告)号：CN105324849A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480032519.6
申请日：2014-05-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种背接触型太阳能电池，其显示出小的功率损失、通过其可自由定位母线并且具有简单的生产工序。本发明提供：半导体基板；在半导体基板的背面侧上形成的第一导电型区域，所述背面侧在半导体基板受光面侧的相对侧上；在半导体基板的背面侧上形成的第二导电型区域；在第一导电型区域上直线状地形成的第一导电型集电电极；和在第二导电型区域上直线状地形成的第二导电型集电电极。第一导电型区域和第二导电型区域交替排列。第一导电型集电电极和第二导电型集电电极设置有不连续部位。在第一导电型区域和第二导电型区域交替排列的排列方向上，各导电型的不连续部位设置为呈基本上直线地排列。
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公开(公告)号：CN102017087B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200980114553.7
申请日：2009-03-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 公开了扩散用磷糊料，其用于通过丝网印刷在基板上的扩散用磷糊料的连续印刷。该扩散用磷糊料不经历环境湿度对粘度的显著影响，甚至在长时间连续印刷后没有增粘的可能性。将扩散用磷糊料通过丝网印刷涂布在基板上，以在基板上形成扩散层。扩散用磷糊料包括作为用于扩散层的掺杂剂的含磷掺杂剂、含有机粘合剂和固体物质的触变剂、和有机溶剂。掺杂剂是有机磷化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103329280A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180065728.7
申请日：2011-12-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池，是在结晶硅基板的受光面侧形成添加了具有与上述硅基板相反的导电型的掺杂剂的发射极层，在上述硅基板的表面形成钝化膜，形成了将光生成的电荷从硅基板取出的取出电极和至少部分地与上述取出电极相接、收集用上述取出电极收集的电荷的集电极的太阳能电池，其特征在于，上述取出电极包含第1电极，该第1电极是含有赋予硅以导电性的掺杂剂的导电性糊的烧结体，以至少上述第1电极贯通上述钝化层的方式形成，上述集电极包含具有比上述第1电极高的导电性的第2电极，根据本发明，在使硅与电极的接触电阻损失和在电极电阻的电阻损失减小的同时，能够使发射极层的光学的和电的损失减小，能够使太阳能电池特性大幅地提高。
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公开(公告)号：CN103247715A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310046852.X
申请日：2013-02-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L31/02167 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种太阳能电池及其制造方法，该方法包括以下的步骤：在n型半导体基板的第二主表面之上形成SiNx膜；在SiNx膜形成步骤之后在n型半导体基板的第一主表面之上形成p型扩散层；和在p型扩散层之上形成SiO2膜或氧化铝膜构成。
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公开(公告)号：CN103201847A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180053691.6
申请日：2011-09-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 一种在单晶硅基板表面具有纹理构造的太阳能电池，涉及以在该基板的表面近旁具有基于单晶硅基板制作时的切割加工历史的破损层的太阳能电池，根据本发明，基于单晶硅基板表面近旁存在的基板制作时的切割加工历史的破损层作为吸附站实现功能，对基板的少数载流子的寿命提高有贡献。根据该效果，太阳能电池特性飞跃性地提高。此外，不是重新附加破损，而是利用切割所带来的破损，所以不增加工时。
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公开(公告)号：CN100444414C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510116112.4
申请日：2002-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/304
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 根据本发明的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。本发明还描述了根据该制造太阳能电池的方法制造的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN1291502C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN02806810.6
申请日：2002-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022433 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的OECO太阳能电池，其中每条凹槽的最小深度h总是满足关系式h≥W1tanθ，此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向，当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时，形成在一条在所有凹槽中具有最大深度凹槽的电极的低端部和没有在其上形成电极的同一凹槽的内侧面的上端部连接的一根直线，和垂直于厚度方向的参考线间的夹角，而W1代表在凹槽的两个开口边缘间的距离。根据本发明的第二方面的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。
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