公开(公告)号：CN100438088C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN02811083.8

申请日：2002-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/365 ,  C23C16/30

CPC classification number: C30B25/183 ,  C23C16/40 ,  C30B25/02 ,  C30B25/105 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0083

Abstract: 当采用有机金属汽相生长法生长p型MgxZn1-xO时，在生长期间和/或完成生长以后，在含氧气氛中对MgxZn1-xO进行热处理。此外，在汽相生长半导体层时，采用紫外线照射待生长的基片表面和材料气体。另外，当采用原子层外延(exitaxy)形成具有x轴取向沿层的厚度方向的MgxZn1-xO缓冲层时，首先生长金属单原子层。再有，采用主要由含有Se或Te的ZnO的半导体材料，来形成ZnO半导体有源层。采用这些技术形成发光元件。

公开(公告)号：CN1685532A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200380100151.4

申请日：2003-10-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/477 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/0095

Abstract: 在基板1的主表面上，层叠形成由该基板1所不含之In系化合物或Zn系化合物作为构成材料之多晶层或非晶态层之前段缓冲层2’，之后，在形成发光区域前，将该前段缓冲层2实施晶化用的热处理而形成缓冲层2。藉此，提供出能制造简便且可提高发光区域品质之Zn系半导体发光元器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN1524299A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN02813536.9

申请日：2002-07-24

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/365

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06

Abstract: 在作为活性层或p型金属包层32的MgZnO层中插入与MgaZn1－aO型氧化物不同的显示p型导电性的p型氧化物层32b。据此构成，吸收与补偿电子的作用由MgZnO层中局部地存在的p型氧化物层担负，所以不须添加大量的p型掺杂剂，即可得到品质良好的p型或i型的MgaZn1－aO型氧化物，从而获得高发光效率的紫外线或蓝色发光型发光元件。又，通过使p型金属包层与n型金属包层的至少一方形成第一结晶层与第二结晶层的接合构造，可有效地对活性层注入载体，从而提高发光效率。前述第二结晶层在活性层的相反侧与前述第一结晶层异型接合，其带隙能较该第一结晶层低。

公开(公告)号：CN1513210A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN02811083.8

申请日：2002-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/365 ,  C23C16/30

CPC classification number: C30B25/183 ,  C23C16/40 ,  C30B25/02 ,  C30B25/105 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0083

Abstract: 当采用有机金属汽相生长法生长p型MgxZn1－xO时，在生长期间和/或完成生长以后，在含氧气氛中对MgxZn1－xO进行热处理。此外，在汽相生长半导体层时，采用紫外线照射待生长的基片表面和材料气体。另外，当采用原子层外延(exitaxy)形成具有x轴取向沿层的厚度方向的MgxZn1－xO缓冲层时，首先生长金属单原子层。再有，采用主要由含有Se或Te的ZnO的半导体材料，来形成ZnO半导体有源层。采用这些技术形成发光元件。

公开(公告)号：CN117813674A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202280055853.8

申请日：2022-08-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明为一种暂时接合晶圆，其特征在于，其为外延功能层与支撑基板暂时接合而成的暂时接合晶圆，该外延功能层在一侧的面上具有极性不同的两个以上的电极，所述外延功能层的具有所述电极的面与所述支撑基板通过未固化的热固化型接合材料而暂时接合。由此，提供一种对于暂时接合晶圆而言，能够减少接合处理后的基板去除工序后的接合不良、剥离不良，提高成品率，并且能够容易地去除暂时支撑基板的技术。

公开(公告)号：CN117321732A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280035568.X

申请日：2022-03-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也 ,  秋山智弘

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及化合物半导体接合基板的制造方法，其包括下述工序：(1)使化合物半导体功能层在起始基板上外延生长的工序；(2)将支撑基板暂时接合于所述外延生长面，制成第一化合物半导体接合基板的工序；(3)将所述起始基板从所述第一化合物半导体接合基板中去除，制成第二化合物半导体接合基板的工序；(4)将所述第二化合物半导体接合基板的去除了所述起始基板的面正式接合于永久基板，制成第三化合物半导体接合基板的工序；及(5)将所述支撑基板从所述第三化合物半导体接合基板中去除，制成第四化合物半导体接合基板的工序；其中，暂时接合通过热固性树脂而进行，且不使该热固性树脂固化而使其保持软化状态，并且，正式接合通过硅氧化膜或硅氮化膜而进行。由此，提供一种提高了器件或器件系统设计上的自由度的化合物半导体接合基板的制造方法。

公开(公告)号：CN116779429A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310217186.5

申请日：2023-03-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也 ,  秋山智弘

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种接合型晶圆的制造方法，其能够减少因BCB(苯并环丁烯)的热固性不良而产生的外延层的不良部分。本发明的接合型晶圆的制造方法是隔着苯并环丁烯将含P(磷)的外延晶圆与待接合晶圆接合的接合型晶圆的制造方法，该制造方法的特征在于，使用具备起始基板与外延层的外延晶圆作为所述外延晶圆，所述起始基板具有第一面及与所述第一面相反一侧的第二面，所述外延层形成在所述起始基板的所述第一面上且含有磷，将在外延生长过程中绕至所述外延晶圆的所述起始基板的所述第二面而于该面析出的析出物后，进行所述苯并环丁烯的热固化。

公开(公告)号：CN115917764A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202180042346.6

申请日：2021-06-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明是一种接合型半导体受光元件(100)，其是将作为器件功能层(10)的外延层以及与该器件功能层(10)为不同材料的支撑基板(30)经由接合材料层(20)接合而成的接合型半导体受光元件(100)，其特征在于，在所述器件功能层(10)的接合面(10A)形成有凹凸图案(10B)。由此，提供一种可展现优异的机械强度的接合型半导体受光元件(100)，以及可制造机械强度较高的接合型半导体受光元件(100)的制造方法。

公开(公告)号：CN113924637A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202080038718.3

申请日：2020-05-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16 ,  H01L27/142

Abstract: 本发明是制造具备太阳能电池结构且具有驱动电路的电子设备的方法，包括以下工序：准备在初始基板上具有太阳能电池结构的第一晶圆和形成有驱动电路的第二晶圆，其中，在第一晶圆和第二晶圆的任一个上具有多个独立的二极管电路和电容器功能层叠部；以太阳能电池结构与二极管电路、电容器功能层叠部以及驱动电路重叠的方式进行接合而形成接合晶圆；进行配线；以及切割接合晶圆。由此，提供一种在一个芯片中具备驱动电路和太阳能电池结构以及电容器功能部，并且抑制了制造成本的电子设备的制造方法以及这样的电子设备。

公开(公告)号：CN107591463B

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN201710521506.0

申请日：2017-06-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

Abstract: 本发明公开了一种发光组件，包含窗口层兼支承基板及设置于窗口层兼支承基板上的发光层，发光层依序含有第二导电型的第二半导体层、活性层及第一导电型的第一半导体层，其中发光组件具有：经除去至少第一半导体层及活性层的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部而接与第一半导体层的第一奥姆电极、及设置于除去部而接与第二半导体层或窗口层兼支承基板的第二奥姆电极，其中在对应于为窗口层兼支承基板的发光层的相反侧的光提取面处的发光层的区域中，于较对应于发光层的区域更窄的范围设置有凹部，凹部的底面为经粗糙化。